带屏蔽结构的集成电路的制作方法

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

布置在半导体衬底上的互连结构，其中所述互连结构包括：

第一器件，其布置在所述互连结构的第一部分中；

第一屏蔽板，包括第一导电材料，所述第一屏蔽板布置在所述互连结构的所述第一部分之上的所述互连结构的第二部分中；

第二器件，其布置在所述互连结构的所述第二部分之上的所述互连结构的第三部分中；和

隔离壁，包括第二导电材料，所述隔离壁布置在所述互连结构的所述第一、第二和第三部分中，其中所述隔离壁耦合到所述第一屏蔽板，并且所述隔离壁围绕所述第一器件、所述第一屏蔽板和所述第二器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二器件是电感。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电感包括第三导电材料的线圈，所述第三导电材料不同于所述第一和第二导电材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件设置在第一导电层中；

其中所述第一屏蔽板设置在所述第一导电层之上的第二导电层中；并且

其中所述第二导电层与所述第一导电层相邻。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一屏蔽板设置在第一导电层中；

其中所述第二器件设置在所述第一导电层上的第二导电层中；并且

其中所述第二导电层与所述第一导电层相邻。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述互连结构不包括伪导电结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一屏蔽板包括多个指，并且

其中所述隔离壁耦合到每个指的一端。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述互连结构包括：

第二屏蔽板，包括第三导电材料，所述第二屏蔽板布置在所述互连结构的所述第三部分之上的所述互连结构的第四部分中；和

第三器件，其布置在所述互连结构的所述第四部分之上的所述互连结构的第五部分中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离壁围绕所述第二屏蔽板和所述第三器件。