技术总结
本实用新型涉及LED芯片封装领域，公开了一种大功率倒装LED光源，包括基板和设置在所述基板上的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括P电极和N电极，所述基板与所述倒装LED芯片之间设有电路层，所述电路层上设有第一散热块和第二散热块，所述倒装LED芯片的P电极和N电极分别与所述电路层上的第一散热块和第二散热块连接，所述第一散热块和第二散热块的接触面均匀布置散热槽。本实用新型提供的一种大功率倒装LED光源，通过设置凸台，扩大了散热面积延长了芯片的使用寿命；同时，在P电极和N电极与散热块焊接处设置散热槽，增大了接触面积，使P电极和N电极处的电流不会堆积产生积热，使LED芯片出光更加均匀。
技术研发人员：王芳芳
受保护的技术使用者：浙江长兴金盛光电科技有限公司
文档号码：201621456319
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.07.07