技术特征：
技术总结
本发明涉及一种航天大功率混和集成电路的版图结构，采用三氧化二铝基板，基板上焊接的功率芯片通过铝丝键合线或/金丝键合互连；高电压版图区与低电压版图区采用绝缘介质隔离，或增加高压版图区与低压版图区之间的间距；采用共晶焊工艺设置的芯片，在其焊接区周围的基板上设置将熔化的焊料限定在固定区域的介质阻挡栅。本发明的功率混和集成电路的版图优点是满足高质量等级要求，电路散热良好，版图布线功率降额达I级，具有高可靠性，工作寿命达15年。
技术研发人员：张剑;王晓漫;张勇;李寿胜;卢道万;周曦
受保护的技术使用者：北方电子研究院安徽有限公司
技术研发日：2017.04.10
技术公布日：2017.07.18