绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器的制作方法

技术特征：

1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:

半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述有源区包括沟槽栅极区、阱区以及发射极区，所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；

所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*10¹⁷/cm^-3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*10¹⁹/cm^-3。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度小于或等于4*10¹⁶/cm^-3。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度为1*10¹⁴/cm^-3～6*10¹⁴/cm^-3。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极区的厚度为0.4um～1.0um。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的厚度为1.0um～2.5um。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的厚度与所述发射极区的厚度之差为1um～2um。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述发射极区的掺杂类型为N型掺杂，所述集电极区的掺杂类型为P型掺杂，所述阱区的掺杂类型为P型掺杂。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；所述第一掺杂区域的掺杂浓度高于第二掺杂区域的掺杂浓度。

9.一种IPM模块，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的绝缘栅双极晶体管。

10.一种空调器，其特征在于，所述空调器包括如权利要求1至8任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，和/或包括如权利要求9所述的IPM模块。