技术特征：
技术总结
一种方法包括接收具有衬底及多个第一栅极结构和多个第二栅极结构的前体，多个第一栅极结构的间距大于多个第二栅极结构的间距，还包括沉积覆盖衬底以及多个第一和第二栅极结构的介电层；并对介电层实施蚀刻工艺。蚀刻工艺去除介电层的位于衬底上方的第一部分，而介电层的第二部分保留在多个第一和第二栅极结构的侧壁上方。介电层的第二部分在多个第二栅极结构的侧壁上方比在多个第一栅极结构的侧壁上方厚。还包括蚀刻衬底以形成分别邻近多个第一和第二栅极结构的多个第三和第四凹槽；以及分别在多个第三和第四凹槽中外延生长多个第五和第六半导体部件。本发明实施例涉及用于具有改进的源极漏极外延的半导体器件制造的方法。
技术研发人员：李威养;徐梓翔;陈定业;杨丰诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.10.03