一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板的制作方法

技术特征：

1.一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连。

2.如权利要求1所述的一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，所述高阻硅层全覆盖于硅衬底上。

3.如权利要求1所述的一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，所述高阻硅层设于硅衬底的一侧。

4.如权利要求2或3所述的一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，所述高阻硅层的深能级杂质元素为金。

5.如权利要求4所述的一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，所述波导材料为金。

6.如权利要求5所述的一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，其特征在于，所述硅衬底为（100）晶面硅晶圆。