技术特征：
技术总结
本发明提供了一种金属电极制备方法及压接式IGBT，所述方法包括在衬底上淀积氧化层，且衬底上预设的压力接触区对应的氧化层的厚度大于预设的非压力接触区对应的氧化层的厚度；在氧化层上顺次淀积第一金属层和第二金属层，形成金属电极。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及压接式IGBT，其压力接触区对应的氧化层厚度大于非压力接触区对应的氧化层的厚度，可以减少压接式IGBT的沟道区承受的压力；同时，通过在衬底上顺次淀积第一金属层和第二金属层形成金属电极，能够增加压接式IGBT的金属层厚度，从而缓解整个压接式IGBT承受的压力。
技术研发人员：刘江;温家良;金锐;王耀华;高明超;赵哿;李立;冷国庆;崔磊;朱涛;甘朝阳
受保护的技术使用者：全球能源互联网研究院有限公司
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2018.05.25