阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置的制作方法

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置。

背景技术：

为了提高薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)面板的显示品质，需要TFT面板更加精细化、每英寸所拥有的像素(Pixel)数目(Pixels Per Inch，PPI)更多。因此，使用铜配线取代原有的铝配线，而铜配线一般会采用湿法刻蚀，以形成需要的图形，而刻蚀液中水含量超过80％，使得铜配线在进行湿法刻蚀的过程中容易发生光阻在铜薄膜表面的脱落现象，导致无法顺利得到需要的图形，阵列基板制作失败。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置，用以避免在对金属层进行刻蚀过程中其表面光阻的脱落问题，从而提高阵列基板的制作成功率。

本申请实施例提供的一种阵列基板的制作工艺，包括：

形成第一金属层；

在所述第一金属层表面形成凹凸结构；

在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻；

对设置有所述光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀，形成第一金属图形。

本申请实施例提供的阵列基板的制作工艺，通过在第一金属层表面形成凹凸结构，然后在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻，从而增加第一金属层对其表面附着的光阻的粘附力，避免在对设置有光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀以形成源极、漏极的过程中的光阻脱落问题，进而使得制作过程可以顺利进行，提高了阵列基板的制作成功率。

可选地，所述第一金属层为源漏金属层，所述第一金属图形为包括源极、漏极的图形。

可选地，还包括：

在基板上制作栅极；

在栅极之上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作半导体层；

所述第一金属层设置在所述半导体层之上。

可选地，通过对所述第一金属层进行等离子体处理，在所述第一金属层表面形成凹凸结构。

可选地，利用含有卤素元素的气体，对所述第一金属层进行等离子体处理。

可选地，所述源漏金属层的材料为铜Cu。

可选地，所述颗粒状结构为CuClx固体结构。

可选地，所述含有卤素元素的气体为含有下列一种或多种元素的气体：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

可选地，对所述第一金属层进行等离子体处理时的温度低于200摄氏度。

可选地，所述刻蚀为湿法刻蚀。

可选地，所述栅极包括下列材料之一或组合：Cu、Ti、Mo、Al、W、Cr。

可选地，所述栅极绝缘层包括下列材料之一或组合：TiO₂、Yi₂O₃、Al₂O₃、SiNx、SiON、SiO₂。

可选地，所述半导体层的材料为a-Si，或者所述半导体层为氧化物半导体。

可选地，所述氧化物半导体为下列半导体之一：IGZO、IZO、IGO、GZO、ZnO、ITZO。

本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：

第一金属图形，其中在所述第一金属图形表面具有凹凸结构。

可选地，所述凹凸结构为颗粒状结构。

颗粒状结构可以进一步增加第一金属层对其表面附着的光阻的粘附力。

可选地，所述第一金属图形表面的凹凸结构的材料为金属卤化物。

可选地，所述第一金属图形包括栅极、和/或源极、和/或漏极。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的所述的阵列基板。

本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的所述的显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阵列基板及其制作工艺的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极、栅极绝缘层的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极、栅极绝缘层、半导体层的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的对图5所示的源漏金属层进行等离子体处理后得到的具有不平整的表面的源漏金属层的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层、光阻的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的对图6所示的结构进行湿法刻蚀后得到的结构示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置，用以避免在对源漏金属层进行刻蚀过程中其表面光阻的脱落问题，从而提高阵列基板的制作成功率。

参见图1，本申请实施例提供的一种阵列基板的制作工艺，包括：

S101、形成第一金属层；

S102、在所述第一金属层表面形成凹凸结构；

S103、在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻；

S104、对设置有所述光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀，形成第一金属图形。

本申请实施例提供的阵列基板的制作工艺，通过在第一金属层表面形成凹凸结构，然后在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻，从而增加第一金属层对其表面附着的光阻的粘附力，避免在对设置有光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀以形成源极、漏极的过程中的光阻脱落问题，进而使得制作过程可以顺利进行，提高了阵列基板的制作成功率。

可选地，所述第一金属层为源漏金属层，所述第一金属图形为包括源极、漏极的图形。

除了源漏金属层之外，所述第一金属层还可以为栅极金属层，即第一金属图形也可以用于形成栅极和栅线的图形。以下本申请实施例中以源漏金属层为例进行说明，但并不限于此。

可选地，还包括：

在基板上制作栅极；

在栅极之上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作半导体层；

所述第一金属层设置在所述半导体层之上。

可选地，所述凹凸结构具体为颗粒状结构。

当然，所述凹凸结构也可以为其他形状的结构，只要源漏金属层表面不是光滑的，都可以达到一定的提高光阻附着力的效果。

颗粒状结构可以进一步增加源漏金属层对其表面附着的光阻的粘附力。

可选地，通过对所述源漏金属层进行等离子体处理，在所述源漏金属层表面形成颗粒状结构。

可选地，利用含有卤素元素的气体，对所述源漏金属层进行等离子体处理。

可选地，所述源漏金属层的材料为铜(Cu)。

可选地，所述颗粒状结构为氯化铜(CuClx)固体结构。

可选地，所述含有卤素元素的气体为含有下列一种或多种元素的气体：氯气(Cl₂)、溴气(Br₂)、碘气(I₂)、氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)、碘化氢(HI)。

由于铜的卤素化合物在200度以上会成为气态，所以在进行铜的卤素等离子体处理的温度不高于200度。因此，当采用铜作为源漏金属层的材料时，对所述源漏金属层进行等离子体处理时的温度低于200摄氏度。

可选地，所述刻蚀为湿法刻蚀。

可选地，所述栅极包括下列材料之一或组合：Cu、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铬(Cr)。

可选地，所述栅极绝缘层包括下列材料之一或组合：TiO₂、Yi₂O₃、Al₂O₃、SiNx、SiON、SiO₂。

可选地，所述半导体层的材料为非晶硅(a-Si)，或者所述半导体层为氧化物半导体(Oxide semiconductor)。

可选地，所述氧化物半导体为下列半导体之一：铟镓锌氧化物(InGaZnO，IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、镓锌氧化物(GZO)、氧化锌(ZnO)、铟锡锌氧化物(ITZO)。

本申请实施例提供的一种阵列基板，采用本申请实施例所述的制作工艺制得，第一金属图形，其中在所述第一金属图形表面具有凹凸结构。

可选地，本申请实施例提供的阵列基板还包括：

位于基板之上的栅极；

位于所述栅极之上的栅极绝缘层；

所述半导体层位于所述栅极绝缘层之上。

可选地，所述第一金属层为源漏金属层，所述第一金属图形为包括源极、漏极的图形。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的所述的阵列基板。

本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的所述的显示面板。

以铜制作源极、漏极为例，本申请实施例涉及一种改善铜金属表面光阻(也可以称为光刻胶)粘附力的工艺，主要包括在衬底上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层，然后磁控溅射源漏金属层(铜)，并且对铜薄膜表面进行等离子体处理，使其表面改性形成颗粒状，增加光刻工艺中光阻与铜薄膜表面的粘附力，使在进行铜的湿法刻蚀过程中光阻不发生脱落。

具体实施方案包括：先形成半导体层，然后形成源漏极层，使用两道掩膜(Mask)工艺分别形成半导体层和源漏极层；也可以使用灰阶光(Half Tone)或者灰度投影(Gray Tone)工艺，即半导体层和源漏极层使用1道Mask形成。该掩膜工艺也可以应用在栅极(铜)的制作上。

如图2、图3、图4所示，在基板01上先后制作栅极(Gate)层02、栅极绝缘(GI)层03和半导体(Active)层04。其中，Gate层金属可以是Cu、Ti、Mo、Al、W、Cr等金属或者合金；GI层可以是TiO2、Yi2O3、Al2O3、SiNx、SiON、SiO2的一种或者复合层；Active层可以是a-Si，也可以是Oxide半导体，例如IGZO、IZO、IGO、GZO、ZnO、ITZO等一系列Oxide半导体。

如图5所示，使用磁控的方法制作源漏金属层05，即在半导体层04及栅极绝缘层03之上铺设铜薄膜。

然后，参见图6，进行Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI等含有卤素元素气体07中的一种或几种，对源漏金属层05表面进行等离子体处理，源漏金属层05表面会变成颗粒状的粗糙形态的颗粒状的CuClx固体08。

本申请实施例中，要求衬底(即用于承载制作阵列基板的过程中的产品的基台)温度低于200度，也就是说源漏金属层05表面的温度不能高于200度，因为CuClx等Cu的卤素化合物在200度以上容易在腔体中气化被抽走。

CuClx固体的形成公式如下：

Cu(s)+xCl→CuClx(s)

其中，s表示固态，即铜是固态的铜，x表示大于零的整数，例如为1或2等。

参见图7，在形成有CuClx固体08的源漏金属层05之上设置光阻06。

进行光刻工艺，并进行源漏极铜的湿法刻蚀。由于源漏金属层05表面形成有颗粒状的粗糙形态的CuClx固体08，这样可以大大增加源漏金属层05在湿法刻蚀过程中对光阻06的粘附力，使得光阻不发生脱落，从而如图8所示，顺利得到源极051和漏极052。

综上所述，本申请实施例利用铜薄膜经卤素等离子体(如Cl、Br、I等)处理表面，使其变成颗粒状的不均匀、不平整、不光滑的表面结构，从而在对铜进行湿法刻蚀以形成例如源极、漏极的过程中，增加其表面附着的光刻胶的粘附能力，成功制得源极和漏极等金属结构，提高整个产品的制作成功率，并且制作工艺简单，成本较低。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。