焊盘结构的制作方法及倒装LED芯片的制作方法与流程

技术特征：

1.一种焊盘结构的制作方法，所述焊盘结构应用于倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括由上而下的衬底、外延层、电流扩展层、连通电极、绝缘反射层和焊盘结构，其特征在于，包括：

通过蒸发或溅射方式在所述绝缘反射层上形成第一接触层；

通过电镀或化学镀方式在所述第一接触层上形成阻隔层；

通过电镀、化学镀或热阻蒸发方式形成共金层

其中，所述阻隔层的厚度为0.5-5μm。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔层的材料为镍、CrNi合金或TiW合金中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔层的粗糙度为10-30nm。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一接触层的材料为钛。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述共金层的材料为金、锡或金锡合金中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述共金层的厚度为0.1-2μm。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，以电镀方式形成阻隔层时，所述制作方法还包括：

通过蒸发或溅射方式在形成所述第一接触层和所述阻隔层之间形成电镀辅助层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述电镀辅助层的材料为铝。

9.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延层中形成有至少一个暴露所述第一半导体层的凹槽；

在所述第二半导体层上形成电流扩展层，所述电流扩展层中形成有暴露所述凹槽的电流扩展层开孔；

形成第一连通电极和第二连通电极，所述第一连通电极位于所述凹槽内的第一半导体层上，所述第二连通电极位于所述电流扩展层上；

在所述电流扩展层上形成绝缘反射层，所述绝缘反射层中形成有暴露所述第一连通电极的第一绝缘反射层开孔和暴露所述第二连通电极的第二绝缘反射层开孔；

在所述绝缘反射层上形成第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过第一绝缘反射层开孔与所述第一连通电极形成电连接，所述第二焊盘通过第二绝缘反射层开孔与所述第二连通电极形成电连接；

其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括依次形成的第一接触层、阻隔层和共金层，所述阻隔层的厚度为0.5-5μm。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘反射层上形成第一焊盘和第二焊盘包括：

通过蒸发或溅射方式在所述绝缘反射层上形成第一接触层；

通过电镀或化学镀方式在所述第一接触层上形成阻隔层；

通过电镀、化学镀方式或热阻蒸发方式形成共金层。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔层的材料为镍、CrNi合金或TiW合金中的任意一种。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述阻隔层的粗糙度为10-30nm。

13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一接触层的材料为钛。

14.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述共金层的材料为金、锡或金锡合金中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述共金层的厚度为0.1-2μm。

16.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，以电镀方式形成阻隔层时，在所述绝缘反射层上形成第一焊盘和第二焊盘还包括：

通过蒸发或溅射方式在所述第一接触层和所述阻隔层之间形成电镀辅助层。

17.根据权利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述电镀辅助层的材料为铝。

18.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成第一连通电极和所述第二连通电极包括：

通过蒸发或溅射方式在所述第一半导体层以及电流扩展层上形成第二接触层；

通过蒸发或溅射方式在所述第二接触层上形成电连接层。

19.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，所述第二接触层的材料为铬。

20.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，所述电连接层为由至少两种金属交替分布形成的周期性多层金属膜，所述周期数为2-10。

21.根据权利要求20所述的制作方法，其特征在于，所述电连接层的材料为铝、镍或金中的至少两种。

22.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述多层金属膜由铝膜和镍膜交替分布形成。

23.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述多层金属膜由铝膜、镍膜、金膜、镍膜交替分布形成。

24.根据权利要求22或23所述的制作方法，其特征在于，所述铝膜和镍膜的厚度比为3:1～10:1。

25.根据权利要求23所述的制作方法，其特征在于，所述金膜和镍膜的厚度比为3：1～15:1。

26.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述绝缘反射层和第一焊盘、第二焊盘之间形成至少一层金属层和至少一层绝缘层；

其中，所述金属层和所述绝缘层交替分布。