技术总结
本实用新型公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器，所述绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，有源区、集电极区以及漂移区；有源区设置在所述第一表面处，所述集电极区设置在所述第二表面处；所述漂移区连接所述有源区和集电极区。所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；本方案中，设置所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*1017/cm‑3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*1019/cm‑3。以使该绝缘栅双极型晶体具有良好的导通压降和关断时间的折中关系，其综合性能更好，应用能力更强，以及应用的场合更广。
技术研发人员：冯宇翔;甘弟
受保护的技术使用者：广东美的制冷设备有限公司
文档号码：201721231795
技术研发日：2017.09.22
技术公布日：2018.04.20