1.一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：
低熔点合金层，该低熔点合金层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；
第一涂层，该第一涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第一侧；以及
第二涂层，该第二涂层大致覆盖所述低熔点合金层的所述第二侧。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：至少一个导热层，所述至少一个导热层连接在所述低熔点合金层与所述第一涂层或所述第二涂层中的一个涂层之间。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金层是第一低熔点合金层，所述装置还包括连接至所述导热层的第二低熔点合金层。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述导热层是第一导热层，所述装置还包括由石墨形成的至少一个第二导热层。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金层是第一低熔点合金层，所述装置还包括第二低熔点合金层。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：至少一个导热层，所述至少一个导热层连接在所述第一低熔点合金层与所述第二低熔点合金层之间。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述导热层由石墨形成。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述导热层被配置为连接至基准电位并且提供对所述电子组件的屏蔽。
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：
所述导热层是金属层。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述低熔点合金层具有大约0.1mil至大约10mil之间的厚度。
11.一种包括电子组件和根据权利要求1至10中的任一项所述的、连接至所述电子组件的装置的组装件。
12.一种用于吸收来自电子组件的能量的装置，其特征在于，该装置包括：
第一导热层，该第一导热层包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；
两个或更多个低熔点合金层，一个低熔点合金层连接至所述第一导热层的所述第一侧，另一个低熔点合金层连接至所述第一导热层的所述第二侧；
两个或更多个石墨层，一个石墨层连接至所述一个低熔点合金层，另一个石墨层连接至所述另一个低熔点合金层；以及
两个或更多个涂层，一个涂层大致覆盖所述一个石墨层的一侧，另一个涂层大致覆盖所述另一个石墨层的一侧。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一导热层由石墨形成。
14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一导热层是金属层。
15.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，将所述石墨层中的至少一个石墨层配置为连接至基准电位并且提供对所述电子组件的屏蔽。
16.一种包括电子组件和根据权利要求12至15中的任一项所述的、连接至所述电子组件的装置的组装件。
17.一种组装件，其特征在于，该组装件包括：
电子组件，该电子组件被配置为产生能量；以及
导热层，该导热层由第二侧和连接至所述电子组件的第一侧限定，所述导热层被配置为吸收由所述电子组件产生的能量。
18.根据权利要求17所述的组装件，其特征在于，所述导热层被配置为在不需要连接至所述导热层的散热装置的情况下，耗散所吸收的能量。