半导体结构及其制造方法与流程

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

使用半导体器件的电子设备对许多现代应用至关重要。随着电子技术的进步，半导体器件的尺寸正变得越来越小，同时具有更多的功能和更大数量的集成电路。由于半导体器件的小型化的规模，所以晶圆级封装(wlp)广泛用于其低成本和相对简单的制造操作。在wlp操作期间，许多半导体部件装配在半导体器件上。此外，在这种小半导体器件内实施多个制造操作。

然而，半导体器件的制造操作涉及关于这种小而薄的半导体器件的许多步骤和操作。小型化缩放的半导体器件的制造变得更加复杂。制造半导体器件的复杂程度的增加可以导致诸如部件的不准确放置、不良的电互连、裂缝的出现、组件的分层或半导体器件的高产量损失的缺陷。半导体器件制造为不期望的配置，从而使材料损耗进一步恶化并且因此增加制造成本。这样，存在对于修改半导体器件的结构和改进制造操作的许多挑战。

由于涉及具有不同材料的许多不同部件，所以半导体器件的制造操作的复杂性增加。修改半导体器件的结构和改进制造操作存在更大的挑战。因此，需要不断地改进半导体的制造并解决以上缺陷。

技术实现要素：

根据本发明的一方面，提供了一种半导体结构，包括：第一管芯；第二管芯，设置为水平地邻近所述第一管芯；第三管芯，设置在所述第一管芯和所述第二管芯上方；以及第一介电材料，围绕所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述第一介电材料的部分设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间，并且所述第三管芯设置在所述第一介电材料的部分上方。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体结构包括：第一管芯；第二管芯，设置在所述第一管芯上方；以及介电材料，围绕所述第一管芯或所述第二管芯，其中，所述第二管芯的边缘的部分从所述第一管芯的边缘突出，并且所述第二管芯的边缘的所述部分设置在所述介电材料的一部分上方。

根据本发明的又一方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供第一管芯；将第二管芯设置为水平地邻近所述第一管芯；将第三管芯设置在所述第一管芯和所述第二管芯上方；以及设置介电材料以围绕所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯，其中，所述介电材料的部分设置在所述第一管芯与所述第二管芯之间，并且所述第三管芯设置在所述第一介电材料的所述部分上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个实施例。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图2是图1的半导体结构的示意性截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图4是图3的半导体结构的示意性截面图。

图5是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图6是图5的半导体结构的示意性截面图。

图7是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图8是沿着aa'的图7的半导体结构的示意性截面图。

图9是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图10是沿着bb'的图9的半导体结构的示意性截面图。

图11是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图12是沿着cc'的图11的半导体结构的示意性截面图。

图13是沿着dd'的图11的半导体结构的示意性截面图。

图14是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图15是沿着ee'的图14的半导体结构的示意性截面图。

图16是沿着ff'的图14的半导体结构的示意性截面图。

图17是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图18是沿着gg'的图17的半导体结构的示意性截面图。

图19是沿着hh'的图17的半导体结构的示意性截面图。

图20是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图21是图20的半导体结构的示意性截面图。

图22是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图23是图22的半导体结构的示意性截面图。

图24是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图25是沿着ii'的图24的半导体结构的示意性截面图。

图26是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图27是沿着jj'的图26的半导体结构的示意性截面图。

图28是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图29是图28的半导体结构的示意性截面图。

图30是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。

图31是图30的半导体结构的示意性截面图。

图32是根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。

图32a至图32d是根据本发明的一些实施例的通过图32的方法制造半导体结构的示意图。

图33是根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。

图33a至图33e是根据本发明的一些实施例的通过图33的方法制造半导体结构的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例，以用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。

由半导体晶圆制造管芯。半导体晶圆包括多个管芯区。沿着若干划线区域锯切晶圆以从晶圆分割若干管芯。在分割之后，若干管芯彼此堆叠并且集成以成为半导体封装件。通过保护管芯免受污染和损害的模制件来封装管芯。

然而，管芯和模制件包括具有不同热特性(如，不同的热扩散系数(cte)等)的不同种类的材料，并且从而在随后的诸如加热处理、回流等的热工艺期间，将出现管芯和模制件内的内部应力。内部应力将导致管芯与模制件之间形成裂缝。裂缝可以传播通过模制件以进一步削弱半导体封装件的集成度和配置，并且最终导致半导体封装件的不良的可靠性或故障。

在本发明中，公开了改进的半导体结构。半导体结构包括彼此堆叠的至少两个管芯以及封装管芯的介电材料或模制件。管芯未彼此垂直对准，一个管芯的边缘从另一管芯突出。一个管芯的边缘与另一管芯的边缘不重叠。管芯没有边缘是对准的。管芯的这种未对准可以降低半导体结构的内部应力，并且因此最小化或防止模制件中的或管芯与模制件之间的裂缝的出现。提高了半导体结构的可靠性或性能。

图1和图2是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图1示出了半导体结构的顶视图，并且图2示出了图1的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103。在一些实施例中，半导体结构是封装件。图1和图2示出了包括两个管芯的半导体结构，然而，应该理解半导体结构可以包括两个或更多的管芯。不意欲限制半导体结构中的管芯的数量。

在一些实施例中，第一管芯101包括半导体衬底，在该半导体衬底上方制造有预定的功能电路。在一些实施例中，通过半导体晶圆的分割来形成第一管芯101。在一些实施例中，制造第一管芯101以执行特定功能。在一些实施例中，将第一管芯101制造为存储器管芯、微处理管芯、动态随机存取存储器(dram)管芯、专用集成电路(asic)管芯等。在一些实施例中，第一管芯101包括若干导线和通过导线连接的若干电部件，诸如晶体管、二极管等。

在一些实施例中，第一管芯101包括诸如硅、锗、镓、砷和它们的组合的半导体材料。在一些实施例中，第一管芯101包括诸如陶瓷、玻璃等的材料。在一些实施例中，第一管芯101为四边形、矩形、正方形、多边形或任何其他合适的形状。

在一些实施例中，第二管芯102设置在第一管芯101上方。在一些实施例中，第二管芯102垂直堆叠在第一管芯101上方。在一些实施例中，第二管芯102与第一管芯101重叠。在一些实施例中，第二管芯102具有与第一管芯101类似或不同的配置。在一些实施例中，第二管芯102包括半导体衬底，在该半导体衬底上方制造有预定的功能电路。在一些实施例中，第二管芯102被制造为执行与第一管芯101不同或相同的特定功能。在一些实施例中，第二管芯102包括若干导线和通过导线连接的若干电部件，诸如晶体管、二极管等。在一些实施例中，集成第二管芯102的电路与第一管芯101的电路。

在一些实施例中，第二管芯102包括诸如硅、锗、镓、砷和它们的组合的半导体材料。在一些实施例中，第二管芯102包括诸如陶瓷、玻璃等的材料。在一些实施例中，第二管芯102具有与第一管芯101相同或不同的形状。在一些实施例中，第二管芯102为四边形、矩形、正方形、多边形或任何其他合适的形状。在一些实施例中，第二管芯102具有与第一管芯101相同或不同的尺寸。在图1和图2中示出的一些实施例中，第一管芯101基本上具有比第二管芯102大的尺寸，并且第一管芯101和第二管芯102为四边形形状。

在一些实施例中，介电材料103围绕第一管芯101和第二管芯102。在一些实施例中，通过介电材料103封装第一管芯101和第二管芯102以防止污染或损害。在一些实施例中，通过介电材料103使第一管芯101与第二管芯102隔离。在一些实施例中，介电材料103包括复合材料。在一些实施例中，介电材料103包括诸如聚苯并恶唑(pbo)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(bcb)等的聚合物。在其他的实施例中，介电材料103包括诸如氮化硅等的氮化物。在一些实施例中，介电材料103包括诸如氧化硅等的氧化物。

在一些实施例中，介电材料103包括模制材料。在一些实施例中，介电材料103包括模塑料。在一些实施例中，介电材料103为单层膜或复合堆叠件。在一些实施例中，介电材料103包括诸如环氧树脂、酚类硬化剂、硅石、催化剂、颜料、脱模剂等的各种材料。

在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的至少一个边缘设置为远离第二管芯102的一个边缘。在一些实施例中，第一管芯101的边缘与第二管芯102的边缘不对准。

在一些实施例中，第一管芯101的边缘101a的至少一部分从第二管芯102的边缘102a横向突出。在一些实施例中，介电材料103的部分103a覆盖第一管芯101的边缘101a一部分并且围绕第二管芯102。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的部分103a设置在第一管芯101的角部上方。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102通过互连结构电连接。在一些实施例中，第一管芯101通过设置在第二管芯102上方的若干导电柱303或导电凸块与第二管芯102电连接。在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102通过引线接合电连接。在一些实施例中，第一管芯101包括设置在第一管芯101内或上方并且与导电柱303或导电凸块连接的若干管芯焊盘。在一些实施例中，延伸穿过介电材料103的若干贯通孔302与导电柱303电连接。在一些实施例中，贯通孔302设置在第一管芯101上方。在一些实施例中，贯通孔302设置为远离第一管芯101，贯通孔302与第一管芯101不重叠。在一些实施例中，贯通孔302设置为邻近第二管芯102。

在一些实施例中，再分布层(rdl)301设置在介电材料103、第一管芯101和第二管芯102上方。在一些实施例中，rdl301包括设置在介电材料103上方的一个或多个介电层301a以及被介电层301a围绕的若干导线301b。在一些实施例中，第二管芯102包括设置在第二管芯102上方或内并且与导线301b连接的若干管芯焊盘。在一些实施例中，第一管芯101与第二管芯102通过导电柱303、贯通孔302和导线301b电连接。在一些实施例中，第二管芯102通过导线301b与导电凸块304电连接。导线301b配置为对从第二管芯102的管芯焊盘至导电凸块304的路径进行再布线。在一些实施例中，凸块焊盘305设置在导线301b上方并且与该导线电连接。在一些实施例中，导电凸块304设置在凸块焊盘305上方。在一些实施例中，导电凸块304配置为设置在电路或电路板上方并且与该电路或电路板电连接。

图3和图4是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图3示出了半导体结构的顶视图，并且图4示出了图3的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括具有与上述的或图1或图2所示的类似的配置的第一管芯101、第二管芯102和介电材料103。在一些实施例中，第二管芯102垂直堆叠在第一管芯101上方。在一些实施例中，第二管芯102与第一管芯101重叠。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图3至图4中没有示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101基本上具有比第二管芯102的尺寸小的尺寸。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第二管芯102的边缘102a的至少一部分从第一管芯101的边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的边缘102a的从第一管芯101的边缘101a突出的部分设置在介电材料103的部分103a上方。在一些实施例中，第二管芯102的边缘102a的该部分覆盖介电材料103的围绕第一管芯101的部分103a。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的部分103a上方。

图5和图6是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图5示出了半导体结构的顶视图，并且图6示出了图5的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图4的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图5至图6中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本相同的尺寸和形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都设置为远离第二管芯102的所有边缘。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第二管芯102偏离第一管芯101。在一些实施例中，第二管芯102的边缘偏离第一管芯101的边缘。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。

在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘102b横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的第二边缘101b上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的角部上方。

图7和图8是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图7示出了半导体结构的顶视图，并且图8示出了沿着aa'的图7的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图6的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图7至图8中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本相同的尺寸和形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都未与第二管芯102的所有边缘对准。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第一管芯101的角部在第二管芯102的角部上方垂直对准，并且第二管芯102相对于第一管芯101绕第二管芯102的角部旋转。在一些实施例中，第二管芯102绕第二管芯102的角部旋转小于约180°的角度，其中，第二管芯102的角部与第一管芯101的角部对准。在一些实施例中，第二管芯102旋转约5°至175°的角度。

在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘102b横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的第二边缘101b上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的角部上方。

图9和图10是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图9示出了半导体结构的顶视图，并且图10示出了沿着bb'的图7的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图8的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图9至图10中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本相同的尺寸和形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都未与第二管芯102的所有边缘对准。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第二管芯102的中心在第一管芯101的中心上方垂直对准，并且第二管芯102相对于第一管芯101绕第二管芯102的中心旋转。在一些实施例中，第二管芯102绕第二管芯102的中心旋转小于约90°的角度，其中，该第二管芯102的中心与第一管芯101的中心对准。在一些实施例中，第二管芯102旋转约5°至85°的角度。

在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘102b横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的第二边缘101b上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的角部上方。

图11至图13是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图11示出了半导体结构的顶视图，图12示出了沿着cc'的图11的半导体结构的截面图，以及图13示出了沿着dd'的图11的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图10的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图11至图13中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都未与第二管芯102的所有边缘对准。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。

在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘102b横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的第二边缘101b上方。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的角部上方。

图14至图16是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图14示出了半导体结构的顶视图，图15示出了沿着ee'的图14的半导体结构的截面图，以及图16示出了沿着ff'的图14的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图13的任一个中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图14至图16中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都未与第二管芯102的所有边缘对准。在一些实施例中，没有第一管芯101边缘与第二管芯102的边缘对准。

在一些实施例中，第一管芯101的角部在第二管芯102的角部上方垂直对准，并且第二管芯102相对于第一管芯101绕第二管芯102的角部旋转。在一些实施例中，第二管芯102绕第二管芯102的角部旋转小于约180°的角度，其中，该第二管芯102的角部与第一管芯101的角部对准。在一些实施例中，第二管芯102旋转约5°至约175°的角度。

在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。

在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘102b横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的边缘上方。在一些实施例中，第一管芯101的角部从第二管芯102突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的角部上方。

图17至图19是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图17示出了半导体结构的顶视图，图18示出了沿着gg'的图17的半导体结构的截面图，以及图19示出了沿着hh'的图17的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯101、第二管芯102和介电材料103，它们具有与上述或图1至图16的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图17至图19中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第一管芯101的边缘设置为远离第二管芯102的边缘。在一些实施例中，第一管芯101的所有边缘都未与第二管芯102的所有边缘对准。在一些实施例中，没有第一管芯101的边缘与第二管芯102的一个边缘对准。

在一些实施例中，第二管芯102的中心在第一管芯101的中心上方垂直对准，并且第二管芯102相对于第一管芯101绕第二管芯102的中心旋转。在一些实施例中，第二管芯102绕第二管芯102的中心旋转小于约90°的角度，其中，第二管芯102的中心与第一管芯101的中心对准。在一些实施例中，第二管芯102旋转约5°至85°的角度。

在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的至少一部分从第一管芯101的第一边缘101a横向突出。在一些实施例中，第二管芯102的第一边缘102a的从第一管芯101的第一边缘101a突出的部分设置在介电材料103的第一部分103a上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。

在一些实施例中，第一管芯101的第二边缘101b的至少一部分从第二管芯102的第二边缘横向突出。在一些实施例中，介电材料103的第二部分103b设置在第一管芯101的边缘上方。在一些实施例中，第二管芯102的角部从第一管芯101突出。在一些实施例中，第二管芯102的角部设置在介电材料103的第一部分103a上方。

图20和图21是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图20示出了半导体结构的顶视图，并且图21示出了图20的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构是封装件。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和介电材料204。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和介电材料204具有与上述或图1至图19的任一附图中所示的第一管芯101、第二管芯102和介电材料103类似的配置。在一些实施例中，第三管芯203具有与第一管芯201或第二管芯202类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图20至图21中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为邻近第二管芯202。在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。第一管芯201位于第二管芯202的侧部处。在一些实施例中，第三管芯203设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第三管芯203垂直堆叠在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第三管芯203的定向正交于第一管芯201或第二管芯202的定向。在一些实施例中，再分布层(rdl)设置在第三管芯203上方。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203具有基本相同的尺寸或形状。在一些实施例中，第一管芯201和第二管芯202具有基本相同的尺寸或形状，而具有与第三管芯203基本不同的尺寸或形状。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203被介电材料204围绕。在一些实施例中，第一管芯201和第二管芯202被第一介电材料204-1围绕，并且第三管芯203被第二介电材料204-2围绕。在一些实施例中，第一介电材料204-1或第二介电材料204-2为模制件或包括模塑料。

在一些实施例中，第三管芯203的边缘设置为远离第一管芯201的边缘或第二管芯202的边缘。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘和第三管芯203的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第一管芯201的边缘201b的至少一部分或第二管芯202的边缘202b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b横向突出。在一些实施例中，第三管芯203的部分203c沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第一管芯201或第二管芯202突出。在一些实施例中，第三管芯203设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，部分203c设置在第一部分204a上方。在一些实施例中，第一部分204a设置在第一管芯201与第二管芯202之间。

在一些实施例中，第一管芯201的边缘201b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第二管芯202。在一些实施例中，第二管芯202的边缘202b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第一管芯201。在一些实施例中，介电材料204的第二部分204b设置在第一管芯201的边缘201b或第二管芯202的边缘202b上方。在一些实施例中，第二部分204b围绕第三管芯203。

图22和图23是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图22示出了半导体结构的顶视图，并且图23示出了图22的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和介电材料204，它们具有与上述或图20至图21的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图22至图23中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。在一些实施例中，第三管芯203设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第一管芯201和第二管芯202具有基本相同的尺寸或形状，而具有与第三管芯203基本不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第三管芯203基本大于第一管芯201或第二管芯202。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203被介电材料204围绕。在一些实施例中，第三管芯203的边缘203a设置为远离第一管芯201的边缘201a或第二管芯202的边缘202a。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘和第三管芯203的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第三管芯203的边缘203a的至少一部分沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第一管芯201的边缘201a或第二管芯202的边缘202a突出。在一些实施例中，第三管芯203设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，第一部分204a设置在第一管芯201与第二管芯202之间。在一些实施例中，第一部分204a围绕第一管芯201或第二管芯202。

图24和图25是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图24示出了半导体结构的顶视图，并且图25示出了沿着ii'的图24的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和介电材料204，它们具有与上述或图20至图23的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图24至图25中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。在一些实施例中，第三管芯203设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203具有基本相同的尺寸或形状。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203被介电材料204围绕。在一些实施例中，第三管芯203的边缘203b设置为远离第一管芯201的边缘201b或第二管芯202的边缘202b。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘和第三管芯203的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第三管芯203的部分203c沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第一管芯201或第二管芯202突出。在一些实施例中，第三管芯203设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，第一部分204a设置在第一管芯201与第二管芯202之间。

在一些实施例中，第一管芯201的边缘201b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第二管芯202。在一些实施例中，第二管芯202的边缘202b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第一管芯201。在一些实施例中，介电材料204的第二部分204b设置在第一管芯201的边缘201b或第二管芯202的边缘202b上方。在一些实施例中，第二部分204b围绕第三管芯203。

在一些实施例中，第三管芯203相对于第一管芯201或第二管芯202绕其中心旋转。在一些实施例中，第三管芯203旋转小于约180°的角度。在一些实施例中，第三管芯203旋转约5°至约175°的角度。

图26和图27是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图26示出了半导体结构的顶视图，并且图27示出了沿着jj'的图26的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和介电材料204，它们具有与上述或图20至图25的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图26至图27中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。在一些实施例中，第三管芯203设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203具有基本相同的尺寸或形状。在一些实施例中，第三管芯203具有与第一管芯201或第二管芯202不同的尺寸或形状。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202和第三管芯203被介电材料204围绕。在一些实施例中，第三管芯203的边缘设置为远离第一管芯201的边缘或第二管芯202的边缘。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘和第三管芯203的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第三管芯203的部分203c沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第一管芯201或第二管芯202突出。在一些实施例中，第三管芯203设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，第一部分204a设置在第一管芯201与第二管芯202之间。

在一些实施例中，第一管芯201的边缘201b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第二管芯202。在一些实施例中，第二管芯202的边缘202b的至少一部分从第三管芯203的边缘203b突出并且远离第一管芯201。在一些实施例中，介电材料204的第二部分204b设置在第一管芯201的边缘201b或第二管芯202的边缘202b上方。在一些实施例中，第二部分204b至少部分地围绕第三管芯203。

在一些实施例中，第三管芯203的角部在第二管芯202的角部上方垂直对准，并且第三管芯203相对于第二管芯202或第一管芯201绕第三管芯203的角部旋转，其中，第三管芯203的角部与第二管芯202的角部对准。在一些实施例中，第三管芯203旋转小于90°的角度。在一些实施例中，第三管芯203旋转约5°至约85°的角度。

图28和图29是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图28示出了半导体结构的顶视图，并且图29示出了图28的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构是封装件。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203、第四管芯205和介电材料204。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和介电材料204具有与上述或图20至图27的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，第四管芯205具有与第三管芯203类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图28至图29中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。在一些实施例中，第三管芯203设置为水平地邻近第四管芯205。在一些实施例中，第三管芯203或第四管芯205设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第一管芯201或第二管芯202的定向垂直于第三管芯203或第四管芯205的定向。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和第四管芯205具有基本相同的尺寸或形状。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和第四管芯205被介电材料204围绕。在一些实施例中，第三管芯203的边缘或第四管芯205的边缘设置为远离第一管芯201的边缘或第二管芯202的边缘。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘、第三管芯203的所有边缘和第三管芯205的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准并且没有第四管芯205的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第三管芯203的第一边缘203a的至少一部分或第四管芯205的第一边缘205a的至少一部分沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第一管芯201的第一边缘201a或第二管芯202的第一边缘202a突出。在一些实施例中，第三管芯203或第四管芯205设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，第一部分204a设置在第一管芯201与第二管芯202之间。

在一些实施例中，第一管芯201的第二边缘201b的至少一部分从第三管芯203的第二边缘203b或第四管芯205的第二边缘205b突出并且远离第二管芯202。在一些实施例中，第二管芯202的第二边缘202b的至少一部分从第三管芯203的第二边缘203b或第四管芯205的第二边缘205b突出并且远离第一管芯201。在一些实施例中，介电材料204的第二部分204b设置在第一管芯201的边缘或第二管芯202的边缘上方。在一些实施例中，第二部分204b至少部分地围绕第三管芯203或第四管芯205。

图30和图31是根据本发明的各个实施例的半导体结构。图30示出了半导体结构的顶视图，并且图31示出了图30的半导体结构的截面图。在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203、第四管芯205和介电材料204，它们具有与上述或图28至图29的任一附图中所示类似的配置。在一些实施例中，半导体结构还包括互连结构，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。为了易于说明和简洁，在图30至图31中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，半导体结构可以包括互连结构，诸如以与上述或图1至图2中所示类似的方式配置的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。

在一些实施例中，第一管芯201设置为水平地邻近第二管芯202。在一些实施例中，第一管芯203水平设置为邻近第四管芯205。在一些实施例中，第三管芯203或第四管芯205设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和第四管芯205具有基本相同的尺寸或形状。

在一些实施例中，第一管芯201、第二管芯202、第三管芯203和第四管芯205被介电材料204围绕。在一些实施例中，第三管芯203的边缘设置为远离第二管芯202的边缘，并且第四管芯205的边缘设置为远离第一管芯201的边缘。在一些实施例中，第一管芯201的所有边缘、第二管芯202的所有边缘、第三管芯203的所有边缘和第三管芯205的所有边缘彼此未对准。在一些实施例中，没有第三管芯203的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准，并且没有第四管芯205的边缘与第一管芯201的一个边缘或第二管芯202的一个边缘对准。

在一些实施例中，第三管芯203的一部分沿着与第一管芯201或第二管芯202平行的方向从第二管芯202横向突出。在一些实施例中，第四管芯205的一部分沿着与第一管芯201或第二管芯201平行的方向从第一管芯201横向突出。在一些实施例中，第三管芯203偏离第二管芯202，并且第四管芯205偏离第一管芯201。在一些实施例中，第三管芯203的边缘偏离第二管芯202的边缘，并且第四管芯205的边缘偏离第一管芯201的边缘。

在一些实施例中，第三管芯203的从第二管芯202横向突出的部分或第四管芯205的从第一管芯201横向突出的部分设置在介电材料204的第一部分204a上方。在一些实施例中，介电材料204的第二部分204b设置在从第三管芯203或第四管芯205横向突出的第一管芯201的一部分或第二管芯202的一部分上方。

在本发明中，还公开了制造半导体结构的方法。在一些实施例中，通过方法400形成半导体结构。方法400包括许多步骤，而描述和说明不应该被视为限制步骤的顺序。图32是制造半导体结构的方法400的实施例。方法400包括多个操作(401、402、403和404)。

在操作401中，如图32a所示，接收或提供第一管芯101。在一些实施例中，第一管芯101包括半导体衬底，在该半导体衬底上方制造有预定的功能电路。在一些实施例中，第一管芯101包括若干导线和通过导线连接的若干电部件，诸如晶体管、二极管等。

在操作402中，如图32b所示，第一介电材料103-1设置在第一管芯101周围。在一些实施例中，通过第一介电材料103-1至少部分地围绕第一管芯101。在一些实施例中，第一介电材料103-1覆盖第一管芯101。在一些实施例中，第一介电材料103-1包括模制材料或模塑料。

在操作403中，如图32c所示，第二管芯101设置在第一管芯101上方。在一些实施例中，第二管芯102垂直堆叠在第一管芯101上方。在一些实施例中，第一管芯101和第二管芯102具有基本相同或不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第二管芯102设置为如图1至图19中的任一附图所示的定向。在一些实施例中，第二管芯102偏离第一管芯101。在一些实施例中，第二管芯102相对于第一管芯101进行旋转。在一些实施例中，不存在第二管芯102的边缘与第一管芯101的边缘对准。

在操作404中，如图32d所示，第二介电材料103-2设置在第二管芯102周围。在一些实施例中，通过第二介电材料103-2至少部分地围绕第二管芯102。在一些实施例中，第二介电材料103-2覆盖第二管芯102。在一些实施例中，第二介电材料103-2包括模制材料或模塑料。在一些实施例中，第二介电材料103-2包括与第一介电材料103-1相同或不同的材料。在一些实施例中，第一介电材料103-1和第二介电材料103-2成为介电材料103。在一些实施例中，介电材料103围绕或封装第一管芯101和第二管芯102。

在一些实施例中，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305的互连结构形成在半导体结构中。为了易于说明和简洁，在图32a至图32d中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，可以在任何一个操作期间或在操作之间形成诸如rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305的互连结构并且以与上述或图1至图2中所示类似的方式对它们进行配置。

在一些实施例中，通过方法500形成半导体结构。方法500包括多步操作，并且不能将描述和说明视为操作顺序的限制。图33是制造半导体结构的方法500的实施例。方法500包括多个操作(501、502、503、504和505)。

在操作501中，如图33a所示，接收或提供第一管芯201。在一些实施例中，操作501类似于操作401。在操作502中，如图33b所示，第二管芯202设置为邻近第一管芯201。在一些实施例中，第二管芯202设置为水平地邻近第一管芯201。在一些实施例中，第二管芯202具有与第一管芯201类似的配置。在一些实施例中，第一管芯201和第二管芯202具有基本相同或不同的尺寸或形状。

在操作503中，如图33c所示，第一介电材料204-1设置在第一管芯201和第二管芯202的周围。在一些实施例中，通过第一介电材料204-1至少部分地围绕第一管芯201和第二管芯202。在一些实施例中，第一介电材料204-1覆盖第一管芯201和第二管芯202。在一些实施例中，第一介电材料204-1包括模制材料或模塑料。

在操作504中，如图33d所示，第三管芯203设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第三管芯203垂直堆叠在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第三管芯203具有与第一管芯201和第二管芯202基本相同或不同的尺寸或形状。在一些实施例中，第三管芯203设置为如图20至图27中的任一附图所示的定向。在一些实施例中，第三管芯203偏离第一管芯201或第二管芯202。在一些实施例中，第三管芯203横向设置在第一管芯201或第二管芯202上方。在一些实施例中，第三管芯203相对于第一管芯201或第二管芯202进行旋转。在一些实施例中，第三管芯203绕位于第一管芯201或第二管芯202上方的第三管芯203的角部旋转。在一些实施例中，不存在第三管芯203的边缘与第二管芯102的边缘或第一管芯101的边缘对准。在一些实施例中，第一介电材料204-1的第一部分204a设置在第一管芯201和第二管芯202之间。在一些实施例中，第三管芯203设置在第一部分204a上方。

在操作505中，如图33e所示，第二介电材料204-2设置在第三管芯203周围。在一些实施例中，通过第二介电材料204-2至少部分地围绕第三管芯203。在一些实施例中，第二介电材料204-2覆盖第三管芯203。在一些实施例中，第二介电材料204-2包括模制材料或模塑料。在一些实施例中，第二介电材料204-2包括与第一介电材料204-1相同或不同的材料。在一些实施例中，第一介电材料204-1和第二介电材料204-2成为介电材料204。在一些实施例中，介电材料103围绕或封装第一管芯202、第二管芯202和第三管芯203。

在一些实施例中，诸如上述或图1至图2中所示的rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305的互连结构形成在半导体结构中。为了易于说明和简洁，在图33a至图33e中未示出rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305。应该理解，可以在任何一个操作期间或在操作之间形成诸如rdl301、贯通孔302、导电柱303、导电凸块304和凸块焊盘305的互连结构并且以与上述或图1至图2中所示类似的方式对它们进行配置。

在本发明中，半导体结构包括彼此堆叠的至少两个管芯以及封装管芯的介电材料。管芯彼此未垂直对准。不存在一个管芯的边缘与另一管芯的边缘对准，并且因此，可以降低半导体结构的内部应力，以及可以最小化或防止管芯与模制件之间出现裂缝。

在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯、水平设置为邻近第一管芯的第二管芯、设置在第一管芯和第二管芯上方的第三管芯、以及围绕第一管芯和第二管芯的第一介电材料，其中，第一介电材料的一部分设置在第一管芯与第二管芯之间，并且第三管芯设置在电介质的该部分上方。

在实施例中，所述第三管芯的边缘的一部分沿着与所述第一管芯或所述第二管芯平行的方向从所述第一管芯的边缘或所述第二管芯的边缘突出。

在实施例中，所述第一管芯的边缘的一部分从所述第三管芯的边缘突出并且远离所述第二管芯，或所述第二管芯的边缘的一部分从所述第三管芯的边缘突出并且远离所述第一管芯。

在实施例中，所述第三管芯偏离所述第一管芯或所述第二管芯。

在实施例中，所述第一管芯和所述第二管芯具有相同的尺寸。

在实施例中，所述第三管芯具有与所述第一管芯的尺寸或所述第二管芯的尺寸基本不同的尺寸。

在实施例中，所述第三管芯的角部在所述第一管芯的角部或所述第二管芯的角部上方对准，并且所述第三管芯相对于所述第一管芯或所述第二管芯绕所述第三管芯的角部旋转。

在实施例中，半导体结构还包括围绕所述第三管芯的第二介电材料。

在实施例中，所述第一介电材料为模制件或包括模塑料。

在一些实施例中，第三管芯的边缘的一部分沿着与第一管芯或第二管芯平行的方向从第一管芯的边缘或第二管芯的边缘突出。在一些实施例中，第一管芯的边缘的一部分从第三管芯的边缘突出并且远离第二管芯，或第二管芯的边缘的一部分从第三管芯的边缘突出并且远离第一管芯。在一些实施例中，第三管芯偏离第一管芯或第二管芯。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯具有基本相同的尺寸。在一些实施例中，第三管芯具有与第一管芯的尺寸或第二管芯的尺寸基本不同的尺寸。在一些实施例中，第三管芯的角部在第一管芯的角部或第二管芯的角部上方对准，并且第三管芯相对于第一管芯或第二管芯绕第三管芯的角部旋转。在一些实施例中，半导体结构还包括围绕第三管芯的第二介电材料。在一些实施例中，第一介电材料或第二介电材料为模制件或包括模塑料。

在一些实施例中，半导体结构包括第一管芯、设置在第一管芯上方的第二管芯、以及围绕第一管芯或第二管芯的介电材料，其中，第二管芯的边缘的一部分从第一管芯的边缘横向突出，并且第二管芯的边缘的一部分设置在介电材料的一部分上方。

在实施例中，所述第二管芯的边缘的所述部分覆盖所述介电材料的所述一部分。

在实施例中，所述第二管芯的边缘偏离所述第一管芯的边缘。

在实施例中，所述第二管芯的角部从所述第一管芯突出。

在实施例中，所述第二管芯的角部设置在所述介电材料的所述一部分上方。

在实施例中，所述第二管芯的中心在所述第一管芯的中心上方对准，并且所述第二管芯相对于所述第一管芯绕所述第二管芯的中心旋转。

在实施例中，不存在所述第二管芯的边缘与所述第一管芯的边缘对准。

在实施例中，所述第一管芯和所述第二管芯的尺寸相同或形状相同。

在一些实施例中，第二管芯的边缘的一部分覆盖介电材料的一部分。在一些实施例中，第二管芯的边缘偏离第一管芯的边缘。在一些实施例中，第二管芯的角部从第一管芯突出。在一些实施例中，第二管芯的角部设置在介电材料的一部分上方。在一些实施例中，第一管芯的中心在第二管芯的中心上方对准，并且第二管芯相对于第一管芯绕第二管芯的中心旋转。在一些实施例中，不存在第二管芯的边缘与第一管芯的边缘对准。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯尺寸相同或形状相同。

在一些实施例中，制造半导体结构的方法包括提供第一管芯、将第二管芯设置为水平地邻近第一管芯、将第三管芯设置在第一管芯和第二管芯上方、以及设置介电材料以围绕第一管芯、第二管芯和第二管芯，其中，介电材料的一部分设置在第一管芯与第二管芯之间，并且第三管芯设置在电介质的部分上方。

在实施例中，设置所述第三管芯包括将所述第三管芯横向设置在所述第一管芯或所述第二管芯上方。

在实施例中，设置所述第三管芯包括使所述第三管芯绕所述第一管芯或所述第二管芯上方的所述第三管芯的角部旋转。

在一些实施例中，设置第三管芯包括将第三管芯横向设置在第一管芯或第二管芯上方。在一些实施例中，设置第三管芯包括使第三管芯绕第一管芯或第二管芯上方的第三管芯的角部旋转。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员能够更好地理解本发明的各个方面。本领域技术人员应该理解，他们可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。