技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括：提供衬底；在该衬底上方形成MRAM结构；在该MRAM结构上方形成第一介电层；在该第一介电层上方形成停止层；在该停止层上方形成第二介电层；以及在没有暴露MRAM结构的顶部电极的情况下，通过平坦化操作去除该第二介电层、该停止层以及去除该第一介电层的至少部分。本发明还公开了相关方法。本发明实施例涉及用于制造半导体结构的方法。
技术研发人员：庄学理;蔡俊佑;王宏火芍;涂淳琮
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.04.10
技术公布日：2017.10.27