有机发光二极管显示器的制作方法

文档序号:14859815发布日期:2018-07-04 06:27阅读:来源:国知局
有机发光二极管显示器的制作方法

技术特征:

1.一种有机发光二极管显示器,特征在于包括:

基板;

位于所述基板上的像素阵列,每个像素被配置为接收电源电压并且每个像素具有带有阳极的发光二极管;

在其上形成所述阳极的平面化层;和

由水平延伸的锯齿形金属线和垂直延伸的线形成的网格状电源分配路径,其中所述阳极与所述垂直延伸的线重叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中每个像素具有正电源端子和接地电源端子,并且其中所述网格状电源分配路径为耦接至所述像素的所述正电源端子的正电源分配路径。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中每个阳极具有菱形形状,所述菱形形状具有相对于所述垂直延伸的线成对角延伸的边缘。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述垂直延伸的线中的每个垂直延伸的线为相应垂直延伸的笔直金属线。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述像素包括不同颜色的像素,所述不同颜色的像素中的每个像素通过具有与所述垂直延伸的笔直金属线的相应重叠区域来表征,并且其中所述不同颜色的像素的所述重叠区域相差小于20%。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述不同颜色的像素的所述重叠区域相差小于10%。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述水平延伸的锯齿形金属线不与任何阳极重叠。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括位于所述基板上的薄膜晶体管,其中所述薄膜晶体管具有由第一金属层形成的源极-漏极端子,其中聚合物层与所述第一金属层重叠,并且其中所述网格状电源分配路径插置在所述聚合物层和所述平面化层之间。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述水平延伸的锯齿形金属线不与所述阳极重叠。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中每个水平延伸的锯齿形金属线具有位于一对所述阳极的相对对角边缘之间的至少一个对角区段。

11.一种有机发光二极管显示器,特征在于包括:

基板;

位于所述基板上的像素阵列,每个像素被配置为接收电源电压并且每个像素具有带有阳极的发光二极管;

第一聚合物层和第二聚合物层;和

位于所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间的向所述像素阵列分配所述电源电压的网格状正电源分配路径,其中每个阳极通过具有与所述网格状正电源分配路径的相应重叠区域来表征,并且其中所述像素的所述重叠区域相差小于30%。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器,其中所述像素包括不同颜色的像素,并且其中所述不同颜色的像素的所述重叠区域相差小于10%。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器,其中所述网格状电源分配路径包括相交的水平延伸的金属线和垂直延伸的金属线。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器,其中所述阳极与所述垂直延伸的金属线重叠并且不与所述水平延伸的金属线重叠。

15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器,其中所述垂直延伸的金属线为垂直延伸的笔直金属线。

16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器,其中所述水平延伸的金属线包括相对于所述垂直延伸的笔直金属线以非零角度延伸的对角线区段。

17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器,其中所述阳极由菱形金属区域形成,并且其中所述对角线区段中的每个对角线区段在一对所述菱形金属区域的相对对角边缘之间延伸。

18.一种有机发光二极管显示器,特征在于包括:

基板;

位于所述基板上的薄膜电路;

位于所述薄膜电路上的第一聚合物平面化层和第二聚合物平面化层;

位于所述第一聚合物平面化层和所述第二聚合物平面化层之间的形成网格状正电源分配路径的图案化金属层,所述网格状正电源分配路径向所述薄膜电路分配正电源电压;和

有机发光二极管阵列,每个有机发光二极管具有位于所述第二聚合物平面化层上的相应阳极。

19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器,其中所述网格状正电源分配路径具有相交的不与所述阳极重叠的水平延伸的线和与所述阳极重叠的垂直延伸的线的栅格。

20.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器,其中所述水平延伸的线为锯齿形金属线,并且其中所述垂直延伸的线为笔直金属线。

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