1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在衬底基板上形成半导体层，在所述半导体层上形成栅极，并在所述半导体层中限定位于所述栅极之下的沟道区域、位于所述沟道区域的第一侧的源极区域和位于所述沟道区域的与所述第一侧相对的第二侧的漏极区域，其特征在于，所述方法还包括：
在所述栅极上形成遮蔽物，其中，所述遮蔽物在所述衬底基板上的垂直投影覆盖所述源极区域的第一源极部分和所述漏极区域的第一漏极部分；
利用所述遮蔽物作为掩模，对所述半导体层进行离子注入，以在所述第一源极部分和所述第一漏极部分中形成第一掺杂区，在未被所述遮蔽物垂直投影覆盖的所述源极区域的第二源极部分和所述漏极区域的第二漏极部分中形成第二掺杂区。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，离子注入包括至少一次垂直离子注入、至少一次第一倾斜离子注入和至少一次第二倾斜离子注入，其中，所述第一倾斜离子注入的方向朝向所述沟道区域的所述第一侧倾斜，所述第二倾斜离子注入的方向朝向所述沟道区域的所述第二侧倾斜。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述垂直离子注入为重掺杂离子注入，所述第一倾斜离子注入和所述第二倾斜离子注入为轻掺杂离子注入。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述遮蔽物包括光刻胶。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在所述半导体层上形成栅极和在所述栅极上形成所述遮蔽物包括：
在所述半导体层上设置用于形成所述栅极的导电层；
在所述导电层上形成光刻胶基础层；
对所述光刻胶基础层进行构图，以形成所述遮蔽物；
利用所述遮蔽物作掩模，过蚀刻所述导电层使得所述导电层凹进到所述构图的光刻胶的内部，以形成所述栅极。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，所述方法进一步包括：在形成所述栅极之前，在所述半导体层上形成栅极绝缘层。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，所述方法进一步包括在形成所述栅极绝缘层时通过控制所述栅极绝缘层的致密性来调整阈值电压。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，控制所述栅极绝缘层的致密性包括在形成所述栅极绝缘层时控制下列参数中的至少一者：工艺气体混合比例、形成膜的速度、反应温度、等离子体功率和膜厚度。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，所述方法还包括：在形成所述半导体层之前，在所述衬底基板上形成缓冲层。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述半导体层的材料包括多晶硅。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为n型掺杂。
12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，掺杂离子包括磷。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述第一掺杂区的磷的掺杂浓度的范围为1×1013-5×1013cm-3，所述第二掺杂区的磷的掺杂浓度的范围为3×1014-9×1014cm-3。
14.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括根据权利要求1-13中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法。
15.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置的制造方法包括根据权利要求14所述的阵列基板的制造方法。