1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的显示单元；
所述显示单元包括：依次设置在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上设置有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分设置有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分设置有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示单元还包括：
设置在所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅极与所述像素电极位于同一层；
所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。
4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成显示单元，所述显示单元包括：依次形成在所述衬底基板上的像素电极、栅极、栅绝缘层、源漏极层、钝化层和像素连接线，所述源漏极层包括源极和漏极，所述栅绝缘层上形成有第一孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构内的部分形成有第二孔状结构，所述钝化层位于所述第一孔状结构外的部分形成有漏极过孔，所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成显示单元，包括：
在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层；
通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构；
在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内；
通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔，所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内，所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外，且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触；
在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极和所述栅绝缘层之后，所述方法还包括：
在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；
所述在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，包括：
在形成有所述有源层的衬底基板上依次形成所述源漏极层和所述钝化层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触。
7.根据权要求4所述的方法，其特征在于，所述显示单元还包括：设置在所述栅绝缘层上的有源层，所述在衬底基板上形成显示单元，包括：
在所述衬底基板上依次形成所述像素电极、所述栅极、所述栅绝缘层、初始有源层、源漏极材质层和光刻胶层；
采用第一掩膜版对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影后得到光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：第一光刻胶区域、第二光刻胶区域、第三光刻胶区域和光刻胶完全去除区域，所述第三光刻胶区域、所述第二光刻胶区域和所述第一光刻胶区域的光刻胶的厚度依次减小，所述第一掩膜版包括第一半透光区域、第二半透光区域、完全透光区域和遮光区域，所述第一半透光区域的透光率大于所述第二半透光区域的透光率，所述第一光刻胶区域与所述第一半透光区域对应，所述第二光刻胶区域与所述第二半透光区域对应，所述第三光刻胶区域与所述遮光区域对应，所述光刻胶完全去除区域与所述完全透光区域对应；
依次对所述光刻胶完全去除区域在所述源漏极材质层上的对应区域，以及所述光刻胶完全去除区域在所述栅绝缘层上的对应区域进行刻蚀，使所述栅绝缘层上形成所述第一孔状结构；
采用灰化工艺对所述光刻胶图形进行处理，使所述第一光刻胶区域的光刻胶完全去除，所述第二光刻胶区域的光刻胶和所述第三光刻胶区域的光刻胶的厚度减小；
对所述第一光刻胶区域在所述源漏极材质层上的对应区域进行刻蚀，得到初始源漏极层；
采用灰化工艺对灰化后的所述光刻胶图形再次进行处理，使所述第二光刻胶区域的光刻胶完全去除，所述第三光刻胶区域的光刻胶的厚度减小；
依次对所述第二光刻胶区域在所述初始源漏极层上的对应区域，以及所述第二光刻胶区域在所述初始有源层上的对应区域进行刻蚀，得到所述源漏极层和所述有源层；
剥离所述第三光刻胶区域的光刻胶；
在形成有所述源漏极层的衬底基板上形成所述钝化层，所述钝化层部分位于所述第一孔状结构内；
通过一次构图工艺在所述钝化层上形成所述第二孔状结构和所述漏极过孔，所述第二孔状结构位于所述第一孔状结构内，所述漏极过孔位于所述第一孔状结构外，且所述第二孔状结构的侧壁与所述第一孔状结构的侧壁不接触；
在形成有所述钝化层的衬底基板上形成所述像素连接线，所述像素连接线通过所述第二孔状结构和所述漏极过孔将所述像素电极与所述漏极连接。
8.根据权利要求4至7任一所述的方法，其特征在于，
所述栅极与所述像素电极位于同一层；
所述像素连接线的形成材料与所述像素电极的形成材料相同。
9.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：第一半透光区域、第二半透光区域、完全透光区域和遮光区域，所述第一半透光区域的透光率大于所述第二半透光区域的透光率。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至3任一所述的阵列基板。