一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法与流程

技术特征：

1.一种多晶硅片清洗系统，其位于箱体上、且固定设置在制绒槽的前序工位，其特征在于：所述多晶硅片清洗系统包括上料工位、清洗工位及下料工位，上料工位、清洗工位及下料工位均借助输送装置实现各个工位的连接，且多晶硅片通过所述输送装置可从所述下料工位进入所述制绒槽，所述清洗工位依顺序设置有喷淋装置、擦拭装置及干燥装置，且喷淋装置、擦拭装置及干燥装置之间通过输送装置相连接；

所述多晶硅片清洗系统还包括设置与箱体下方的控制装置；所述输送装置、所述喷淋装置、所述擦拭装置及所述干燥装置均设置在箱体上方且均与所述控制装置相连接并受控制装置的控制。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述输送装置包括电机、多个中心轴（1）以及多个滚轮（2），所述电机与多个所述中心轴（1）相连接，并带动多个所述中心轴（1）同方向旋转，所述滚轮（2）位于所述中心轴（1）的周向外侧且与所述中心轴（1）同轴。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述喷淋装置包括喷淋槽（3）及喷淋机构（4），所述喷淋槽（3）位于所述输送装置下方，所述喷淋机构（4）位于所述输送装置上方；

所述喷淋机构（4）包括进水管（5）及多个喷淋管（6），多个所述喷淋管（6）设置在所述进水管（5）的下方且与所述进水管（5）相连通。

4.根据权利要求3所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述喷淋管（6）的喷淋方向为斜45度向下。

5.根据权利要求3所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述进水管（5）上还设置有传感器。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述擦拭装置位于所述输送装置的上方，所述擦拭装置包括旋转机构及擦拭海绵（8），所述擦拭海绵（8）与所述旋转机构相连接。

7.根据权利要求6所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述旋转机构包括旋转电机与旋转杆（7），所述旋转电机与所述旋转杆（7）相连接并带动旋转杆（7）转动，所述旋转杆（7）的周向外侧设置有所述擦拭海绵（8）。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述干燥装置位于所述输送装置的上方，所述干燥装置包括风机与热风刀（9），所述热风刀（9）与所述风机相连接。

9.根据权利要求1所述的一种多晶硅片清洗系统，其特征在于：所述控制装置包括PLC控制系统及触摸屏，所述触摸屏与所述PLC控制系统电性连接。

10.一种使用如权利要求1~9任一所述的多晶硅片清洗系统的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，将切割后的多晶硅片放置在上料工位的输送装置上；

S2，通过输送装置将多晶硅片输送到清洗工位，进水管（5）上的传感器检测到多晶硅片移动到进水管（5）下方时，喷淋管（6）以斜45度向下的喷淋方向喷淋到多晶硅片的表面，而喷淋后的水流入输送装置下方的喷淋槽（3）里；

S3，输送装置将多晶硅片输送到擦拭装置下方，旋转机构带动擦拭海绵（8）旋转，擦拭海绵（8）与多晶硅片表面接触，从而将多晶硅片表面的水分进行擦拭；

S4，输送装置将多晶硅片输送到干燥装置下方，热风刀（9）里的热风加快多晶硅表面的水分蒸发；

S5，多晶硅片通过输送装置直接进入制绒槽。