1.生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述铝金属层的厚度为150～200μm。
3.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述银金属层厚度为100～300nm。
4.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述AlN缓冲层厚度为5～50nm。
5.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为50～80nm。
6.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述GaN薄膜的度为200～300nm。