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发光二极管及其制作方法与流程
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来源:国知局
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发光二极管及其制作方法与流程
技术特征:
技术总结
本发明提供一种发光二极管及其制作方法,其中所述发光二极管依次包括:N型导通层、发光层和P型导通层,所述N型导通层分布有Al点。本发明可以藉由外延生长气氛的控制,在N型传导层稳定形成富铝点的分布,整个外延LED结构的表面仍保持平整,一方面可以有效降低正向电压,另一方面提升了高电流密度下的发光效率。
技术研发人员:
林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英
受保护的技术使用者:
厦门三安光电有限公司
技术研发日:
2017.12.15
技术公布日:
2018.04.17
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