半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及半导体装置及其制造技术，例如涉及应用于使用了引线框架的树脂封装型半导体装置而有效的技术。
【背景技术】
[0002]在特开平6-140563号公报(专利文献1)中，记载有在搭载半导体芯片的芯片焊盘(die pad)的侧面形成槽或者凸部的技术。
[0003]此外，在特开平10-4170号公报(专利文献2)中，记载有在搭载半导体芯片的引线框架的芯片支架部形成不连续槽的技术。
[0004]此外，在特开平8-107172号公报(专利文献3)中，记载有在半导体芯片的周围配置的引线的表面形成凹凸的技术。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:特开平6-140563号公报
[0008]专利文献2:特开平10-4170号公报
[0009]专利文献3:特开平8-107172号公报【实用新型内容】
[0010]有作为半导体装置的封装方式而使用了引线框架的树脂封装型半导体装置。此夕卜，在树脂封装型半导体装置中，为了确保其可靠性而实施了温度循环试验。
[0011]但是，在温度循环试验中，由封装树脂从引线的剥落所引起，在焊接金属丝和引线的连接部分中焊接金属丝断线的问题变得显著。
[0012]其他的课题和新的特征通过本说明书的描述以及附图应该变得清楚。
[0013]本实用新型涉及一种半导体装置，其特征在于，包括:半导体芯片；引线，配置在所述半导体芯片的周围且具有主面和与所述主面对置的背面；金属丝，连接到所述引线的所述主面，将所述半导体芯片和所述引线电连接；以及封装体，由封装树脂将所述半导体芯片、所述引线以及所述金属丝覆盖而成，所述引线在所述引线的延伸方向上具有位于所述封装体的内部的一端、位于所述封装体的外部的另一端以及连接有所述金属丝的金属丝连接部，所述引线在所述一端和所述金属丝连接部之间的所述主面具有第一槽。
[0014]此外，优选所述第一槽沿着与所述引线的延伸方向正交的方向延伸。
[0015]此外，优选在所述引线的延伸方向上，在所述金属丝连接部和所述引线的所述一端之间配置有所述第一槽。
[0016]此外，优选所述引线具有所述封装体内部的内侧部和所述封装体外部的外侧部，与所述引线的延伸方向正交的方向上的所述外侧部的宽度小于与所述引线的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的长度。
[0017]此外，优选与所述引线的延伸方向正交的方向上的所述内侧部的宽度大于与所述弓丨线的延伸方向正交的方向上的所述外侧部的宽度。
[0018]此外，优选所述第一槽的剖面形状为V字形状。
[0019]此外，优选在所述引线的延伸方向上具有与所述第一槽相邻的第二槽。
[0020]此外，优选在所述封装体的内部，在所述金属丝连接部和所述另一端之间具有第三槽。
[0021]此外，优选在与所述引线的延伸方向正交的方向上，所述第三槽的长度小于所述第一槽的长度。
[0022]本实用新型还涉及一种半导体装置，其特征在于，包括:半导体芯片，具有四边形的第一面且在所述第一面上具有第一焊盘和多个第二焊盘，所述第一面具有对置的第一边和第二边；第一引线以及第二引线，沿着与所述半导体芯片的所述第一边以及所述第二边正交的方向延伸，且具有主面和与所述主面对置的背面；第一金属丝，连接到所述第一引线的主面，将所述半导体芯片的所述第一焊盘和所述第一引线电连接；多个第二金属丝，连接到所述第二引线的主面，将所述半导体芯片的所述多个第二焊盘和所述第二引线电连接；以及封装体，由封装树脂将所述半导体芯片、所述第一引线、所述第二引线、所述第一金属丝以及所述第二金属丝覆盖而成，所述第一引线配置在所述半导体芯片的所述第一边侧，所述第二引线配置在所述半导体芯片的所述第二边侧，所述第一引线在所述第一引线的延伸方向上具有位于所述封装体的内部的第一端部、位于所述封装体的外部的第二端部以及位于所述封装体的内部且连接有所述第一金属丝的第一金属丝连接部，所述第二引线在所述第二引线的延伸方向上具有位于所述封装体的内部的第三端部、位于所述封装体的外部的第四端部以及位于所述封装体的内部且连接有所述多个第二金属丝的第二金属丝连接部，在所述第一端部和所述第一金属丝连接部之间的所述第一引线的主面具有第一槽，在所述第二引线的主面，从所述第二金属丝连接部至所述第三端部具有平坦面。
[0023]此外，优选所述第一槽沿着与所述第一引线的延伸方向正交的方向延伸。
[0024]此外，优选在所述第一引线的延伸方向上，在所述第一金属丝连接部和所述第一端部之间配置有所述第一槽。
[0025]此外，优选在所述封装体内的所述第一引线的主面，在所述第一金属丝连接部和所述第二端部之间具有第二槽，在所述封装体内的所述第二引线的主面，在所述第二金属丝连接部和所述第四端部之间具有第三槽。
[0026]此外，优选与所述第一引线的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的长度大于所述第二槽的长度。
[0027]实用新型效果
[0028]根据上述一实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。
【附图说明】
[0029]图1是作为一个实施方式的半导体装置的俯视图。
[0030]图2是图1所示的半导体装置的剖视图。
[0031]图3A和图3B分别是作为一个实施方式的半导体装置的信号引线的放大俯视图和放大剖视图。
[0032]图4是表示作为一个实施方式的半导体装置的制造工序的工艺流程。
[0033]图5是作为一个实施方式的半导体装置的制造工序中的俯视图。
[0034]图6是作为一个实施方式的半导体装置的制造工序中的剖视图。
[0035]图7A和图7B分别是表不相对于图6的信号引线的变形例的放大俯视图以及放大剖视图。
[0036]图8A和图8B分别是表不相对于图6的信号引线的变形例的放大俯视图以及放大剖视图。
[0037]图9是表示本发明人研究的关联技术的半导体装置结构的主要部分剖视图。
【具体实施方式】
[0038](本申请中的记载形式、基本用语、用法的说明)
[0039]在本申请中，实施方式的记载根据需要而便于分为多个部分等而记载，但除了特别明示了不是那样的情况之外，这些并不是相互独立的，无论记载的前后，单一的例子的各部分、一方为另一方的一部分细节或者一部分或者全部的变形例等。此外，原则上，同样的部分省略重复的说明。此外，实施方式中的各结构元素除了特别明示了不是那样的情况、理论上被限定为该数目的情况以及从逻辑上可知不是那样的情况之外，不是必须的。
[0040]同样地，在实施方式等的记载中，关于材料、组成等，“由A构成的X”等也除了特别明示了不是那样的情况以及从逻辑上可知不是那样的情况之外，不排除包括A以外的元素。例如，关于成分而言，是“将A作为主要的成分而包含的X”等的含义。例如，即使称为“硅构件”等，也并不限定于纯的硅，当然也可以包括SiGe (硅/锗)合金、将其他硅作为主要的成分的多元合金、包含其他的添加物等的构件。此外，即使称为镀金、镀Cu层、镀镍等，除了特别明示了不是那样的情况之外，除了纯的构件之外，还包括分别以金、Cu、镍等为主要的成分的构件。
[0041]进一步，在涉及特定的数值、数量时，除了特别明示了不是那样的情况、理论上被限定为该数目的情况以及从逻辑上可知不是那样的情况之外，也可以是超过该特定的数值的数值，也可以是小于该特定的数值的数值。
[0042]此外，在实施方式的各图中，相同或者同样的部分由相同或者类似的记号或者参考号来表示，原则上不重复说明。
[0043]此外，在附图中，反而会变得烦杂的情况或者与空隙的区分明确的情况下，即使是剖面，有时也省略阴影等的情况。与此相关地，在根据说明等而变得清楚的情况下等，即使是在平面上关闭的孔，有时也省略背景的轮廓线。尤其，即使不是剖面，为了明示不是空隙或者为了明示区域的边界，有时也附加阴影或点图案。
[0044](实施方式)
[0045]<关联技术的说明>
[0046]首先，参照【附图说明】本发明人研究的关联技术。图9是表示本实施方式的关联技术的半导体装置的结构的主要部分剖视图。
[0047]图9所示的半导体装置是树脂封装型半导体装置，包括芯片焊盘DP、在芯片焊盘上通过芯片键合材料AD而粘结的半导体芯片CH、通过金属丝BW与半导体芯片CH进行了电连接的引线LD、对芯片焊盘DP、半导体芯片CH、金属丝BW以及引线LD进行封装的封装体BD0
[0048]在关联技术的半导体装置中，构成封装体BD的封装树脂由环氧树脂等构成，其线膨胀系数大致为9ppm/K，引线LD由铜(Cu)构成，其线膨胀系数大致为17ppm/K。S卩，封装树脂和引线LD由线膨胀系数大不相同的材料构成。
[0049]此外，在关联技术的半导体装置中，在产品出厂前的检查工序中实施温度循环试验。温度循环试验是，例如将在低温(_65°C )和高温(150°C )的环境中分别暴露30分钟的1个循环重复500个循环左右，评价产品的可靠性、耐久性的试验。
[0050]根据本发明人的研究，判