技术总结
本实用新型公开了一种电子器件，所述电子器件可包括衬底以及被所述衬底横向地包围的绝缘结构。一方面，所述电子器件可包括被所述绝缘结构和所述衬底横向地包围的第一导电结构或有源区域。另一方面，所述电子器件可包括被所述绝缘结构包围的电感器。根据本公开的实施例，可以提供电子器件的进一步改进、设计的灵活性和/或高的设备生产量。
技术研发人员：G·M·格里弗纳
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201621056793
技术研发日：2016.09.14
技术公布日：2017.08.15