发光二极管封装件的制作方法

本实用新型涉及发光二极管封装件，更详细而言，涉及一种在外壳上形成有反射面的发光二极管封装件。

背景技术：

发光二极管作为把借助电子与空穴的复合而发生的光释放到外部的无机半导体元件，最近正在显示装置、汽车灯、普通照明等多种领域中使用。这种发光二极管具有寿命长、耗电低、响应速度快的优点。因此，利用发光二极管的发光装置在多样的领域被用于光源。

以往的发光二极管封装件在发光二极管芯片配置于引线框架上的状态下，被外壳封装。而且，外壳的内侧壁具有预定的角度，以便从发光二极管芯片发光的光能够在封装的外壳的内侧壁反射。

此时，发光二极管芯片与引线框架的电气连接可以利用金属线，为了对发光二极管芯片进行引线键合，在发光二极管芯片与外壳的内侧壁之间，需要形成既定以上的空间。可是，在外壳的大小既定的状态下，为了确保供发光二极管芯片贴装的空间，外壳的内侧壁只能近于垂直地形成，因此，存在外壳的内侧壁无法更大地发挥作为反射面的作用的问题。

技术实现要素：

技术问题

本实用新型要解决的课题是提供一种能够通过在外壳的内侧壁中的反射而提高发光效率的发光二极管封装件。

技术方案

本实用新型提供一种发光二极管封装件，包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳还包括形成于上端的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，所述上端面与所述反射面之间形成有错层。

技术效果

根据本实用新型，舒缓地形成发光二极管封装件的外壳内侧壁的倾斜角度，因而能够提高发光二极管封装件的发光效率。

而且，如上所述，为了提高发光二极管封装件的发光效率而舒缓地形成外壳内侧壁的倾斜角度，因而防止能够贴装发光二极管芯片的引线框架的露出区域大小减小，为此，外壳内侧壁包括第1反射面及第2反射面，使第2反射面的倾斜角度大于第1反射面的倾斜角度，从而能够防止引线框架的露出区域的大小减小。

另外，加大作为反射面的外壳的内侧壁末端的倾斜角度，从而能够使可贴装发光二极管芯片的空间实现最大化。进一步地，使外壳内侧壁的末端角度为90以下，使得末端反射的光也释放到外部，从而能够提高发光二极管封装件的发光效率。

而且，外壳的上部面具有预定的宽度，并凸出使得与反射面具有错层，因而在向外壳的内侧填充密封材料并形成的过程中，能够防止密封材料溢出到外壳的外部。

进一步地，使角侧宽度更大于外壳上部面的侧面侧宽度，即使在制作工序中发生外部冲击，也能够防止发生外壳破裂等问题。另外，可以形成得外壳上部面的角侧的形状具有曲线，反射面的形状也具有曲线，使得能够提高发光二极管芯片发光的光在角侧的反射面进行反射的效率。

另外，第2区域在外壳上形成，使第2引线部件露出，使得在第1区域与第2区域之间，外壳凸出于上部而形成，因而发光二极管芯片释放的光不直接到达齐纳二极管，具有能够使因齐纳二极管导致的光损失实现最小化的效果。

另外，配置于第1区域与第2区域之间的隔壁的上面包括第1反射面、第2反射面及第2倾斜面，随着第2倾斜面从第2反射面向第2区域侧向下倾斜，使得把齐纳二极管引线键合于第1区域的第1引线部件的工序容易，引线的长度变短，从而具有能够减小因引线导致的光干扰的效果。

附图说明

图1是图示本实用新型第1实施例的发光二极管封装件的立体图；

图2是图示本实用新型第1实施例的发光二极管封装件的俯视图；

图3是沿图2的截取线AA′截取的剖面图。

图4是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件的立体图；

图5是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件的俯视图；

图6是沿图5的截取线AA′截取的剖面图。

图7是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件中包括密封材料的情形的示例图；

图8是图示本实用新型第3实施例的发光二极管封装件的立体图；

图9是图示本实用新型第3实施例的发光二极管封装件的俯视图；

图10是沿图2的截取线AA′截取的剖面图；

图11是图示本实用新型第4实施例的发光二极管封装件的剖面图；

图12是图示本实用新型第5实施例的发光二极管封装件的剖面图；

图13是图示本实用新型第6实施例的发光二极管封装件的剖面图；

图14是图示本实用新型第7实施例的发光二极管封装件的剖面图。

附图标记说明

100：发光二极管封装件

110：发光二极管芯片 120：引线框架

122：第1引线部件 124：第2引线部件

130：外壳 132：第1反射面

134：第2反射面 136：槽

138：上端面 139：隔壁

139a：第1倾斜面 139b：第2倾斜面

139c：垂直面 140：齐纳二极管

150：密封材料 h1、h2：第1区域、第2区域

具体实施方式

本实用新型一个实施例的发光二极管封装件可以包括：引线框架，其包括相互隔开的第1引线部件及第2引线部件；外壳，其支撑所述引线框架，包括使所述第1引线部件及第2引线部件中的任意一个以上的上面一部分露出的第1区域；及发光二极管芯片，其贴装于所述外壳的第1区域；所述外壳包括在上端形成的上端面和从所述外壳的外侧向所述第1区域侧倾斜地延伸的反射面，在所述上端面与所述反射面之间可以形成有错层。

而且，所述外壳的上端面可以包括包含第1直线与曲线的内廓线和包含第2直线的外廓线。

另外，所述曲线与邻接的第2曲线之间的距离可以大于所述第1直线与邻接的第2直线之间的距离。

而且，所述外壳上端面的外廓线可以为矩形形状。

另外，就所述外壳的上端面而言，所述外壳的侧面侧的宽度与角侧的宽度可以互不相同。

其中，所述角侧的宽度可以为所述侧面侧宽度的3倍至7倍。

而且，所述外壳可以还包括为了焊接所述发光二极管芯片而使所述第1引线部件及第2引线部件中的另一个的上面一部分露出的第2区域。

其中，可以还包括贴装于所述第2区域的齐纳二极管。

另外，可以还包括贴装于所述引线框架上并位于所述外壳内的齐纳二极管。

此时，所述发光二极管芯片可以包括：n型半导体层；p型半导体层；及介于所述n型半导体层及p型半导体层之间的活性层；可以还包括覆盖所述第1区域及反射面的密封材料。

而且，所述外壳可以具有两条以上的边，位于所述两条以上的边侧的所述反射面的宽度为邻接所述反射面的上端面的宽度的4倍至7倍。

下面参照附图，对本实用新型的优选实施例进行更具体说明。

图1是图示本实用新型第1实施例的发光二极管封装件的立体图，图2是图示本实用新型第1实施例的发光二极管封装件的俯视图，而且，图3是沿图2的截取线AA′截取的剖面图。

如图1及图2所示，本实用新型第1实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。

发光二极管芯片110具备一个以上，配置于引线框架120上。另外，借助于外部供应的电源，一个以上的发光二极管芯片110可以释放光，从发光二极管芯片110释放的光可以释放到外部。这种发光二极管芯片110如图3所示，包括n型半导体层116、活性层114及p型半导体层112。

n型半导体层116、活性层114及p型半导体层112可以分别包括III-V族系列的化合物半导体，作为一个示例，可以包括诸如(Al、Ga、In)N的氮化物半导体。在本实施例中，对在n型半导体层116上部形成有活性层114、在活性层114上部形成有p型半导体层112的情形进行说明，但根据需要，n型半导体层116和p型半导体层112的位置可以变更。

n型半导体层116可以包括n型不纯物(例如，Si)，p型半导体层112可以包括p型不纯物(例如，Mg)。活性层114介于n型半导体层116与p型半导体层112之间，可以包括多量子阱结构(MQW)。而且，就活性层114而言，其组成比可以调节，以便能够释放所需峰值波长的光。

在本实施例中，发光二极管芯片110可以包括电气连接于p型半导体层112的p型电极和电气连接于n型半导体层116的n型电极。虽然未特别地限定，但作为一个示例，n型电极可以通过贯通活性层114及p型半导体层112的过孔(via)等，电气连接于n型半导体层116。

引线框架120包括第1引线部件122及第2引线部件124，第1引线部件122及第2引线部件124以相互隔开的状态配置。引线框架120为平板形状，上面及底面可以均平坦。而且，第1引线部件122具有比第2引线部件124更宽阔的面积，发光二极管芯片110贴装于相对宽阔的第1引线部件122。引线框架120为了向发光二极管芯片110供应电源而配备，发光二极管芯片110与第1引线部件122及第2引线部件124可以分别借助于引线键合而电气连接。

在本实施例中，引线框架120如图3所示，可以具有侧面的上部比下部凸出的形状。即，第1引线部件122及第2引线部件124可以分别在侧面形成有错层，在第1引线部件122及第2引线部件124的侧面形成的错层可以具有上部从侧面凸出的形状。因此，第1引线部件122及第2引线部件124与外壳130的接触面积增大，从而可以提高结合力。

另外，随着第1引线部件122及第2引线部件124的侧面下部宽度小于侧面上部，使得露出于发光二极管封装件100下部的第1引线部件122及第2引线部件124的大小有可能减小。因此，在发光二极管封装件100下部露出的第1引线部件122及第2引线部件124的隔开间隔加宽，当外部装置与发光二极管封装件100电气结合时，能够使第1引线部件122及第2引线部件124电气短路的情形最小化。

外壳130具有分别包围第1引线部件122及第2引线部件124侧部的形状，以便支撑引线框架120。因此，第1引线部件122及第2引线部件124之间的隔开空间也被外壳130填补，第1引线部件122及第2引线部件124可以相互电气分离。其中，外壳130不以覆盖整个第1引线部件122及第2引线部件124的形状形成，而是具有使第1引线部件122的上面一部分露出的形状，根据外壳130的外形尺寸及形状，决定发光二极管封装件100的大小及形状。

外壳130具有在上部使第1引线部件122一部分露出并完全包围引线框架120侧部的形状，因而厚于引线框架120的厚度。另外，第1引线部件122越从露出区域向外侧，外壳130的厚度有可能会越厚。即，如图1及图3所示，外壳130的上部面为了在内侧中央配置发光二极管芯片110而形成有供第1引线部件122露出的第1区域h1，具备越向外壳130的外侧越向上倾斜的内侧面。

此时，外壳130的内侧面以向外侧方向向上倾斜的倾斜面形成，倾斜面包括第1反射面132及第2反射面134。第1反射面132从外壳130的外侧上端，向内侧方向向下倾斜地形成，占据外壳130的内侧面大部分。

其中，在如图2所示的俯视图中，第1区域h1的面积可以为发光二极管封装件100的全体面积的10％至30％。于是，第1区域h1的面积形成得越是小于发光二极管封装件100全体面积，第1反射面132在发光二极管封装件100中所占的面积有可能会越大，而第1反射面132的面积越大，发光二极管封装件100的发光效率会越提高。

此时，如果第1区域h1的面积大于发光二极管封装件100的全体面积的30％，则发光二极管封装件100的发光效率有可能会下降。另外，如果小于10％，则能够贴装于发光二极管封装件100的发光二极管芯片110的大小受限，使得发光二极管封装件100的利用性会下降，并且会使贴装发光二极管芯片110、进行引线键合的空间减小，在工序过程中可能发生不良。因此，如上所述，第1区域h1的面积为发光二极管封装件100全体面积的10％至30％会比较有利。

而且，如上所述，随着发光二极管封装件100的反射面132的面积加宽，第1区域h1的宽度相对减小，因此，在第1区域h1露出的第1引线部件122的面积减小。如此地，随着第1引线部件122的面积减小，即使第1引线部件122变色，与以往相比，第1引线部件122变色的面积减小，使得根据第1引线部件122的变色的发光二极管封装件100的发光效率会更好。

另外，如图2所示，如果比较第1区域h1的宽度与第1反射面132的宽度，则在发光二极管封装件100的平面上一个方向，相对于第1区域h1的宽度b1，第1反射面132的宽度b2可以约为33％至133％。即，在发光二极管封装件100的大小既定的状态下，第1区域h1的面积会因发光二极管芯片110的大小而异。因此，第1反射面132的面积也可以变化，但考虑到本实施例的发光二极管封装件100的发光效率，可以如上所述决定第1区域h1的宽度b1与第1反射面132的宽度b2的关系。

在本实施例中，在外壳130的上端形成有预定的面，在第1反射面132与外壳130的上端面之间可以形成有错层。即，外壳130的上端面可以比第1反射面132稍高地配置。随着如此在第1反射面132与外壳130的上端面之间形成有错层，当以覆盖发光二极管芯片110并覆盖第1反射面132的方式形成有密封材料时，形成得可以防止密封材料越过外壳130上端面而溢出到外部。

而且，第1反射面132的内侧末端可以位于第1引线部件122上部，使得与在外壳130内侧露出的第1引线部件122的上面形成错层。即，第1反射面132即使从外壳130的外侧上端越向内侧越倾斜，也不延伸至在第1区域h1露出的第1引线部件122上面。

如此地，随着第1反射面132不与在第1区域h1露出的第1引线部件122上面接触，相比于第1反射面132与第1引线部件122的上面接触的情形，第1反射面132可以具有相对舒缓的倾斜。

而且，第2反射面134从第1反射面132的内侧末端延伸，可以延伸得与在第1区域h1露出的第1引线部件122接触。此时，第2反射面134与露出的第1引线部件122接触的地点，可以与贴装于露出的第1引线部件122的发光二极管芯片110隔开既定距离以上。

另外，在外壳130的内侧倾斜面，可以在第1区域h1形成的位置的一部分上形成有槽136。在第1区域h1形成的槽136使第1引线部件122的一部分追加露出，在借助于槽136而露出的第1引线部件122的位置，可以键合引线。在本实施例中，在图中图示了槽136在第1区域h1的侧面中央形成的情形，但槽136可以在第1区域h1的角侧或其它侧面形成。

如此地，如果槽136配置于第1区域h1的侧面中央，则电气连接发光二极管芯片110与第1引线部件122的金属线的长度缩短，能够减小因金属线导致的光干扰。另外，如果槽136在第1区域h1的角侧形成，则可以以较小的大小形成槽136，随着槽136的大小减小，第1反射面132的面积会增大，使得能够提高发光二极管芯片110发光的光的反射率。

而且，在本实施例中，可以在第1反射面132形成有供第2引线部件124露出的第2区域h2。随着形成第2区域h2，第2引线部件124的上面一部分露出，齐纳二极管140可以贴装于露出的第2引线部件124的上面。另外，在第2区域h2露出的第2引线部件124可以借助于引线键合而与发光二极管芯片110电气连接。

齐纳二极管140的配备是用于防止发光二极管芯片110因外部供应电源而可能发生的静电而受到损伤。在本实施例中，对齐纳二极管140贴装于第2区域h2的情形进行说明，但根据需要，齐纳二极管140可以位于外壳130的内部而不露出于外部。另外，齐纳二极管140可以贴装于第1引线部件122及第2引线部件124中任意一处。

此时，齐纳二极管140在贴装于第1引线部件122及第2引线部件124中的任意一个的状态下，可以被外壳130封装，并且以借助于构成外壳130的树脂等来以完全覆盖的状态进行封装。如果齐纳二极管140如此封装于外壳130内，则齐纳二极管140不露出于外部，与齐纳二极管140露出于外部的情形相比，第1反射面132的面积会增加，能够提高发光二极管封装件100的发光效率。

而且，参照图3，对第1反射面132及第2反射面134进行更详细说明。

如上面所述的说明，第1反射面132从在外壳130的外侧上端面形成错层的位置，向发光二极管封装件100中央侧向下倾斜地形成。而且，从第1反射面132的内侧末端至第1区域h1的第1引线部件122上面形成有第2反射面134。此时，如图3所示，第1反射面132与第2反射面134具有互不相同的倾斜角度，第1反射面132的倾斜角度a可以小于第2反射面134的倾斜角度b(a＜b)。

如此地，随着倾斜角度b相对较大的第2反射面134在第1反射面132的内侧末端形成，可以最大限定地确保第1区域h1的大小。此时，第2反射面134的倾斜角度b可以具有45度至90度的角度(45≤b≤90)。因此，与第1反射面132以相同倾斜角度a延伸并与第1引线部件122接触的情形相比，随着形成第2反射面134，第1区域h1的宽度可以相对加宽，因此，对贴装于第1区域h1的发光二极管芯片110大小的自由度可以进一步加大。

此时，如果第2反射面134的倾斜角度小于45度，则能够在第1区域h1贴装发光二极管芯片110的空间相应减小，难以确保用于发光二极管芯片110贴装工序的空间和用于引线键合的空间。

另外，第1反射面132的内侧末端与第1引线部件122上面的距离，即，第2反射面134的高度d1可以小于发光二极管芯片110的厚度d3，更优选地，可以小于第1引线部件122的上面至发光二极管芯片110的活性层114的距离d2(d1＜d2＜d3)。即，第1反射面132内侧末端位置的高度d1可以位于低于发光二极管芯片110的高度d3的位置，可以低于n型半导体层116的高度d2，以便从发光二极管芯片110发光的光可以在第1反射面132反射。其中，第2反射面的高度d1可以为50μm至300μm。

其中，由于发光二极管芯片110的活性层114发生光并释放，因此，如果第2反射面134的内侧末端高度d1在高于活性层114位置d2的位置，那么从活性层114发光的光在第2反射面134反射的情形增多，因而发光二极管封装件100的发光效率会下降。这是因为第2反射面134倾斜角度大于第1反射面132，因而第2反射面134的反射效率会比第1反射面132的反射效率下降。

图4是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件的立体图，图5是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件的俯视图。而且，图6是沿图2的截取线AA′截取的剖面图，图7是图示本实用新型第2实施例的发光二极管封装件中包括密封材料的情形的示例图。

如果参照图4及图5，本实用新型第2实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第2实施例的发光二极管封装件进行说明，与第1实施例相同的说明省略。

在本实施例中，在外壳130的上端形成有预定的面，如图5所示，在第1反射面132与外壳130的上端面138之间可以形成有错层a1。即，外壳130的上端面138可以配置得稍高于第1反射面132。

在本实施例中，发光二极管封装件100如图7所示，可以还包括密封材料150。密封材料150可以以树脂或硅形成，可以覆盖发光二极管芯片110和第1反射面132及第2反射面134地形成。此时，密封材料150在制造过程中可以利用液态的密封材料150，可以在由液态密封材料150填充外壳130内侧的状态下硬化形成。在外壳130的上端面138与第1反射面132之间形成有错层a1，因而能够防止在此过程中，液态的密封材料150在覆盖发光二极管芯片110与第1反射面132及第2反射面134的过程中溢出到外壳130的外部。

即，在第1反射面132与外壳130的上端面138之间形成有错层a1，因而如图7所示，在覆盖发光二极管芯片110的同时覆盖第1反射面132地形成密封材料150时，能够防止密封材料150越过外壳130上端面138而溢出到外部形成。

再次参照图5，对外壳130的上端面138进行进一步说明。外壳130的上端面138在俯视图上以环绕发光二极管封装件100最外廓的方式形成，上端面138的内廓线决定第1反射面132的外廓形状。因此，如图所示，上端面138的外廓线为矩形形状，上端面138的内廓线具有直线形状的侧面与曲线形状的角侧相互延伸的形状。即，上端面138的内廓线可以具有类似于椭圆形的形状。

在本实施例中，外壳130的上端面138的宽度可以因位置而异。换句话说，在发光二极管封装件100侧面的上端面138宽度w1与在角侧的上端面138宽度w2可以互不相同，角侧的上端面138宽度w2可以大于侧面的上端面138宽度w1。即，在上端面138的内廓线具有直线形状的位置，上端面138的宽度w1具有既定宽度，在内廓线具有曲线形状的位置，与上端面138外廓线的宽度w2越向角侧，宽度可以越大。此时，外壳130的上端面138角侧的最大宽度w2与侧面宽度w1相比，可以为约3倍至7倍。

如此地，随着外壳130的上端面138宽度以从侧面越向角侧越大的方式形成，在制造发光二极管封装件100的工序中，诸如发光二极管封装件100之间碰撞的情形，即使对发光二极管封装件100施加外力，也能够使发生诸如外壳130破裂等不良的情形实现最小化。

其中，如果外壳130的上端面138角侧的最大宽度w2比侧面宽度w1小3倍，那么，当量产或运输发光二极管封装件100时，外壳130因相互碰撞或与其它装备冲突而破损的危险高。另外，如果大于7倍，则角侧的宽度w2过宽，因而反射面132的面积相对减小，因此，发光二极管封装件100的发光效率会下降。

另外，在本实施例中，对发光二极管封装件100具有四条边的情形进行说明。此时，在本实施例中，从位于四条边中至少两条边的上端面138侧延伸的反射面132宽度，与相应上端面138的宽度相比，可以为4倍至7倍。如此地，如果反射面132的宽度比相应上端面138宽度小于4倍，那么，上端面138的宽度相对加宽，反射面132的宽度变小，使得反射效率下降。另外，如果大于7倍，则反射面132的宽度过大，难以充分确保作为贴装发光二极管芯片110所需区域的第1区域h1的宽度，因此会使贴装发光二极管芯片110并进行引线键合的工序性下降。

图8是图示本实用新型第3实施例的发光二极管封装件的立体图，图9是图示本实用新型第3实施例的发光二极管封装件的俯视图。而且，图10是沿图2的截取线AA′截取的剖面图。

如果参照图8及图9，本实用新型第3实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第3实施例的发光二极管封装件进行说明，与第1实施例及第2实施例相同的说明省略。

在本实施例中，在第1反射面132可以形成有供第2引线部件124露出的第2区域h2。第2区域h2形成得使第2引线部件124的上面一部分露出，齐纳二极管140可以贴装于露出的第2引线部件124的上面。而且，在第2区域h2露出的第2引线部件124可以借助于引线键合而与发光二极管芯片110电气连接。

如上所述，可以把位于第1区域h1与第2区域h2之间的外壳130定义为隔壁139。隔壁139配置于第1引线部件122及第2引线部件124之间，以便使第1引线部件122与第2引线部件124电气绝缘，如图8至图10所示，具有比第1引线部件122及第2引线部件124更向上部凸出的形状。隔壁139的上面具有向第1区域h1侧倾斜的第2反射面134和在最上端从第2反射面134延伸的第1反射面132。而且，以第1反射面132为基准，可以在第2反射面134的相反侧具有第2倾斜面139b。

其中，隔壁139的高度可以大于齐纳二极管140的高度。因此，从发光二极管芯片110发光的光借助于隔壁139而可以不直接照射齐纳二极管140。

第2倾斜面139b从第1反射面132朝向在第2区域h2露出的第2引线部件124倾斜地形成，第2倾斜面139b与第2引线部件124可以不接触或接触。即，第2倾斜面139b可以与第2反射面134倾斜的倾斜度相反。

如此地，随着第2倾斜面139b形成，第2区域h2的上部空间可以加宽，因此，发光二极管芯片110与借助于第2区域h2而露出的第2引线部件124在借助于金属线而键合时的自由度会增大。

引线键合以在引线键合的位置把金属线从上部向下印来键合的方式实现，在此过程中，虽然第2区域h2的面积也会对工序有影响，但由于引线键合工序特性上的原因，第2区域h2的上部空间也会产生影响。即，随着在第2区域h2形成第2倾斜面139b，用于引线键合的装置可以从第2区域h2上部向第1区域h1侧自由地移动。

另外，随着在第2区域h2形成第2倾斜面139b，如图1所示，在第1区域h1和第2区域h2分别键合的金属线的长度可以缩短，能够减小因金属线导致的光干扰。

而且，如图10所示，第2倾斜面139b可以具有两个倾斜面，并不限定于此，可以具有一个倾斜面，可以具有更多倾斜面。另外，第2倾斜面139b在剖面上不以直线形成，而是可以以曲线形成。即，第2倾斜面139b可以以曲面形成。

在第2区域h2中，可以在与形成有第2倾斜面139b的相向的面形成有第1倾斜面139a。第1倾斜面139a是从位于第2区域h2外侧方向的第1反射面132向第2引线部件124方向向下倾斜的面。如此地，随着形成第1倾斜面139a，从发光二极管芯片110发光的光可以在第1倾斜面139a得到反射，反射到发光二极管封装件100的上部并释放。为此，第1倾斜面139a可以由反射面构成。

进一步地，当从第1倾斜面139a反射的光朝向第2倾斜面139b时，第2倾斜面139b也可以由反射面构成，以便在第2倾斜面139b再次得到反射，从而被释放到发光二极管封装件100的上部。

此时，第1倾斜面139a及第2倾斜面139b分别与第1反射面132相比，倾斜角度可以相对更大。另外，根据需要，第1倾斜面及第2倾斜面可以分别包括两个以上的倾斜面。如此地，随着第1倾斜面及第2倾斜面分别包括两个以上的倾斜面，可以更高效地反射从发光二极管芯片发光的光。

如上所述，随着形成第1倾斜面139a和第2倾斜面139b，可以有利于确保用于在第2区域h2贴装齐纳二极管140的空间。

图11是图示本实用新型第4实施例的发光二极管封装件的剖面图。

如果参照图11，本实用新型第4实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第4实施例的发光二极管封装件100进行说明，与第1实施例至第3实施例相同的说明省略。

在本实施例中，隔壁139具有比第1引线部件122及第2引线部件124更向上部凸出的形状。而且，隔壁139的上面132a具有与第1引线部件122及第2引线部件124的上面132a平行的面。隔壁139的上面132a的一侧与第3实施例中一样，可以形成有第2反射面134，另一侧可以形成有第2倾斜面139b。

图12是图示本实用新型第5实施例的发光二极管封装件的剖面图。

如果参照图12，本实用新型第5实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第5实施例的发光二极管封装件100进行说明，与第1实施例至第3实施例相同的说明省略。

在本实施例中，隔壁139具有比第1引线部件122及第2引线部件124更向上部凸出的形状。而且，隔壁139的上面具有向第1区域h1侧倾斜的第2反射面134和在最上端从第2反射面134延伸的第1反射面132。而且，以第1反射面132为基准，在第2反射面134的相反侧可以具有垂直面139c。此时，垂直面139c是沿垂直于第2引线部件124的方向形成的面。

在本实施例中，随着隔壁139具有垂直面139c，由于位于最上端的第1反射面132的面积有可能加大，发光二极管芯片110发光的光能够反射的面积增加，能够提高发光二极管封装件100的发光效率。

图13是图示本实用新型第6实施例的发光二极管封装件的剖面图。

如果参照图13，本实用新型第6实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第6实施例的发光二极管封装件100进行说明，与第1实施例至第3实施例相同的说明省略。

在本实施例中，隔壁139具有比第1引线部件122及第2引线部件124更向上部凸出的形状。而且，隔壁139的一侧可以具有向第1区域h1侧倾斜的第2反射面134，另一侧可以在第2反射面134的相反侧具有第2倾斜面139b。第2倾斜面139b向第2区域h2倾斜。因此，隔壁139的最上端可以借助于第2反射面134和第2倾斜面139b而具有尖锐的形状。

由于这种隔壁139的形状，第2倾斜面139b的角度与第3实施例相比可以具有相对舒缓的倾斜，因此，第2区域h2的上部空间可以加大，因此，对第2区域h2的引线键合的自由度可以加大。另外，第2倾斜面139b的倾斜舒缓，从第1倾斜面139a反射的光在第2倾斜面139b再得到反射并释放到发光二极管封装件100上部的情形相对升高，因而能够提高发光二极管封装件100的发光效率。

图14是图示本实用新型第7实施例的发光二极管封装件的剖面图。

如果参照图14，本实用新型第7实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、引线框架120、外壳130及齐纳二极管140。对本实用新型第7实施例的发光二极管封装件100进行说明，与第1实施例至第3实施例相同的说明省略。

在本实施例中，隔壁139具有比第1引线部件122及第2引线部件124更向上部凸出的形状。而且，隔壁139的一侧可以具有向第1区域h1侧倾斜的第2反射面134，另一侧可以在第2反射面134的相反侧具有垂直面139c。垂直面139c是沿垂直于第2引线部件124的方向形成的面。因此，隔壁139的最上端可以借助于第2反射面134和垂直面139c而具有尖锐的形状。

如此地，在本实施例中，随着隔壁139具有第2反射面134和垂直面139c，在隔壁139形成的第2反射面134可以具有比从另外的第2反射面(从第1反射面132直接延伸的第2反射面134)更舒缓的倾斜。因此，从发光二极管芯片110发光的光从第2反射面134得到反射，使得能够相对提高向发光二极管封装件100上部释放的发光效率。

如以上所作的说明，根据参照附图的实施例，对本实用新型进行了具体说明，但所述实施例只是列举本实用新型的优选示例进行说明，因而不得理解为本实用新型只局限于所述实施例，本实用新型应理解为本实用新型的技术方案及其等价概念。