技术特征：
技术总结
本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
技术研发人员：王欣然;何道伟;吴冰;吕未;施毅
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2017.05.08
技术公布日：2017.10.03