技术总结
公开了具有像素级偏置控制的spad阵列。本发明提供了一种包括感测元件的阵列的感测设备。每个感测元件包括：光电二极管，该光电二极管包括p‑n结；以及局部偏置电路，该局部偏置电路经耦接以在偏置电压下对p‑n结进行反向偏置，该偏置电压比p‑n结的击穿电压大一裕量，该裕量足以使得入射在p‑n结上的单个光子触发从感测元件输出的雪崩脉冲；以及偏置控制电路，该偏置控制电路经耦接以将感测元件中的不同感测元件中的偏置电压设置为大于击穿电压的不同的相应值。
技术研发人员：G·A·阿干诺夫;M·C·瓦尔登;万代新悟
受保护的技术使用者：苹果公司
文档号码：201611176089
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.06.27