技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超级结的沟槽填充方法，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的半导体晶圆；步骤二、形成硬质掩模层，光刻刻蚀形成多个沟槽；步骤三、进行第一次外延生长形成第一层第二导电类型外延层填充沟槽并在边缘区域中的沟槽内的外延层完全合并后停止，停止后在中央区域的沟槽顶部中间区域形成V型开口；步骤四、以硬质掩模层为终止层对第一层第二导电类型外延层进行回刻；步骤五、进行第二次外延生长形成第二层第二导电类型外延层将中央区域的沟槽的V型开口完全填充。本发明能提高面内均匀性，减少缺陷产生并提高器件性能。
技术研发人员：伍洲
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.10.20