一种高强度太阳能硅片的制作方法

文档序号:12262434阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高强度太阳能硅片,包括硅片单元(1),所述硅片单元(1)均匀排列在硅晶基板(2)上,所述硅晶基板(2)设置在铝合金框(3)上,其特征在于:所述硅片单元(1)上方设有耐老化薄膜(19),所述耐老化薄膜(19)下方设有吸光层(12),所述吸光层(12)下方设有N型硅半导体(13),所述N型硅半导体(13)下方设有P型硅半导体(15),所述N型硅半导体(13)和P型硅半导体(15)之间形成了一PN结(14),所述N型硅半导体(13)的左侧接通上电极(11),所述P型硅半导体(15)的右侧接通下电极(16),所述P型硅半导体(15)下方设有防反射层(18)。

2.根据权利要求1所述的一种高强度太阳能硅片,其特征在于:所述防反射层(18)下方设有保护膜(17)。

3.根据权利要求1所述的一种高强度太阳能硅片,其特征在于:所述硅片单元(1)的表面设有栅格。

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