技术总结
本发明公开了一种VDMOS器件的制造方法，属于半导体分立器件制造技术领域。该方法通过将栅氧工艺安排在P体区注入和N+源区注入之后，用以避免现有技术中的高温过程，提高栅氧质量，同时，将P体区和N+源区注入光刻掩膜版合二为一，减少N+源区注入光刻版，节省成本，并采用LOCOS工艺增加在P体区间的氧化层厚度，提高器件的抗击穿能力和动态特性。该发明提高了VDMOS器件的抗辐照性能，同时使得VDMOS动态性能得到改善。
技术研发人员：郑莹
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十七研究所
文档号码：201611144025
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31