一种适用于管式PECVD的石墨舟的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池片制备技术领域，尤其涉及一种适用于管式PECVD的石墨舟。

背景技术：

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

现有技术中，晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括：清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中，沉积减反射膜是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序。目前，氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜，同时也起到表面钝化和体内钝化的作用，以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中，制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中，需要使用一种承载硅片的石墨舟。

现有的石墨舟，如图1所示，包括石墨舟舟片1’，石墨舟舟片1’沿其长度方向间隔设置有复数个卡槽2’，卡槽2’的四边上分布有三个卡点，分别为第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’，第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’分别位于卡槽2’的其中三边上；如图2所示，硅片6’则放置于卡槽2’处，垂直于第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’放置其上，进而承载硅片6’，以防止硅片6’掉落；最终对硅片6’的侧面进行镀膜形成氮化硅薄膜，该氮化硅薄膜在钝化和减反射方面起到了非常重要的作用。

然而，该石墨舟的三个卡点，其中第一卡点3’位于右侧边靠上侧位置，第二卡点4’位于左侧边靠下侧位置，第三卡点5’则位于底边靠左侧位置，第二卡点4’、第三卡点5’非常靠近，因而此时硅片6’从上侧滑入第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’形成的空间时，右侧通过第一卡点3’限位，左侧下部通过第二卡点4’限位，底部通过第三卡点5’支撑，由于第一卡点3’距离第二卡点4’和第三卡点5’都较远，从而导致左上角和右下角的位置处具有较大面积的悬空(未支撑)，从而导致硅片6’在石墨舟内和石墨舟舟片1’贴合不够紧密，从而无法保证镀膜均匀性，影响镀膜效果，最终影响电池片的导电性。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提出一种适用于管式PECVD的石墨舟，能够提高硅片在石墨舟内和石墨舟舟片的贴合紧密程度，从而保证镀膜均匀性，提高导电性。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种适用于管式PECVD的石墨舟，包括石墨舟舟片，所述石墨舟舟片上沿所述石墨舟舟片的长度方向间隔开设有复数个卡槽，每个所述卡槽的外边缘均设置有用于放置硅片的卡点，所述卡点包括位于所述卡槽的一侧部的第一卡点、位于所述卡槽的另一侧部的第二卡点及位于所述卡槽的底部的第三卡点，其中，

所述第一卡点位于区域d，所述区域d为所述第一卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；

所述第二卡点位于区域c，所述区域c为所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，1)之间的区域；

所述第三卡点位于区域b，所述区域b为所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[1/2，1)之间的区域。

其中，所述第二卡点位于所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；

所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[1/2，3/4]之间的区域。

其中，所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a的1/2位置处。

其中，所述第一卡点和所述第二卡点分别位于所述硅片的两个侧边的同一高度位置处，以使所述第一卡点、所述第二卡点及所述第三卡点依次连接后形成等腰或等边三角形。

其中，所述卡点还包括位于所述卡槽的底部的第四卡点，

所述第四卡点位于区域h，所述区域h为所述第四卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的(0，1/2]之间的区域。

其中，所述第二卡点位于所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域。

其中，所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[5/8，7/8]之间的区域；

所述第四卡点位于所述第四卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[1/8，3/8]之间的区域。

其中，所述第一卡点和所述第二卡点分别位于所述硅片的两个侧边的同一高度位置处，所述第三卡点和所述第四卡点分别对称设置于所述硅片的底边的中点的两侧，以使所述第一卡点、所述第二卡点、所述第三卡点及所述第四卡点依次连接后形成等腰梯形。

其中，所述卡点与所述石墨舟舟片为一体式结构。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型的适用于管式PECVD的石墨舟，通过在卡槽的两侧及底部设置第一卡点、第二卡点、第三卡点三个卡点，在硅片从上侧放入时，三个卡点可以在三个方位实现对硅片的支撑固定，另外，第一卡点位于区域d，区域d为第一卡点对应的硅片的侧边的边长从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；第二卡点位于区域c，区域c为第二卡点对应的硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，1)之间的区域；第三卡点位于区域b，区域b为第三卡点对应的硅片的底边的边长a从左至右的[1/2，1)之间的区域，由此设计，使得第一卡点在硅片一侧部靠上位置处支撑，第二卡点在硅片另一侧部靠上位置处支撑，第三卡点在硅片的底部靠右位置处支撑，从而第一卡点、第二卡点、第三卡点之间依次连接后形成的三角形面积占硅片总面积的比例明显变大，进而使得硅片在石墨舟内和石墨舟舟片更加紧贴，改善了导电性，从而提高了镀膜的均匀性，同时也减少了掉片，降低了返工比例。

附图说明

图1是现有技术中的石墨舟的结构示意图。

图2是图1中的石墨舟放置硅片后的结构示意图。

图3是本实用新型的石墨舟的一种结构示意图。

图4是图3中的石墨舟的优选实施例的结构示意图。

图5是本实用新型的石墨舟的另一种结构示意图。

图6是图5中的石墨舟的优选实施例的结构示意图。

图中：

1’、石墨舟舟片；2’、卡槽；3’、第一卡点；4’-第二卡点；5’、第三卡点；6’、硅片；

1、石墨舟舟片；2、卡槽；3、第一卡点；4、第二卡点；5、第三卡点；6-硅片；7、第四卡点。

具体实施方式

下面结合附图3-6并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

需要说明的是，在本实用新型中，方位“上”、“下”、“左”、“右”均是以附图中所展示的放置角度来定义的，该方位仅用来便于描述区间数值，并不用于限定其数值。在本实用新型中，从观察者的角度来看，左手对应的方位则为左，右手对应的方位则为右，头部对应的方位则为上，脚部对应的方位则为下。

如图3至6所示，一种适用于管式PECVD的石墨舟，包括石墨舟舟片1，所述石墨舟舟片1上沿所述石墨舟舟片1的长度方向间隔开设有复数个卡槽2，每个所述卡槽2的外边缘均设置有用于放置硅片6的卡点，所述卡点包括位于所述卡槽2的一侧部的第一卡点3、位于所述卡槽2的另一侧部的第二卡点4及位于所述卡槽2的底部的第三卡点5，其中，

所述第一卡点3位于区域d，所述区域d为所述第一卡点3对应的所述硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；

所述第二卡点4位于区域c，所述区域c为所述第二卡点4对应的所述硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，1)之间的区域；

所述第三卡点5位于区域b，所述区域b为所述第三卡点5对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的[1/2，1)之间的区域。

该石墨舟，通过在卡槽2的两侧及底部设置第一卡点3、第二卡点4、第三卡点5三个卡点，在硅片6从上侧放入时，三个卡点可以在三个方位实现对硅片的支撑固定。

另外，该石墨舟的卡点不同于现有技术中的卡点支撑，其第一卡点3位于区域d，区域d为第一卡点3对应的硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；第二卡点4位于区域c，区域c为第二卡点4对应的硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，1]之间的区域；第三卡点5位于区域b，区域b为第三卡点5对应的硅片6的底边的边长a从左至右的[1/2，1]之间的区域，由此设计，使得第一卡点3在硅片6一侧部靠上位置处支撑，第二卡点4在硅片6另一侧部靠上位置处支撑，第三卡点5在硅片6的底部靠右位置处支撑，从而第一卡点3、第二卡点4、第三卡点5之间依次连接后形成的三角形面积占硅片6总面积的比例明显变大，进而使得硅片6在石墨舟内和石墨舟舟片1更加紧贴，改善了导电性，从而提高了镀膜的均匀性，同时也减少了掉片，降低了返工比例。

如图3所示，作为本实用新型的一种优选实施方式，所述第二卡点4位于所述第二卡点4对应的所述硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；所述第三卡点5位于所述第三卡点5对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的[1/2，3/4]之间的区域；此时，第一卡点3位于区域d，区域d为第一卡点3对应的硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域。进而，第一卡点3、第二卡点4均选取靠近硅片6的中上位置处的值，从而能够较好的分配三个卡点对硅片的支撑力，进而提高硅片与石墨舟舟片的贴合程度。

优选的，在本实施例中，如图4所示，所述第三卡点5位于所述第三卡点5对应的所述硅片6的底边的边长a的1/2位置处，此时，所述第一卡点3和所述第二卡点4分别位于所述硅片6的两个侧边的同一高度位置处，以使所述第一卡点3、所述第二卡点4及所述第三卡点5依次连接后形成等腰或等边三角形。

如图5所示，作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述卡点还包括位于所述卡槽2的底部的第四卡点7，所述第四卡点7位于区域h，所述区域h为所述第四卡点7对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的(0，1/2]之间的区域。此时，所述第一卡点3位于区域d，所述区域d为所述第一卡点3对应的所述硅片6的侧边的边长从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；所述第二卡点4位于区域c，所述区域c为所述第二卡点4对应的所述硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，1)之间的区域；所述第三卡点5位于区域b，所述区域b为所述第三卡点5对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的[1/2，1)之间的区域。通过增加第四卡点7，因而卡槽2的外边缘则有4个卡点，四个卡点形成四边形，每个卡点所在位置的特殊限定，使得该四边形所占面积占硅片总面积的比例更大，支撑更稳定，贴紧程度更高。

优选的，在本实施例中，如图6所示，所述第二卡点4位于所述第二卡点4对应的所述硅片6的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；所述第三卡点5位于所述第三卡点5对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的[5/8，7/8]之间的区域；所述第四卡点7位于所述第四卡点7对应的所述硅片6的底边的边长a从左至右的[1/8，3/8]之间的区域。进一步优选的，所述第一卡点3和所述第二卡点4分别位于所述硅片6的两个侧边的同一高度位置处，所述第三卡点5和所述第四卡点7分别对称设置于所述硅片6的底边的中点的两侧，以使所述第一卡点1、所述第二卡点2、所述第三卡点3及所述第四卡点4依次连接后形成等腰梯形。

该石墨舟，通过改变石墨舟的卡点的位置以及增加石墨舟的卡点的数量，使硅片在石墨舟内和石墨舟舟片紧密贴紧，从而保证硅片的四边与石墨舟片完全重叠在一起，避免了硅片局部区域与石墨舟接触不好，形成良好的导电，改善了导电性，从而提高了镀膜的均匀性，同时也减少了掉片，降低了返工比例；另外，该石墨舟中，卡点与石墨舟舟片1为一体式结构，连接稳定性更高，不必开孔，强度高，不易发生形变；结构简单，适于推广。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。