技术总结
一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板，涉及光电子器件领域，包括一硅衬底，所述硅衬底表面设有由深能级杂质元素扩散形成的高阻硅层，所述高阻硅层的厚度为10~600微米，所述高阻硅层上设有由波导材料制成的用于高频传输用的共面波导，所述硅衬底表面还纵向设有一定位V型槽，该定位V型槽一端向外延伸为开口、另一端与高阻硅层相连，本实用新型的目的是提出一种新型半导体激光器无源耦合与高频封装用硅基板，该硅基板采用廉价的低阻硅作为硅衬底，通过金元素扩散，形成几十到几百微米深度的高阻硅层，在扩散形成的高阻硅层上制作用于高频传输用的共面波导，本硅基板结构简单，其制备工艺简单，生产效率高，适宜用于批量生产。
技术研发人员：徐建卫
受保护的技术使用者：上海矽安光电科技有限公司
技术研发日：2017.10.26
技术公布日：2018.06.12