技术总结
公开了一种焊盘结构的制作方法，所述焊盘结构应用于倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括由上而下的衬底、外延层、电流扩展层、连通电极、绝缘反射层和焊盘结构，包括：通过蒸发或溅射方式在所述绝缘反射层上形成第一接触层；通过电镀或化学镀方式在所述第一接触层上形成阻隔层；通过电镀、化学镀或热阻蒸发方式形成共金层；其中，所述阻隔层的厚度为0.5‑5μm，粗糙度为10‑30nm。本发明还提供了一种倒装LED芯片的制作方法，解决了回流焊过程中锡向芯片表面扩展的问题，工艺简单、成本低，便于大量生产。
技术研发人员：李东昇;丁海生;马新刚;赵进超
受保护的技术使用者：杭州士兰明芯科技有限公司
技术研发日：2017.12.26
技术公布日：2018.06.01