1.一种将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于，该方法步骤如下：
(1)使用粘性聚合物将少数层二维材料转移至其表面的粘性聚合物上面；
(2)重复多次步骤(1)后获得二维堆垛异质结构；
(3)将表面粘有堆垛异质结构的粘性聚合物进行机械分离，置于温度为20-300℃的目标基片上，使堆垛结构融留；堆垛异质结构呈倒序浮于基片之上；
(4)将压在材料底部的聚合物全部挥发，完成将超薄二维材料置于堆垛材料顶层并放置于目标基片上的目的。
2.按照权利要求1所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：步骤(2)中多次转移的材料，为层状材料或二维原子晶体中的一种或多种。
3.按照权利要求1或2所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：步骤(2)中多次转移的材料，为以下物质中的一种或多种：石墨烯、氮化硼、黑磷、过渡金属硫化物、拓扑绝缘体。
4.按照权利要求3所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：所述过渡金属硫化物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二碲化钨中的一种或多种。
5.按照权利要求1所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：步骤(1)中所述粘性聚合物为双层结构，由柔性、固态的透明聚合物以及在较低温度下呈固态且具有粘性，但加热之后易融化成液态的聚合物构成。
6.按照权利要求1或5所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：所述粘性聚合物为PDMS/PPC双层结构，其中PDMS层为弧形基底。
7.按照权利要求6所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：所述PDMS层采用液滴的方式自然烘干。
8.按照权利要求1所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：步骤(4)中，将所得堆垛异质结构的基片置于真空退火炉中，进行真空退火，以将压在材料底部的聚合物全部挥发。
9.按照权利要求8所述将纯净超薄二维材料置于堆垛顶层的方法，其特征在于：步骤(4)中真空退火工艺为：真空度不低于10-1mbar，退火温度不低于100℃。