技术总结
一种Si衬底‑GaN外延的IGBT半导体器件，包括N+缓冲层(Si)，所述N+缓冲层(Si)的下方为P+衬底(Si)和集电极，在N+缓冲层(Si)上设置一层SiC界面层，在SiC界面层上设置GaN外延层。相比传统的Si材料，具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点，可以使IGBT器件工作在更大功率、更高电压、更高频率和更恶劣的高温环境中，使IGBT半导体器件的整体性能得到了提高。
技术研发人员：徐光
受保护的技术使用者：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
文档号码：201620883353
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2017.01.11