大功率超薄整流芯片的制作方法

本实用新型涉及一种大功率超薄整流芯片，涉及半导体技术领域。

背景技术：

半导体器件的设计是以电路原理图为根据，实现电路设计者所需要的功能。其主要指版图设计，需要考虑外部连接的布局，内部电子元件的优化布局，金属连线和通孔的优化布局，电磁保护，热耗散等各种因素。优秀的半导体器件可以节约生产成本，达到良好的电路性能和散热性能。

多芯片产品采用上述的封装结构存在一些先天的缺陷，如引脚之间的电压干扰、产品的散热效果较差、产品负载功率较小，产品使用寿命较低、产品生产成本较高等。因此寻求一种能够消除引脚之间电压干扰、提高产品散热效果、提高产品负载功率、提高产品使用寿命、降低产品生产成本的封装结构尤为重要。

技术实现要素：

本实用新型目的是提供一种大功率超薄整流芯片，该大功率超薄整流芯片在水平方向和垂直方向上都将相邻的引脚错开来设置，有效消除引脚之间电压干扰，也有利于进一步缩小器件的尺寸，提高产品的使用寿命，降低产品生产成本。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率超薄整流芯片，包括芯片、金属基板、4个左侧引脚、4个右侧引脚和环氧树脂塑封体，所述芯片通过胶粘层固定于金属基板上表面，所述芯片与每个左侧引脚之间通过左金线电连接，所述芯片与每个右侧引脚之间通过右金线电连接，所述芯片、金属基板、左侧引脚的内侧端和右侧引脚的内侧端位于环氧树脂塑封体内；

所述4个左侧引脚从前向后依次为第一左侧引脚、第二左侧引脚、第三左侧引脚和第四左侧引脚，所述4个右侧引脚从前向后依次为第一右侧引脚、第二右侧引脚、第三右侧引脚和第四右侧引脚；

所述第一左侧引脚、第二左侧引脚、第三左侧引脚和第四左侧引脚裸露出环氧树脂塑封体部分均由左上水平部、左折弯部和左下水平部首尾依次连接组成，所述第一右侧引脚、第二右侧引脚、第三右侧引脚和第四右侧引脚裸露出环氧树脂塑封体部分均由右上水平部、右折弯部和右下水平部首尾依次连接组成；

所述第一左侧引脚和第三左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第一左侧引脚和第三左侧引脚的左折弯部高度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左折弯部高度相同；

所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部的长度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部的长度，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左折弯部的高度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左折弯部的高度；

所述第一右侧引脚和第三右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第一右侧引脚和第三右侧引脚的右折弯部高度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右折弯部高度相同；

所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部的长度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部的长度，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右折弯部的高度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右折弯部的高度。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部长度与第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部长度相差0.2~2mm，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部长度与第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部长度相差0.2~2mm。

2. 上述方案中，相邻所述左侧引脚间隔为0.5mm~5mm，相邻所述右侧引脚间隔为0.5mm~5mm。

3. 上述方案中，所述左侧引脚的左上水平部和左折弯部的夹角与左折弯部和左下水平部的夹角均为90°~120°，所述右侧引脚的右上水平部和右折弯部的夹角与右折弯部和右下水平部的夹角均为90°~120°。

4. 上述方案中，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左折弯部的高度与第二左侧引脚、第四左侧引脚的左折弯部的高度相差0.5mm~1.3mm，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右折弯部的高度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右折弯部的高度相差0.5mm~1.3mm。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型大功率超薄整流芯片，其第一左侧引脚和第三左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部的长度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部的长度；第一右侧引脚和第三右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部的长度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部的长度，在水平方向和垂直方向上都将相邻的引脚错开来设置，有效消除引脚之间电压干扰，也有利于进一步缩小器件的尺寸，提高产品的使用寿命，降低产品生产成本。

附图说明

附图1为本实用新型大功率超薄整流芯片结构示意图；

附图2为附图1的A-A剖面结构示意图。

以上附图中：1、芯片；2、金属基板；3、左侧引脚；31、第一左侧引脚；32、第二左侧引脚；33、第三左侧引脚；34、第四左侧引脚；4、右侧引脚；41、第一右侧引脚；42、第二右侧引脚；43、第三右侧引脚；44、第四右侧引脚；5、环氧树脂塑封体；6、胶粘层；7、左金线；8、右金线；9、左上水平部；10、左折弯部；11、左下水平部；12、右上水平部；13、右折弯部；14、右下水平部。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1：一种高导热型大功率超薄整流芯片，包括芯片1、金属基板2、4个左侧引脚3、4个右侧引脚4和环氧树脂塑封体5，所述芯片1通过胶粘层6固定于金属基板2上表面，所述芯片1与每个左侧引脚3之间通过左金线7电连接，所述芯片1与每个右侧引脚4之间通过右金线8电连接，所述芯片1、金属基板2、左侧引脚3的内侧端和右侧引脚4的内侧端位于环氧树脂塑封体5内；

所述4个左侧引脚3从前向后依次为第一左侧引脚31、第二左侧引脚32、第三左侧引脚33和第四左侧引脚34，所述4个右侧引脚4从前向后依次为第一右侧引脚41、第二右侧引脚42、第三右侧引脚43和第四右侧引脚44；

所述第一左侧引脚31、第二左侧引脚32、第三左侧引脚33和第四左侧引脚34裸露出环氧树脂塑封体5部分均由左上水平部9、左折弯部10和左下水平部11首尾依次连接组成，所述第一右侧引脚41、第二右侧引脚42、第三右侧引脚43和第四右侧引脚44裸露出环氧树脂塑封体5部分均由右上水平部12、右折弯部13和右下水平部14首尾依次连接组成；

所述第一左侧引脚31和第三左侧引脚33的左上水平部9长度相同，所述第一左侧引脚31和第三左侧引脚33的左折弯部10高度相同，所述第二左侧引脚32和第四左侧引脚34的左上水平部9长度相同，所述第二左侧引脚32和第四左侧引脚34的左折弯部10高度相同；

所述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左上水平部9的长度大于第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左上水平部9的长度，所述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左折弯部10的高度大于第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左折弯部10的高度；

所述第一右侧引脚41和第三右侧引脚43的右上水平部12长度相同，所述第一右侧引脚41和第三右侧引脚43的右折弯部13高度相同，所述第二右侧引脚42和第四右侧引脚44的右上水平部12长度相同，所述第二右侧引脚42和第四右侧引脚44的右折弯部13高度相同；

所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右上水平部12的长度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右上水平部12的长度，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右折弯部13的高度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右折弯部13的高度。

上述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左上水平部9长度与第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左上水平部9长度相差0.5mm，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右上水平部12长度与第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右上水平部12长度相差0.5mm。

相邻所述左侧引脚3间隔为1mm，相邻所述右侧引脚4间隔为1mm。

上述左侧引脚3的左上水平部9和左折弯部10的夹角与左折弯部10和左下水平部11的夹角均为90°，所述右侧引脚4的右上水平部12和右折弯部13的夹角与右折弯部13和右下水平部14的夹角均为90°。

上述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左折弯部10的高度与第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左折弯部10的高度相差1mm，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右折弯部13的高度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右折弯部13的高度相差1mm。

实施例2：一种高导热型大功率超薄整流芯片，包括芯片1、金属基板2、4个左侧引脚3、4个右侧引脚4和环氧树脂塑封体5，所述芯片1通过胶粘层6固定于金属基板2上表面，所述芯片1与每个左侧引脚3之间通过左金线7电连接，所述芯片1与每个右侧引脚4之间通过右金线8电连接，所述芯片1、金属基板2、左侧引脚3的内侧端和右侧引脚4的内侧端位于环氧树脂塑封体5内；

所述4个左侧引脚3从前向后依次为第一左侧引脚31、第二左侧引脚32、第三左侧引脚33和第四左侧引脚34，所述4个右侧引脚4从前向后依次为第一右侧引脚41、第二右侧引脚42、第三右侧引脚43和第四右侧引脚44；

所述第一左侧引脚31、第二左侧引脚32、第三左侧引脚33和第四左侧引脚34裸露出环氧树脂塑封体5部分均由左上水平部9、左折弯部10和左下水平部11首尾依次连接组成，所述第一右侧引脚41、第二右侧引脚42、第三右侧引脚43和第四右侧引脚44裸露出环氧树脂塑封体5部分均由右上水平部12、右折弯部13和右下水平部14首尾依次连接组成；

所述第一左侧引脚31和第三左侧引脚33的左上水平部9长度相同，所述第一左侧引脚31和第三左侧引脚33的左折弯部10高度相同，所述第二左侧引脚32和第四左侧引脚34的左上水平部9长度相同，所述第二左侧引脚32和第四左侧引脚34的左折弯部10高度相同；

所述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左上水平部9的长度大于第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左上水平部9的长度，所述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左折弯部10的高度大于第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左折弯部10的高度；

所述第一右侧引脚41和第三右侧引脚43的右上水平部12长度相同，所述第一右侧引脚41和第三右侧引脚43的右折弯部13高度相同，所述第二右侧引脚42和第四右侧引脚44的右上水平部12长度相同，所述第二右侧引脚42和第四右侧引脚44的右折弯部13高度相同；

所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右上水平部12的长度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右上水平部12的长度，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右折弯部13的高度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右折弯部13的高度。

上述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左上水平部9长度与第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左上水平部9长度相差1.8mm，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右上水平部12长度与第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右上水平部12长度相差1.8mm。

相邻所述左侧引脚3间隔为3mmmm，相邻所述右侧引脚4间隔为3mmmm。

上述左侧引脚3的左上水平部9和左折弯部10的夹角与左折弯部10和左下水平部11的夹角均为110°，所述右侧引脚4的右上水平部12和右折弯部13的夹角与右折弯部13和右下水平部14的夹角均为110°。

上述第一左侧引脚31、第三左侧引脚33的左折弯部10的高度与第二左侧引脚32、第四左侧引脚34的左折弯部10的高度相差0.6mm，所述第一右侧引脚41、第三右侧引脚43的右折弯部13的高度大于第二右侧引脚42、第四右侧引脚44的右折弯部13的高度相差0.6mm。

采用上述高导热型大功率超薄整流芯片时，其第一左侧引脚和第三左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部的长度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部的长度；第一右侧引脚和第三右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部的长度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部的长度，在水平方向和垂直方向上都将相邻的引脚错开来设置，有效消除引脚之间电压干扰，也有利于进一步缩小器件的尺寸，提高产品的使用寿命，降低产品生产成本。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。