一种LED器件的制作方法

本实用新型涉及发光技术领域，尤其涉及一种LED器件。

背景技术：

近些年来，LED技术已经得到了显著的改进，已广泛应用到各个领域。现有的LED器件引脚电极的表面区域目前主要有镀金层和镀银层两种结构。然而，现有技术的这种LED器件结构具有以下缺点：(1)镀银层易氧化影响外观，且镀银层造成上锡不良；(2)镀金层虽能够解决易氧化的问题，但同样具有上锡不良的问题，且镀金层的成本很高。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点和不足，提供一种在引脚电极区的表面区域镀锡层的LED器件，成本低，上锡性好，且不易氧化。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种LED器件，包括LED支架、LED芯片、封装胶层，所述LED芯片设置于所述LED支架上，所述封装胶层包覆LED芯片，所述LED支架的未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域设置有锡层。

相对于现有技术，本实用新型的LED器件在LED支架的未被封装胶层覆盖的金属区域采用电镀锡处理，在LED支架的金属区域表面形成锡层，与锡膏兼容性好，提高可焊性。并且，镀锡与镀金相比，具有价格优势，且能保护线路基板电极不被氧化，镀锡与镀银相比，能够解决氧化和上锡不良的问题。

进一步，所述LED支架为PCB线路基板或金属支架，所述LED支架至少包括两个相互电性绝缘的电极区。

进一步，所述LED支架为PCB线路基板，所述PCB线路基板包括两个相互电性绝缘的电极区，每一个电极区分别包括顶部电极区、侧面电极区和底部电极区，所述侧面电极区将顶部电极区和底部电极区连接成一体结构。

进一步，所述顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的金属区域均镀有锡层。

进一步，所述侧面电极区为自外向所述支架内部凹陷的1/2圆柱侧面。

或者，所述LED支架为TOP-LED支架，所述TOP-LED支架包括金属支架以及包裹所述金属支架的杯罩；所述金属支架包括金属引脚和金属管脚；所述金属引脚嵌入杯罩内，所述金属管脚外露在杯罩之外。

进一步，所述金属引脚和金属管脚表面设置有锡层。

进一步，所述锡层的厚度为(1-7)μm。

进一步，所述封装胶层为透明封装胶层或所述LED芯片为蓝光芯片时，所述封装胶层中混有黄色荧光粉。

一种用于制造LED器件的LED支架阵列，所述LED支架阵列包括多个LED支架，所述LED支架至少包括两个相互电性绝缘的电极区，每一个电极区分别包括顶部电极区、侧面电极区和底部电极区，所述侧面电极区将顶部电极区和底部电极区连接成一体结构实现电性连接，所述LED支架的顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域均设置有锡层。

进一步，所述LED支架为PCB线路基板，所述相邻PCB线路基板之间设置有锣槽，所述LED支架阵列的底部电极区、锣槽侧面和线路基板顶部边缘区设置有锡层。

或者，所述LED支架为PCB线路基板，所述横向或纵向相邻的PCB线路基板之间开设有贯穿所述LED支架阵列的贯穿孔，所述贯穿孔侧壁为PCB线路基板的侧面电极区，所述LED支架阵列的底部电极区、贯穿孔侧壁和线路基板顶部贯穿孔边缘区设置有锡层。

为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本实用新型。

附图说明

图1是本实用新型实施例1中片式LED器件的结构示意图；

图2是本实用新型实施例1中的PCB线路板的结构示意图；

图3是实施例1中在封装胶体之前镀锡各步骤对应的结构示意图；其中，图3(a)和图3(b)分别是S11中在LED支架阵列镀锡后的LED支架阵列的正面图和背面图；

图4是实施例1中在封装胶体之后镀锡各步骤对应的结构示意图；其中，图4(a)和图4(b)分别是S24中在LED支架阵列镀锡后的单个线路基板的正面图和背面图；

图5是本实用新型实施例2中的PCB线路板的结构示意图；

图6是实施例2中在封装胶体之前镀锡各步骤对应的结构示意图；

图7是实施例2中在封装胶体之后镀锡各步骤对应的结构示意图；其中，图7(a)和图7(b)分别是S31中在LED支架阵列镀锡后的LED支架阵列的正面图和背面图；

图8是实施例2中片式LED器件的结构示意图；其中，图8(a)和图8(b)分别是LED支架阵列镀锡后的单个线路基板的正面图和背面图；

图9是本实用新型实施例3中TOP-LED器件的结构示意图。

具体实施方式

实施例1

请参阅图1，其是本实用新型实施例1中片式LED器件的结构示意图。所述LED器件包括LED支架10、LED芯片20、封装胶层30。所述LED芯片20设置于LED支架10上，所述封装胶层30设置于LED支架10上，并且封装胶层30包覆LED芯片20。所述LED支架10的未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域镀设置有锡层40。

所述LED支架可以为PCB线路基板或者是金属支架，所述LED支架至少包括两个相互电性绝缘的电极区。本实施例中，所述LED支架是PCB线路基板，所述PCB线路基板包括两个相互电性绝缘的电极区13，每一个电极区分别包括顶部电极区131、侧面电极区132和底部电极区133，所述侧面电极区132将顶部电极区131和底部电极区133连接成一体结构可实现电性连接。所述LED器件的顶部电极区131、侧面电极区132和底部电极区133未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层40，所述锡层40的厚度为(1-7)μm，若锡层40的厚度小于1μm，锡层40的厚度太薄会导致锡层40不能均匀覆盖在金属层上而出现上锡不良等问题，若锡层40的厚度太厚，会浪费材料导致成本增加。

所述LED器件为单色器件、双色器件、全彩器件或白色器件。所述LED器件为发白光的LED器件时，白光实现方式不做限制，本实施例中，优选所述LED芯片20为蓝光芯片，所述封装胶层30中混有黄色荧光粉。所述LED器件为单色的LED器件时，所述LED芯片20可以为任意颜色，比如所述LED芯片为红光LED芯片、橙色LED芯片、黄色LED芯片、绿光LED芯片或蓝光LED芯片等，LED芯片的颜色不限于本实施例，所述封装胶层30为透明封装胶层。所述LED器件为双色器件时，所述LED芯片中的任意两种颜色混合，所述封装胶层30为透明封装胶层。所述LED器件为全彩器件时，所述LED芯片为红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片混合，所述封装胶层30为透明封装胶层。

本实施例中，所述LED器件上形成锡层的方法主要包括两种，在封装胶体之前或在封装胶体之后。所述LED器件是由封装完的LED支架阵列通过切割形成的单个器件。若是所述LED器件上形成锡层在封装胶体之前，则是在LED支架阵列上形成锡层，具体结构如下：所述LED支架阵列包括多个LED支架，所述LED支架至少包括两个相互电性绝缘的电极区。本实施例中，所述LED支架是PCB线路基板但不局限于此，所述PCB线路基板包括两个相互电性绝缘的电极区，每一个电极区分别包括顶部电极区、侧面电极区和底部电极区，所述侧面电极区将顶部电极区和底部电极区连接成一体结构可实现电性连接。所述LED支架的顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层。

请参阅图2，其是所述PCB线路板的结构示意图。所述LED支架阵列由多个PCB线路基板按阵列方式均匀排布而成，所述相邻PCB线路基板之间设置有锣槽14。

具体的，在封装胶体之前镀锡的方法包括以下几个步骤：

S11：在LED支架阵列的底部电极区、锣槽14侧面和线路基板顶部边缘区设置有锡层；

S12：在LED支架阵列顶部固晶区固定LED芯片，然后进行焊线；

S13：在LED支架阵列顶部封装胶体，形成封装胶层，使封装胶层包覆LED芯片；

S14：将S13封装完成的LED支架阵列进行横向划片，得到单个器件。此时，所述LED支架阵列中的锣槽的侧面为切割形成的器件中的PCB线路基板的侧面电极区。

请参阅图3，其是在封装胶体之前镀锡各个步骤对应的结构示意图，图3(a)和3(b)分别是S11中在LED支架阵列镀锡后的LED支架阵列的正面图和背面图。

在封装胶体后镀锡的方法包括以下几个步骤：

S21：在LED支架阵列顶部固晶区固定LED芯片，然后进行焊线；

S22：在LED支架阵列顶部封装胶体，形成封装胶层，使封装胶层包覆LED芯片；

S23：将S22封装完成的LED支架阵列进行横向划片，得到单个器件；

S24：将S23中得到的单个器件进行镀锡处理，使单个器件的所有外漏的金属区域表面设置有锡层40。

所述步骤S23和S24顺序可以交换。

请参阅图4，其是在封装胶体之后镀锡各个步骤对应的结构示意图，图4(a)和4(b)分别是S24中在LED支架阵列镀锡后的单个线路基板的正面图(图中未示LED芯片、焊线及封装胶层)和背面图。

S24步骤中，可以通过滚镀方式将单个器件放入锡槽中，使单个器件的所有外漏的金属区域表面设置有锡层40。

通过上述两种方式得到的LED器件，所述LED器件未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层。即，所述PCB线路基板的顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层。

相对于现有技术，本实用新型的LED器件在线路基板的未被封装胶层覆盖的所有金属区域采用电镀锡处理，在线路基板的金属区域表面形成锡层，与锡膏兼容性好，提高可焊性。并且，镀锡与镀金相比，具有价格优势，且能保护线路基板电极不被氧化，镀锡与镀银相比，能够解决氧化和上锡不良的问题。

实施例2

本实施例所述的LED器件的制造方法与实施例1中所述的LED器件的制造方法大致相同，其不同之处在于所述LED支架阵列的结构不同。上述实施例中，所述LED器件上形成锡层的方法包括两种，分别为封装前和封装后；本实施例中，所述LED器件上形成锡层的方法包括两种，分别也是封装前和封装后。

请参阅图5，其是本实用新型实施例2中LED器件的结构示意图。所述LED器件包括LED支架10、LED芯片20、封装胶层30。所述LED芯片20设置于LED支架10上，所述封装胶层30设置于LED支架10上，并且封装胶层30包覆LED芯片20。所述LED支架10的未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域设置有锡层40。

所述LED支架的两个相对的侧面至少包括两个相互电性绝缘的电极区，本实施例中，所述LED支架包括两个相互电性绝缘的电极区13，每一个电极区分别包括顶部电极区131、侧面电极区(图未示)和底部电极区133，所述两个侧面电极区的横截面是通过切割贯穿孔而形成的弧形。在本实施例中，所述侧面电极区为自外向所述支架内部凹陷的1/2圆柱侧面。所述LED器件未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层40，在本实施例中，所述LED器件的顶部电极区131、侧面电极区和底部电极区133未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层40，所述锡层40的厚度为(1-7)μm，若锡层40的厚度小于1μm，锡层40的厚度太薄会导致锡层40不能均匀覆盖在金属层上而出现上锡不良等问题，若锡层40的厚度太厚，会浪费材料导致成本增加。

本实施例中，所述LED器件上形成锡层的方法主要包括两种，在封装胶体之前或在封装胶体之后。所述LED器件是由封装完的LED支架阵列通过切割形成的单个器件。若是所述LED器件上形成锡层在封装胶体之前，则是在LED支架阵列上形成锡层，所述LED支架阵列包括多个LED支架，所述LED支架至少包括两个相互电性绝缘的电极区。本实施例中，所述LED支架是PCB线路基板但不局限于此，所述PCB线路基板包括两个相互电性绝缘的电极区，每一个电极区分别包括顶部电极区、侧面电极区和底部电极区，所述侧面电极区将顶部电极区和底部电极区连接成一体结构可实现电性连接。所述LED支架的顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层。

请参阅图6，其是所述PCB线路板的结构示意图。所述LED支架阵列由多个PCB线路基板按阵列方式均匀排布而成，所述横向或纵向相邻的PCB线路基板之间开设有贯穿所述LED支架阵列的贯穿孔16。

在本实施例中，具体的，在封装胶体之前镀锡的方法包括以下几个步骤：

S31：在LED支架阵列的底部电极区、贯穿孔16侧壁和线路基板顶部贯穿孔16边缘区设置有锡层；

S32：在LED支架阵列的顶部固晶区固定LED芯片，然后进行焊线；

S33：在LED支架阵列顶部封装胶体，形成封装胶层，使封装胶层包覆LED芯片；

S34：将S33封装完成的LED支架阵列进行横向和纵向划片，得到单个器件。此时，所述LED支架阵列中的贯穿孔的1/2圆柱侧壁为切割形成的器件中的PCB线路基板的侧面电极区。

请参阅图7，其是在封装胶体之前镀锡各个步骤对应的结构示意图，图7(a)和7(b)分别是S31中在LED支架阵列镀锡后的LED支架阵列的正面图和背面图。

在封装胶体后镀锡的方法包括以下几个步骤：

S41：在LED支架阵列顶部固晶区固定LED芯片，然后进行焊线；

S42：在LED支架阵列顶部封装胶体，形成封装胶层，使封装胶层包覆LED芯片；

S43：将S42封装完成的LED支架阵列进行横向和纵向划片，得到单个器件；

S44：将S43中得到的单个器件进行镀锡处理，使单个器件的所有外漏的金属区域表面设置有锡层40。

所述步骤S43和S44顺序可以交换。

请参阅图8，其是在封装胶体之后镀锡各个步骤对应的结构示意图，图8(a)和8(b)分别是LED支架阵列镀锡后的单个线路基板的正面图(图中未示LED芯片、焊线及封装胶层)和背面图。

所述片式LED器件是通过上述方法纵向沿贯穿孔16的中间和横向沿着相邻的PCB线路基板的中间位置进行切割，形成单个器件。

通过上述两种方法得到的LED器件，所述LED器件未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域均设置有锡层40。在本实施例中，所述LED器件的顶部电极区、侧面电极区和底部电极区未被封装胶层覆盖的金属区域均设置有锡层40。

实施例3

请参阅图9，其是本实用新型实施例3中TOP-LED器件。所述LED器件包括LED支架10、LED芯片20、封装胶层30。所述LED芯片20设置于LED支架10上，所述封装胶层30设置于LED支架10上，并且封装胶层30包覆LED芯片20。所述LED支架10的未被封装胶层覆盖的至少部分金属区域设置有锡层40。

在本实施例中，所述LED支架10为TOP-LED支架但不局限于此。所述TOP-LED支架包括金属支架11以及包裹所述金属支架11的杯罩12。所述金属支架11包括金属引脚111和金属管脚112。所述金属引脚111嵌入杯罩12内，所述金属管脚112外露在杯罩12之外。所述金属引脚111用于承载LED芯片20，所述金属管脚112作为电极。所述杯罩12设置有反射杯121，所述LED芯片20设置于反射杯121内。所述封装胶层30覆盖LED芯片20并设置于反射杯121内。所述金属支架11的金属引脚111和金属管脚112表面均设置有锡层40。所述锡层的厚度为(1-7)μm。

相对于现有技术，本实用新型的LED器件在TOP-LED支架的的未被封装胶层覆盖的所有金属区域采用电镀锡处理，在金属引脚和金属管脚表面形成锡层，与锡膏兼容性好，提高可焊性。并且，镀锡与镀金相比，具有价格优势，且能保护线路基板电极不被氧化，镀锡与镀银相比，能够解决氧化和上锡不良的问题。

本实用新型并不局限于上述实施方式，如果对本实用新型的各种改动或变形不脱离本实用新型的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本实用新型的权利要求和等同技术范围之内，则本实用新型也意图包括这些改动和变形。