1.一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，包括顶部栅电极(1)、顶部栅绝缘层(2)、场效应半导体层(3)、空穴传输层(4)、发光层(5)、漏电极修饰层(6)、源电极(701)、漏电极(702)、柔性衬底(8)；
其中：源电极、漏电极分别位于柔性衬底之上的两侧，漏电极修饰层覆盖于漏电极之上，源电极和漏电极中间形成沟道；空穴传输层位于衬底和源电极之上，占据柔性衬底一半的表面面积；发光层位于衬底和覆盖有漏电极修饰层的漏电极之上，占据柔性衬底的另一半的表面面积，空穴传输层和发光层边缘相互接触；场效应半导体层、顶部栅绝缘层、顶部栅电极依次叠置于空穴传输层和发光层之上。
2.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的顶部栅电极的材料为银纳米线。
3.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的顶部栅绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
4.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的场效应半导体层的材料为并五苯。
5.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的空穴传输层的材料为NPB。
6.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的发光层的材料为Alq3。
7.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的漏电极修饰层的材料为LiF。
8.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的源电极的材料为金属金，漏电极的材料为金属铝。
9.根据权利要求1所述的一种混合沟道的柔性有机发光场效应晶体管，其特征在于，所述的柔性衬底的材料为苯二甲酸乙二酯。