1.一种石墨烯射频天线，其特征在于，包括:衬底(1)、绝缘层(2)、馈电传输线(3)、接地电极(4)以及辐射贴片(5)；
所述绝缘层(2)覆盖于所述衬底(1)上；
所述馈电传输线(3)与辐射贴片(5)相连，覆盖于所述绝缘层(2)上；
所述接地电极(4)覆盖于所述绝缘层(2)上；
所述馈电传输线(3)与所述接地电极(4)共面，共同组成共面波导馈电结构；
所述辐射贴片(5)是石墨烯贴片。
2.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线，其特征在于，所述辐射贴片(5)的长度范围为1190微米～1210微米，宽度范围为1662微米～1682微米，厚度为10纳米。
3.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线，其特征在于，所述衬底(1)为2厘米×2厘米，厚度为600微米的本征硅衬底。
4.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线，其特征在于，所述绝缘层(2)为2厘米×2厘米，厚度为300纳米的二氧化硅绝缘层。
5.一种如权利要求1至4任一项所述的石墨烯射频天线的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜得到绝缘层(2)；
将石墨烯转移至所述绝缘层(2)上；
将已经转移的石墨烯刻蚀成辐射贴片(5)；
为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3)，在绝缘层上沉积接地电极(4)，形成一个石墨烯射频天线。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜得到绝缘层(2)，包括：
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法，在所述硅衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜，得到所述绝缘层(2)。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将已经转移的石墨烯刻蚀成辐射贴片(5)，包括：
将已经转移的石墨烯，通过紫外光刻以及感应耦合等离子体刻蚀ICP技术刻蚀成辐射贴片(5)。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3)，在绝缘层上沉积接地电极(4)，形成一个石墨烯射频天线，包括：
通过紫外光刻为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3)，通过磁控溅射技术在绝缘层上沉积接地电极(4)，形成一个石墨烯射频天线。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述辐射贴片(5)的长度范围为1190微米～1210微米，宽度范围为1662微米～1682微米，厚度为10纳米。