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一种带有电容器的半导体器件的制作方法
文档序号:11136539
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来源:国知局
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一种带有电容器的半导体器件的制造方法与工艺
技术总结
本发明提供了一种带有电容器的半导体器件,其特征在于,包括:半导体衬底,具有相对的上表面和下表面;形成于所述上表面上的功能器件;形成于所述功能器件上的MIM电容器;其中,所述MIM电容器垂直于所述上表面。
技术研发人员:
王汉清
受保护的技术使用者:
南通沃特光电科技有限公司
文档号码:
201611054501
技术研发日:
2016.11.25
技术公布日:
2017.02.15
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