滤光器阵列的制作方法

背景技术：

在光学装置中，例如传感器元件阵列中，传感器元件可以与具体间距相关。例如，第一传感器元件可以与距第二传感器元件的具体间距相关。传感器元件可以与大约50微米(μm)到200μm的尺寸相关。一对传感器元件之间的间距可以大于大约20μm。传感器元件阵列可以用于传感系统，例如三维深度传感系统等。

技术实现要素：

根据一些可能的实施方式，一种装置可以包括设置在基板上的滤光器阵列。滤光器阵列可以包括设置在基板上的第一反射镜。滤光器阵列可以包括设置在第一反射镜上的多个间隔件。多个间隔件的第一间隔件可以与第一厚度相关。多个间隔件的第二间隔件可以与第二厚度相关，所述第二厚度与第一厚度不同。对应于第一间隔件的第一通道和对应于第二间隔件的第二通道与小于大约10微米(μm)的分离宽度相关。滤光器阵列可以包括设置在多个间隔件上的第二反射镜。

根据一些可能的实施方式，一种装置可以包括设置在基板上的滤光器阵列。滤光器阵列可以包括设置在基板上的第一反射镜。滤光器阵列可以包括设置在第一反射镜上的间隔件。间隔件可以包括多个间隔件层。多个间隔件层中的第一间隔件层设置为覆盖第一反射镜。多个间隔件层中的第二间隔件层设置在第一间隔件层上。对应于第一间隔件层的第一通道和对应于第二间隔件层的第二通道与小于大约5微米(μm)的分离宽度相关。滤光器阵列可以包括设置在间隔件上的第二反射镜。

根据一些可能的实施方式，一种装置可以包括设置在基板上的滤光器阵列。基板可以是连结到传感器元件阵列的玻璃基板或是包括传感器元件阵列的硅基板。滤光器阵列可以包括设置在基板上的第一反射镜。滤光器阵列可以包括多个间隔件层。多个间隔件层中的第一间隔件层可以设置在第一反射镜上且覆盖传感器元件阵列的一组传感器元件。多个间隔件层中的第二间隔件层可以设置在第一间隔件层上且覆盖该组传感器元件的子组。多个间隔件层中的第三间隔件层设置在第二间隔件层上且覆盖该子组传感器元件的子组。该组传感器元件的每一个传感器元件与小于大约1微米(μm)的间距相关。滤光器阵列可以包括设置在多个间隔件层上的第二反射镜。第二反射镜可以该组传感器元件对准。

附图说明

图1a和1b是本文所述的基于电介质的滤光涂层的例子的图示；

图2是本文所述的基于诱增透滤光(itf)的滤光涂层的例子的图示；

图3是本文所述的示例性实施方式的概观图；

图4a-4e是本文所述的滤光涂层实施方式的例子的图示；和

图5a-5e是本文所述的用于深度传感系统的滤光涂层的示例性实施方式的图示。

具体实施方式

示例性实施方式的以下详细描述涉及附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。

在光学装置中，例如传感器元件阵列中，传感器元件可以按具体距离间隔开。传感器元件可以与大约50微米(μm)到200μm的尺寸相关。一对传感器元件之间的间距可以大于大约20μm。然而，随包括在单个光学装置中的传感器元件的量的增加、和/或随用于光学装置的封装尺寸的减小，有利的可以是将传感器元件的传感器元件阵列制造为具有小于大约20μm、小于大约10μm、小于大约1μm等等的间距。如本文所述的实施方式可以提供一种光学滤光器，使得传感器元件的传感器元件阵列具有小于临界值的间距，例如小于大约20μm，小于大约10μm，小于大约1μm等等。

图1a和1b是基于电介质的滤光涂层的例子100，如在本文所述的。如图1a所示，例子100包括基板110、光电二极管120、光致抗蚀剂层130、滤光涂层140和过渡区域150。

对于图1a，使用剥离工艺(lift-offprocess)，将基于电介质的滤光涂层制造在基板110上，其可以是有源装置晶片。剥离工艺可以基于化学蚀刻、物理蚀刻等的难度来选择。光致抗蚀剂层130设置在基板110的一些区域上，在所述区域中滤光涂层140不被沉积。例如，基于要被沉积以覆盖光电二极管120或另一类型传感器元件的滤光涂层140，光致抗蚀剂层130设置在基板110的不与光电二极管120对准的一些部分上。在将滤光涂层140沉积在光致抗蚀剂层130和基板110的与光电二极管120对准的露出部分上之后，执行剥离工艺以移除光致抗蚀剂层130，在基板110的要与光电二极管120对准的部分处形成剩余的滤光涂层140。然而，剥离工艺形成过渡区域150，在该区域处滤光涂层140与减小物理厚度的锥形边缘相关。过渡区域150可以具有为滤光涂层140厚度的大约两倍到三倍的宽度。

如图1b所示，在俯视图160-1和侧视图160-2中，一组二极管120-1和120-2可以定位在基板110中，且可以被一组滤光涂层140-1和140-2覆盖，使得滤光涂层140-1与滤光涂层140-2重叠。相对于分离滤光涂层140而言，将滤光涂层140重叠能减少光电二极管120-1和光电二极管120-2之间的间距。在这种情况下，滤光涂层140与厚度172、光电二极管区域174(例如与相对应的光电二极管120对准的区域)和功能区域176(设置在具体滤光涂层140的锥形边缘之间的区域)相关。二极管120可以与分离宽度178(例如二极管120之间的间距)相关。分离宽度178可以大于厚度172的三倍。在这种情况下，厚度172大于大约5微米(μm)，形成大于大约15μm的分离宽度178。然而，有利的可以是实现小于15μm、小于10μm、小于5μm、小于1μm等的二极管之间的分离宽度。

如上所述，图1a和1b仅仅是作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可以与针对图1a和1b所述的不同。

图2是基于诱增透滤光(itf)的滤光涂层的例子200。如图2所示，例子200包括基板210、光电二极管220、光致抗蚀剂层230、滤光涂层240(其包括金属层240’)和过渡区域250。

对于图2，金属层240’可以包括银(ag)层、铝(al)层等。金属层240’可以被滤光涂层240的电介质部分包围，这降低了与露出的金属层240’相关的侵蚀的可能性。在这种情况下，为了制造滤光涂层240以提供保护性的封装，滤光涂层240的锥形边缘被制造为具有小于临界内部角度260的角度，例如小于大约5度。基于itf的滤光涂层的厚度可以小于大约1000纳米(nm)，例如大约500nm，但是基于小于大约5度的临界内部角度260，过渡区域250可以大约为10μm到20μm，其可以对应于大约10μm到20μm的、二极管220之间的间距。对于包括例如二极管220的传感器元件的传感器元件阵列有利地可以更大，其设置尺寸为大约2μm到50μm与大约0.5μm到10μm的间距相关。

如上所述，图2仅仅作为例子提供。其他例子也是可以的，且可以与针对图2所述的不同。

图3是示例性实施方式300的概观图。示例性实施方式300示出了基于单腔fabry-perot滤光的滤光涂层，如在本文所述的，其具有小于用于传感器元件阵列的传感器元件的临界值的间距，例如小于大约10μm、小于大约5μm、小于大约1μm等的间距。如图3所示，示例性实施方式300包括基板310，一组二极管320，第一反射镜层330，一组间隔件层340，第二反射镜层350。二极管320与分离间距宽度360相关。

在一些实施方式中，基板310可以与大约50毫米(mm)到500mm之间的晶片宽度相关，例如大约100mm宽度，大约150mm宽度，大约200mm宽度，大约300mm宽度，大约450mm宽度等。在一些实施方式中，基板310可以与大约50μm到1.0mm的厚度相关。在一些实施方式中，在基板310与背照射式光电二极管320相关时，基板310可以与大约5μm到70μm、大约25μm到50μm等的厚度相关，其例如可以暂时地连结到具有另一厚度的载体晶片。

在一些实施方式中，二极管320可以与大约1μm到20μm的宽度相关。在一些实施方式中，反射镜(例如第一反射镜层330或第二反射镜层350)可以与大约20纳米(nm)到80nm的厚度相关。在一些实施方式中，间隔件层340可以与大约15nm到300nm的厚度相关。

针对图3，第一反射镜层330和第二反射镜层350夹着一组间隔件层340。间隔件层340可以使用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺等沉积，以改变该组间隔件层340的厚度以及改变由此形成的通道的厚度。基于该组间隔件层340的变化厚度，每一个光电二极管320或另一类型的传感器元件被暴露于相应的变化中心波长的光。以此方式，可以制造滤光涂层，其允许小于临界值的分离宽度360，例如小于10μm，小于5μm，小于1μm，小于500nm等。在一些实施方式中，分离宽度360可以为大约0.5μm到10μm。在一些实施方式中，分离宽度360可以为大约150nm。

如上所述，图3仅仅作为例子提供。其他例子也是可以的，且可以与针对图3所述的不同。

图4a-4e是基于单腔fabry-perot滤光的滤光涂层的示例性实施方式400/400’/400”的图示，如在本文所述的。如图4a所示，示例性实施方式400包括基板410，一组二极管420-1到420-4，第一反射镜层430，一组间隔件层440-1到440-4，和第二反射镜层450。

针对图4a，第一反射镜层430和第二反射镜层450可以是使用二氧化硅(sio2)和氢化硅(si：h或si_h)的四分之一波长的堆叠结构。在另一例子中，四分之一波长的堆叠结构可以利用另一组材料，例如另一高折射率材料(例如五氧化二铌(nb2o5)、五氧化二钽(ta2o5)、二氧化钛(tio2)、二氧化铪(hfo2)、其组合等，另一低折射率材料(例如氟化镁(mgf2)等)等。在一些实施方式中，基于非氟化物的材料可以优选用于降低沉积的难度。在一些实施方式中，与相对较高的有效折射率相关的材料可以优选用于降低角度变换(angle-shift)，以降低阻挡件或反射镜的量等。间隔件层440可以是使用一个或多个氢化硅层制造的间隔件。在另一例子中，间隔件层440可以包括另一材料，例如nb2o5、ta2o5、tio2、hfo2、另一类型的氧化物，其组合等。第一反射镜层430和/或第二反射镜层450可以设置为对准传感器元件，例如二极管420。

在另一例子中，可以使用半透明金属反射镜，而不是四分之一波长的堆叠结构，如在本文所述的。例如，包括银(ag)的金属反射镜可以用于紫外(uv)-a光谱范围，可见光谱范围，近红外光谱范围(nir)，等。类似地，包括铝(al)的金属反射镜可以用于uv光谱范围等(大约200nm到400nm范围)。

在一些实施方式中，第一反射镜层430可以包括设置在第一反射镜层430的表面上的阻挡件层、设置在第一反射镜层430的表面上的保护层，等。每一个间隔件层440与具体厚度相关，所述具体厚度对应于被传递到相应光电二极管420或另一类型传感器元件的具体中心波长的光。例如，如表格460中所示，间隔件层440-1可以与大约96.6nm的厚度相关，间隔件层440-2可以与大约115.3nm的厚度相关，间隔件层440-3可以与大约131.5nm的厚度相关，且间隔件层440-4可以与大约147.6nm的厚度相关。在这种情况下，针对每一个间隔件层440使用一组图案构造和涂层步骤，每一个间隔件层440可以沉积在第一反射镜层430上。如所示的，第二反射镜层450可以沉积在第一反射镜层430和间隔件层440的露出部分上，由此通过第一反射镜层430包围间隔件层440。以此方式，可以实现二极管220或其他传感器元件之间的大约600nm到10μm的间距、小于大约600nm的间距，等。

在一些实施方式中，可以使用物理气相沉积(pvd)过程沉积间隔件层440。例如，可以使用磁控溅射过程、电子束和热蒸发过程和/或类似技术制造间隔件层440和/或本文所述的实施方式的其他部分。在一些实施方式中，可以使用化学气相沉积(cvd)过程沉积间隔件层440。在一些实施方式中，间隔件层440的厚度可以被选择为实现特定光谱范围，例如uv光谱范围(例如大约200nm到400nm)，可见光谱范围(例如大约400nm到700nm)，nir光谱范围(例如大约700nm到2000nm)，中间波长ir(mwir)光谱范围(例如大约2μm到6μm)，短波长ir(lwir)光谱范围(例如大约6μm到14μm)等。层的厚度可以与期望光谱范围有关。例如，对于,对于大约2μm至6μm或大约6μm至14μm的光谱范围，反射镜层430或450的厚度可以为大约20nm至400nn，间隔件层可移位大约15nm至1500nm，等。在一些实施方式中，间隔件层440可以被沉积以用于制造基于硅的检测器，基于砷化铟镓(ingaas)的检测器等。在一些实施方式中，间隔件层440可以沉积为用于超光谱成像传感器。在一些实施方式中，间隔件层440可以沉积为用于背照传感器或前照传感器。

如图4b所示，相似的示例性实施方式400’包括基板410，一组二极管420-1到420-4，第一反射镜层430，一组间隔件层440-1到440-4，和第二反射镜层450。

对于图4b，间隔件层440-1被沉积以覆盖第一反射镜层430和每一个光电二极管420的全部，且每个间隔件层440沉积在间隔件层440-1上。以此方式，相对于执行以用于沉积示例性实施方式400的间隔件层440的图案构造和涂层步骤，示例性实施方式400’与执行为用于沉积间隔件层440的减少量的图案构造和涂层步骤相关。在一些实施方式中，在反射镜层(如反射镜层430)是金属反射镜层(基于银的材料)时，间隔件层(例如间隔件层440-1)可以提供具有金属反射镜层的保护涂层。在另一例子中，每一个间隔件层440-2到440-4可以被构造图案和涂层到第一反射镜层430上，且间隔件层440-1可以在沉积第二反射镜层450之前被沉积到第一反射镜层430和每一个间隔件层440-2到440-4的露出部分上。换句话说，第一间隔件层440-1的整个表面设置为邻接第二反射镜层450的表面，而不是邻接第一反射镜层430。如表格460’所示，每一个间隔件层440-2到440-4与除间隔件层440-1的厚度(例如大约96.6nm)以外的具体厚度相关。例如，间隔件层440-2与大约18.7nm的额外厚度相关，间隔件层440-3与大约34.9nm的额外厚度相关，且间隔件层440-4与大约51nm的额外厚度相关。

如图4c所示，相似的示例性实施方式400”包括基板410，一组二极管420-1到420-4，第一反射镜层430，一组间隔件层440-1到440-4，和第二反射镜层450。

对于图4c，间隔件层440-1沉积在第一反射镜层430上且覆盖每一个二极管420-1到420-4。类似地，间隔件层440-2沉积在间隔件层440-1的一部分上且覆盖每一个二极管420-2到420-4。类似地，间隔件层440-3沉积在间隔件层440-2的一部分上且覆盖二极管420(例如每一个二极管420-3到420-4)的子组。类似地，间隔件层440-4沉积在一部分间隔件层440-3上且覆盖光电二极管420-4。以此方式，示例性实施方式400”减少被执行为用于在示例性实施方式400中沉积间隔件层440的图案构造和涂层步骤的量。如表格460”所示，每一个间隔件层440-2到440-4与除了前述间隔件层440厚度以外的厚度相关。例如，间隔件层440-2与沉积在间隔件层440-1(其例如与大约96.6nm的厚度相关)上的大约18.7的额外厚度相关，间隔件层440-3与沉积在间隔件层440-2上的大约16.2nm的额外厚度相关，且间隔件层440-4与沉积在间隔件层440-3上的大约16.1nm的额外厚度相关。以此方式，可以实现二极管220或其他传感器元件之间的大约150nm到2μm、小于大约150nm等的间距。

如图4d所示，图470表示出与示例性实施方式400/400’/400”的通道有关的一组光学特点。例如，对于与间隔件层440-1和光电二极管420-1相关的第一通道，间隔件层440-1的厚度实现约795nm的中心波长。类似地，对于与间隔件层440-2和光电二极管420-2相关的第二通道，间隔件层440-2的厚度实现约870nm的中心波长。类似地，对于与间隔件层440-3和光电二极管420-3相关的第三通道，间隔件层440-3的厚度实现约935nm的中心波长。类似地，对于与间隔件层440-4和光电二极管420-4相关的第四通道，间隔件层440-4的厚度实现约1000nm的中心波长。虽然根据一组具体的中心波长在本文进行了描述，但是其他中心波长也是可以的且可以与针对图4d所述的不同。

如图4e所示，图480表示出与示例性实施方式400/400’/400”有关的一组物理特点。例如，反射镜层(例如反射镜层430或反射镜层450)可以与大约40nm到500nm的厚度相关。类似地，间隔件层(例如间隔件层440-4)可以与大约147.61nm的厚度相关。在一些实施方式中，反射镜层(例如反射镜层430或反射镜层450)可以与多层相关。例如，反射镜层可以包括si：h层，sio2层等。

如上所述，图4a-4e仅仅是作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可以与针对图4a-4e所述的不同。

图5a-5e是用于深度传感系统的滤光涂层的示例性实施方式500的图，如在本文所述的。如图5a所示，示例性实施方式500包括基板510(例如氮化硅(s3n4)或在另一例子中是sio2或si)，一组氧化锌(zno)层520-1到520-4，一组银(ag)层530-1到530-2，一组铌钛氧化物(nbtiox)层540-1到540-3，和一组二氧化硅(sio2)层550-1到550-2。在一些实施方式中，示例性实施方式500的滤光涂层可以是fabry-perot滤光。在一些实施方式中，另一例子可以包括透明基板510，其连结到传感器装置。

对于图5a，zno层520可以每一个与大约1.5nm的厚度相关。银层530(其是一组半透明金属反射镜，其包围通过nbtiox540-1形成的一组间隔件层)与大约40nm的厚度相关。nbtiox540-1可以对应于图4a-4c中的间隔件440，形成与期望的间隔厚度对应的、用于nbtiox540-1的不同厚度。如表格560所示，nbtiox540-1可以形成用于影像感测的可见光(例如红色绿色/蓝色(rgb)光)检测的一组三个通道和用于深度感测(例如三维深度感测)的第四通道(例如ir和蓝色光)。共同地，四个通道可以对应于图4a-4c所示的间隔件440-1到440-4。用于蓝色可见光检测的第一通道可以与大约44.8nm的总厚度相关，用于绿色可见光检测的第二通道可以与大约60.5nm的总厚度相关，用于红色可见光检测的第三通道可以与大约82.9nm的总厚度相关，且用于ir和蓝色光检测(即深度感测)的第四通道可以与大约134.5nm的总厚度相关。在一些实施方式中，nbtiox540-1的层可以沉积为图4a-4c所示的形式。例如，每一个通道可以是分离的滤光层堆叠结构，每一个通道可以共享共用的第一滤光层，每一个通道可以沉积在之前沉积的滤光层的一部分上，等等。在这种情况下，沉积对每一个通道共用的至少一个层，如图4b和4c所示，可以通过提供保护层而改善银层530的耐久性。

进一步针对图5a，nbtiox层540-2可以与大约50nm的厚度相关，sio2层550-1可以与大约18nm的厚度相关，nbtiox层540-3可以与大约16nm的厚度相关，且sio2层550-2可以与大约101nm的厚度相关。层540-2、550-1、540-3、和550-2可以共同形成抗反射涂层，用于嵌入在基板510中或设置在基板510上的传感器元件。

如图5b所示，图570表示与示例性实施方式500的通道相关的一组光学特点。例如，与红色可见光感测相关的第一通道与大约620nm的中心波长相关。类似地，与绿色可见光感测相关的第二通道与大约520nm的中心波长相关。类似地，与蓝色可见光感测的第三通道与大约450nm的中心波长相关。类似地，与深度感测(例如蓝色光和ir光感测)相关的第四通道与大约450nm(蓝色光)和850nm(ir光)的中心波长相关。虽然根据一组具体的中心波长在本文进行了描述，但是其他中心波长也是可以的且可以与针对图5b所述的不同。

如图5c所示，图580表示与示例性实施方式500有关的传感器元件的传感器元件阵列。例如，传感器元件阵列(例如互补氧化半导体金属(cmos)技术、电荷藕合装置(ccd)技术等)包括一组第一通道(例如红色光通道，表示为r)，一组第二通道(例如绿色光通道，表示为g)，一组第三通道(例如蓝色光通道，表示为b)和一组第四通道(例如ir和蓝色光通道，表示为ir/b)。在这种情况下，用于传感器元件阵列的间隔件层通过将每一个间隔件层沉积在前述间隔件层的一部分上而制造，如在本文针对图4c所述的。这形成ir/b通道，其相对于其他通道具有大约51.6nm的最大厚度。基于该厚度，传感器元件阵列的传感器元件的间距可以为大约150nm。

在一些实施方式中，传感器元件可以是背照传感器元件，以相对于传感器元件的其他构造提供改进的量子效率和光谱响应可再现性。在一些实施方式中，电介质阻挡件可以施加到ir/b通道，其具有大约750nm的厚度，形成大约2μm的间距。虽然针对用于布置通道的四个光谱范围的具体样式在本文进行了描述，但是通道的其他样式和/或其他量也是可以的。例如，虽然图580显示了64个通道的传感器元件阵列，但是本文所述的实施方式可以用于小于临界数量的另一通道量，例如小于或等于64个通道(例如64个通道，63个通道，62个通道，…，2个通道，等)，小于或等于32个通道，小于或等于16个通道，小于或等于8个通道，小于或等于4个通道，等。在另一例子中，可以包括其他量的传感器元件(即像素)。例如，本文所述的实施方式可以用于大约1000万像素到4000万、大约25万到4000万像素等的像素数目。另外或替换地，本文所述的实施方式可以用于大于大约25万的像素数目、大于大约1百万的像素数目、大于大约4百万的像素数目、大于大约2000万的像素数目等。

对于图5d，提供图示590和图示590’以用于表示与传感器元件的角度变换有关的示例性光学特点。图示590和590’显示了传感器元件的角度变换。例如，图示590可以与使用用于近红外滤光的混合间隔件构造相关(例如大约44.8nm的铌钛氧化物(nbtiox)和大约42nm的si：h间隔件)。在另一例子中，混合的间隔件构造可以包括用于一个或多个第一层的另一第一材料(例如另一氧化物)和用于一个或多个第二层的另一第二材料。图示590可以与利用图5e所述且通过图示595表示的一组涂层的滤光器相关。图示590’可以与使用类似于示例性实施方式500的间隔件构造相关。图示590’可以与利用图5e所述且通过图示595’表示的一组涂层的滤光器相关。如图5e所示，图示590的滤光器和图示590’的滤光器与用于红光通道、绿光通道、和蓝光通道的相似堆叠结构相关，但是与用于nir通道的不同堆叠结构相关。例如，图示590的滤光器与氢化硅层相关，其阻挡二阶峰值，如在本文所述的。

如图5d所示，在nir(例如大约850nm)光谱中从0度入射角(aoi)变换到30度aoi时，与图示590’的滤光器的传感器元件相比，与接收nir光的图示590的滤光器相关的传感器元件呈现减小的角度变换和改善的透射率。类似地，在蓝光光谱范围(例如大约450nm)中从0度aoi变换到30度aoi时，相对于使用图示590’的滤光器的传感器元件，对于利用图示590滤光器的传感器元件，角度变换减小且透射率改善。而且，如所示的，不需要阻挡件来抑制利用图示590滤光器的传感器元件的二阶尖峰。

如上所述，图5a-5e仅仅是作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可与针对图5a-5e所述的不同。

以此方式，滤光器可以针对传感器元件阵列制造为具有小于大约10μm、5μm、1μm、500nm、200nm、150nm，等的间距。而且，相对于另一类型的滤光器，滤光器可以与减小的角度变换和改善的透射率相关。

前述说明给出了实例和描述，但是目的不是将实施方式穷尽或限制为精确的公开形式。可以在上述内容的启发下或从具体实施方式的实施过程中做出改变和修改。

如在本文使用的，术语“部件”目的是宽泛地理解为硬件、固件、和/或硬件和软件的组合。

本文所述的一些实施方式与临界值有关。如在本文使用的，满足临界值可以是指大于临界值、多于临界值、高于临界值、大于或等于临界值、小于临界值、少于临界值、低于临界值、小于或等于临界值、等于临界值等的情况。

可以理解，本文所述的系统和/或方法可以以硬件、固件或硬件和软件组合的不同形式来实施。用于执行这些系统和/或方法的实际专用控制硬件或软件代码不是对实施方式的限制。由此，系统和/或方法的操作和行为不是指具体的软件代码，其应被理解为软件和硬件可设计为执行基于本文描述的系统和/或方法。

即使特征的具体组合记载于权利要求中和/或公开在说明书中，这些组合目的也不是限制本发明的可能实施方式。事实上，许多这些特征可以以权利要求和/或中未具体记载和/或规格中未具体公开的各种方式组合。虽然每一个从属权利要求可以直接从属于一个权利要求，但是可行实施方式的公开包括与权利要求书中每个其他权利要求组合的每个从属权利要求。

本文使用的元件、动作或指令都不应被理解为是关键或必不可少的，除非另有描述。还有，如本文使用的，冠词“一”目的是包括一个或多个项目，且可以与“一个或多个”替换使用。进而，如本文使用的，术语“组”目的是包括一个或多个项目(例如相关项目，非相关项目，相关项目和非相关项目的组合，等)，且可以与“一个或多个”替换使用。在指仅一个项目的情况下，使用术语“一个”或相似用语。还有，如本文使用的，术语“具有”、“包括”等目的是开放性的术语。进一步地，短语“基于”目的是“至少部分地基于”，除非另有说明。