一种在GaN表面生长高K介质的方法与流程

技术总结
本发明公布了一种在GaN表面生长高K介质的方法，具体步骤如下：(1)对GaN表面进行常规有机清洗、RCA清洗；(2)采用ALD的方法生长一层AlON；(3)再生长一层HfAlON，(4)再一层HfO2介质；(5)最后进行高温退火处理。

技术研发人员：刘丽蓉;王勇;丁超
受保护的技术使用者：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
文档号码：201611141283
技术研发日：2016.12.12
技术公布日：2017.05.10