具有侧面反射层的发光二极管的制作方法

本实用新型涉及一种发光二极管，更加具体地涉及一种可以使用侧面反射层来调整指向角的发光二极管。

背景技术：

通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等Ⅲ族元素的氮化物，其热稳定性出色且具有直接跃迁型(direct transition)的能带(band)结构，因此最近作为可见光线以及紫外线区域的光源用物质备受青睐。尤其是，使用氮化铟镓(InGaN)的蓝色以及绿色发光二极管应用于大型天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、相机闪光灯、高清输出系统与光通信等各种应用领域。另外，由于从发光二极管射出的光的直进性出色，因此最近广泛应用于汽车用头灯(head lamp)。

发光二极管需要根据应用领域来调整指向角。尤其是，对应用于汽车用头灯或者闪光灯的发光二极管而言，其指向角越窄越有利。另外，如液晶电视(LED TV)等，在使用利用透镜使光分散的背光光源模块时，从发光二极管的侧面射出的光难以通过透镜而向外部射出，因此可能会增加光的损失。因此，需要使向发光二极管的侧面行进的光反射而使其向较窄的指向角范围内射出。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的课题是提供一种具有较窄的指向角的发光二极管。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种能够减少通过侧面射出的光量而减小指向角的发光二极管。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种能够较容易地调整指向角的发光二极管。

本实用新型所要解决的又一课题是提供一种在减少发光二极管之间的电特性偏差的同时能够体现较窄的指向角的发光二极管。

根据本实用新型的一实施例的发光二极管包括：基板，具有侧面；半导体堆叠层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别电连接于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层；以及侧面反射层，覆盖所述基板的侧面。

优选地，所述基板的侧面包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面和相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，所述侧面反射层至少覆盖所述垂直的侧面。

优选地，所述垂直的侧面比所述倾斜的侧面更接近所述基板的上表面，所述侧面反射层还覆盖所述倾斜的侧面。

优选地，所述发光二极管还包括：绝缘层，夹设于所述倾斜的侧面与所述侧面反射层之间。

优选地，所述倾斜的侧面比所述垂直的侧面更接近所述基板的上表面。

优选地，所述侧面反射层覆盖所述垂直的侧面，但不覆盖所述倾斜的侧面。

优选地，所述基板的侧面相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直。

优选地，所述基板的上表面具有粗糙面，所述粗糙面用于使在所述活性层生成的光射出。

优选地，所述发光二极管包括台面，所述台面配置于所述第一导电型半导体层上，所述台面包括所述活性层和所述第二导电型半导体层，所述台面与所述侧面相隔，所述侧面反射层与所述台面横向相隔而配置。

优选地，所述发光二极管还包括：下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层上，且通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。

优选地，所述台面包括通孔，所述通孔贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。

优选地，所述台面在侧面还包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。

优选地，所述台面具有边角被切断的形状，所述第一焊盘金属层在所述台面的边角附近电连接于所述第一导电型半导体层。

优选地，所述侧面反射层包括金属反射层或者分布布拉格反射器。

优选地，所述基板是蓝宝石基板或者氮化镓系基板。

根据本实用新型的一实施例的光源模块包括：根据权利要求1至权利要求15中的任意一项所述的发光二极管。

优选地，所述光源模块还包括：波长转换器，配置于所述发光二极管上部。

优选地，所述波长转换器包括荧光体片、荧光体玻璃或者碳化硅荧光体。

根据本实用新型的一实施例的汽车安装有头灯，所述头灯包括：根据权利要求1至权利要求15中任意一项所述的发光二极管。

根据本实用新型的一实施例的移动设备安装有相机闪光灯，所述相机闪光灯包括：根据权利要求1至权利要求15中任意一项所述的发光二极管。

根据本实用新型的实施例，采用侧面反射层的同时使从活性层至出光面的距离为50μm以上，从而可以提供一种指向角为110度以下的发光二极管。此外，通过维持侧面反射层与金属层之间的距离而防止电短路，从而可以提供一种电可靠性出色且偏差较少的发光二极管。

另外，根据本实用新型的实施例，通过采用侧面反射层而能够反射朝向发光二极管的侧面的光，从而可以提供一种指向角较窄的发光二极管，另外，通过调整侧面反射层的位置能够较容易地调整发光二极管的指向角。此外，通过使侧面反射层与第一焊盘金属层沿横向隔开，能够防止侧面反射层与焊盘金属层之间的电连接，从而可以提供一种电稳定性出色的发光二极管。

本实用新型的其他优点以及效果将通过详细说明会变得更加明确。

附图说明

图1是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管的示意性的平面图。

图2是沿着图1的截取线A-A截取的剖面图。

图3是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图4是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图5是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图6是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图7是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图8是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的示意性的剖面图。

图9A、图9B、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A、图16B、图17A、图17B、图17C和图17D是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管的制造方法的示意图。

图18A、图18B、图18C和图18D是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的制造方法的示意性的剖面图。

图19是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的制造方法的示意性的剖面图。

图20A、图20B、图20C和图20D是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管的制造方法的示意性的剖面图。

图21是用于说明本实用新型的一实施例的光源模块的示意性的剖面图。

图22是用于说明根据本实用新型的一实施例的光源模块的示意性的剖面图。

图23是显示安装有采用根据本实用新型的实施例的发光二极管的头灯的车辆的示意性的立体图。

图24是显示安装有采用根据本实用新型的实施例的发光二极管的相机闪光灯的移动设备的示意性的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。以下介绍的实施例是为了使本发明所属技术领域的普通技术人员能够充分理解本发明的思想而举例提供的。因此，本发明并不限定于以下说明的实施例，也可以被具体化为其他形式。此外，为了便于说明，在图中，也可以夸大描述构成要素的宽度、长度、厚度等。另外，在记载为一个构成要素在另一构成要素的“上部”或者“上方”时，不仅包括各部分在其他部分的“正上部”或者“正上方”的情况，还包括在各构成要素与另一构成要素之间还夹设有其他构成要素的情况。在整个说明书中，同一个附图符号显示同一构成要素。

根据本实用新型的一实施例，提供一种发光二极管，其包括：半导体堆叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别电连接于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；出光面，具有用于使在所述活性层生成的光射出的粗糙面；侧面，限定所述出光面；以及侧面反射层，覆盖所述侧面中的至少一部分，其中，所述出光面与所述欧姆反射层对向地位于所述第一导电型半导体层的上部，从所述活性层至所述出光面的所有层利用氮化镓系半导体构成，从所述活性层至所述出光面的距离是50μm以上。

所述侧面可以包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，所述垂直的侧面可以比所述倾斜的侧面更接近所述出光面。

所述倾斜的侧面相对于所述垂直的侧面可以具有大约10度以上的倾斜角。

另一方面，所述侧面反射层可以覆盖所述垂直的侧面以及所述倾斜的侧面。

所述发光二极管可以包括配置于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面可以包括所述活性层和所述第二导电型半导体层。进而，所述台面可以与所述侧面相隔，并且所述侧面反射层可限定于所述侧面而配置。

另外，所述发光二极管还可以包括：下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层上，且通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部可分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。

另一方面，所述台面可以包括通孔，所述通孔贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。

此外，所述台面在侧面还可以包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。

另外，所述台面可以具有边角被切断的形状，所述第一焊盘金属层在所述台面的边角附近可电连接于所述第一导电型半导体层。

在一些实施例中，所述发光二极管还可以包括欧姆氧化物层，所述欧姆氧化物层在所述欧姆反射层的周围配置于所述第二导电型半导体层上。

在一些实施例中，还可以包括配置于所述第一导电型半导体层上的氮化镓基板，所述出光面形成于所述氮化镓系基板，所述侧面反射层可以覆盖所述基板的侧面以及第一导电型半导体层的侧面。

所述发光二极管的光指向角可以是110度以下。

根据本实用新型的又一实施例，提供一种发光二极管，其包括：基板，具有出光面和侧面，所述出光面具有粗糙面；第一导电型半导体层，配置于所述基板上；台面，配置于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，覆盖所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第一凸块焊盘，电连接于所述第一焊盘金属层；第二凸块焊盘，电连接于所述欧姆反射层；以及侧面反射层，覆盖所述基板的侧面以及所述第二导电型半导体层的侧面，其中，所述侧面反射层以与所述第一焊盘金属层不重叠的方式与所述第一焊盘金属层沿水平方向隔开。

所述侧面反射层可限定于所述基板和第一导电型半导体层的侧面而配置。即，侧面反射层与台面相隔，并与台面周围的第一导电型半导体层的暴露面相隔。

所述发光二极管还可以包括：第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，所述第二凸块焊盘可通过所述上部绝缘层的第二开口部连接于所述第二焊盘金属层。

在一些实施例中，所述基板的侧面可以包括相对于所述出光面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，所述侧面反射层可以覆盖所述垂直的侧面和倾斜的侧面。

所述垂直的侧面和倾斜的侧面上的侧面反射层可以具有大致均匀的厚度。

在一些实施例中，所述发光二极管还可以包括绝缘层，所述绝缘层夹设于所述倾斜的侧面与所述侧面反射层之间。

另一方面，所述侧面反射层的一侧端部与所述台面周围的第一导电型半导体层的面对齐或者可以与所述第一导电型半导体层的面相隔。

在一些实施例中，所述台面包括：通孔，贯穿所述第二导电型半导体层和所述活性层而使所述第一导电型半导体层暴露；以及凹陷部，形成于所述台面的侧面而使所述第一导电型半导体层暴露，其中，所述第一焊盘金属层可电连接于暴露于所述通孔以及所述凹陷部的第一导电型半导体层。

另外，所述第一焊盘金属层在所述台面的边角附近可以电连接于所述第一导电型半导体层。据此，电流可以在发光二极管内均匀地分散。

另一方面，所述侧面反射层可以包括金属反射层或者分布布拉格反射器。

根据本实用新型的又一实施例的发光二极管包括：基板，具有侧面；半导体堆叠层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别电连接于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面。

并且，通过侧面反射层反射向基板的侧面行进的光，从而能够缩小发光二极管的光指向角。

在一实施例中，所述基板的侧面包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面。所述侧面反射层至少可以覆盖所述垂直的侧面。

所述倾斜的侧面相对于所述垂直的侧面可以具有大约10度以上的倾斜角。

此外，所述垂直的侧面可以比所述倾斜的侧面更接近于所述基板的上表面。另外，所述侧面反射层还可以覆盖所述倾斜的侧面。另外，所述发光二极管还可以包括绝缘层，所述绝缘层夹设于所述倾斜的侧面与所述侧面反射层之间。

在另一实施例中，所述倾斜的侧面可以比所述垂直的侧面更加接近于所述基板的上表面。

另一方面，所述侧面反射层可以覆盖所述倾斜的侧面。但是，本实用新型并不限定于此，所述侧面反射层还可以覆盖所述垂直的侧面而不覆盖所述倾斜的侧面。通过变更侧面反射层的形成位置，可以调整发光二极管的指向角。

所述基板的侧面可相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直。

在一实施例中，所述侧面反射层可以覆盖所述基板的整个侧面。在另一实施例中，所述侧面反射层能够以彼此隔开的多个带形状覆盖所述基板的侧面。因此，所述基板的侧面的一部分通过侧面反射层暴露，而光的一部分可以通过该暴露的部分向外部射出。

在一些实施例中，所述基板的上表面可以具有用于使在所述活性层生成的光射出的粗糙面。粗糙面提高光的提取效率。

另一方面，所述发光二极管可以包括配置于所述第一导电型半导体层上的台面。所述台面包括所述活性层和所述第二导电型半导体层，且从所述侧面隔开。另外，所述侧面反射层可从所述台面沿横向隔开而配置。

另外，所述发光二极管还可以包括：下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层上，且通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部可分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。

另一方面，所述台面可以包括通孔，所述通孔贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。

此外，所述台面在侧面还可以包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。

另外，所述台面可以具有边角被切断的形状，所述第一焊盘金属层在所述台面的边角附近可电连接于所述第一导电型半导体层。

所述侧面反射层可以包括金属反射层。另外，所述基板可以是蓝宝石基板或者氮化镓系基板。

根据本实用新型的又一实施例，提供一种发光二极管，其包括：基板，具有侧面；第一导电型半导体层，配置于所述基板的下部；台面，配置于所述第一导电型半导体层的下方，且包括活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，覆盖所述第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第一凸块焊盘，电连接于所述第一焊盘金属层；第二凸块焊盘，电连接于所述欧姆反射层；以及侧面反射层，覆盖所述基板的侧面，其中，所述侧面反射层以与所述第一焊盘金属层不重叠的方式与所述第一焊盘金属层子沿横向隔开。

侧面反射层与第一焊盘金属层沿横向隔开，因此能够防止它们之间发生不必要的电连接，据此，可以提高发光二极管的电稳定性。

另一方面，所述发光二极管还可以包括：第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述第二凸块焊盘通过所述上部绝缘层的第二开口部连接于所述第二焊盘金属层。

另外，所述基板的侧面包括相对于所述出光面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，所述侧面反射层至少可以覆盖所述垂直的侧面。

此外，所述侧面反射层可以包括金属反射层。

以下，参照附图进行具体的说明。

图1是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管100的示意性的平面图，图2是沿着图1的截取线A-A截取的剖面图。

参照图1以及图2，所述发光二极管包括基板21、第一导电型半导体层23、活性层25、第二导电型半导体层27、欧姆反射层31、下部绝缘层33、第一焊盘金属层35a、第二焊盘金属层35b、上部绝缘层37、第一凸块焊盘39a、第二凸块焊盘39b和侧面反射层41。第一导电型半导体层23、活性层25和第二导电型半导体层27形成半导体堆叠层30。此外，所述发光二极管还可以包括透明欧姆层或者欧姆氧化物层29。

所述基板21是能够使氮化镓系半导体层生长的基板，例如，可以是蓝宝石基板或者氮化镓系基板。蓝宝石基板能够以相对较低的成本使氮化镓系半导体层生长。另一方面，氮化镓系基板具有与第一导电型半导体层23相同或者类似的折射率，因此从活性层25射出的光可以不经过较大的折射变化而射入基板，从而能够提高光效率。基板21的上表面可以具有粗糙面R，而光通过粗糙面R而向外部射出。据此，可以提高发光二极管的光提取效率。

从活性层23至基板21的上表面的距离越远，光的指向角越窄。该距离为50μm以上，且上限不受特殊限制，但可以是，例如，500μm以下，进而可以是300μm以下。基板21的大小不受特殊限制，可以选择为各种各样。

在本实施例中，对基板21是生长基板的情况进行了说明，但并不限定于此，也可以是在其他生长基板上生长的相对较厚的氮化镓系半导体层。另外，第一导电型半导体层23的连续的层也可以替代基板。而其他的生长基板可以去除。

基板21具有相对于基板21的下表面垂直的侧面以及相对于垂直的侧面倾斜的侧面。垂直的侧面与倾斜的侧面所形成的角可以是大约10度以上。垂直的侧面的倾斜角可以通过划线(scribing)而规定，但应用使用激光的划线工序的情况与应用使用刀片(Blade)的划线工序相比，坡度更陡。垂直的侧面与倾斜的侧面之间的界线用虚线表示。垂直的侧面与倾斜的侧面可在基板21的四个侧面均形成。

第一导电型半导体层23可配置于基板21上。尤其是，第一导电型半导体层23邻接配置于基板21的倾斜的侧面。第一导电型半导体层23可以是生长于基板21上的层，且可以是氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23可以是掺杂有杂质的氮化镓系半导体层，例如，掺杂有硅(Si)的氮化镓系半导体层。在这里，说明为第一导电型半导体层23与基板21被划分，但它们之间可以不明确得到划分。尤其是，当基板21与第一导电型半导体层23是相同的材质时，很难明确地划分基板21与第一导电型半导体层23。另一方面，如图所示，所述倾斜的侧面的一部分可以包括第一导电型半导体层23。

在第一导电型半导体层23上配置有台面M。台面M可限定于由第一导电型半导体层23包围的区域内侧而配置，因此，第一导电型半导体层的边缘附近区域可以不被台面M覆盖而暴露于外部。

台面M包括第二导电型半导体层27与活性层25。另外，台面M可以包括第一导电型半导体层23的一部分厚度。所述活性层25夹设于第一导电型半导体层23与第二导电型半导体层27之间。活性层25可以具有单量子阱结构或者多层量子阱结构。活性层25内的阱层的组成以及厚度决定所生成的光的波长。尤其是，通过调整阱层的组成可以提供生成紫外线、蓝色光或者绿色光的活性层。

另一方面，第二导电型半导体层27可以是掺杂有P型杂质的氮化镓系半导体层，例如，掺杂有镁(Mg)的氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层23和第二导电型半导体层27分别可以是单层，但并不限定于此，也可以是多层，也可以包括超晶格层。第一导电型半导体层23、活性层25和第二导电型半导体层27可利用如金属有机化学气象沉积法(MOCVD)或者分子束外延(MBE)等众所周知的方法在腔室内生长于基板21上而形成。

台面M具有以离第一导电型半导体层23越远面积变得越窄的方式倾斜的侧面。台面M的倾斜可以比基板21的侧面的倾斜更舒缓。但是，本实用新型并不限定于此，基板21的倾斜的侧面也可以比台面M的侧面更舒缓。

另一方面，台面M可以包括通孔30a，其贯穿第二导电型半导体层27和活性层25而使第一导电型半导体层23暴露。通孔30a被第二导电型半导体层27和活性层25包围。台面M具有大致矩形形状，且可以具有边角被切断的形状。另外，台面M可以包括凹陷部30b，其使第一导电型半导体层23暴露。凹陷部30b的一部分被第二导电型半导体层27和活性层25包围。可以在台面M的四个侧面全部配置凹陷部30b，但并不限定于此，也可以限定于一至三个侧面而配置。通孔30a和凹陷部30b的侧壁可以与台面M的侧面类似地倾斜。另外，它们的侧壁的倾斜度可以比基板21的侧面的倾斜度更平缓。

另一方面，欧姆反射层31配置于台面M的上部而接触于第二导电型半导体层27。欧姆反射层31在台面M的上部区域可以跨越台面M的几乎所有区域而配置。例如，欧姆反射层31可以覆盖台面M上部区域的80％以上，进而，可以覆盖90％以上。

欧姆反射层31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以使在活性层25生成而向欧姆反射层31行进的光反射至基板21侧。例如，欧姆发射层31可以利用单一的反射金属层形成，但并不限定于此，也可以包括欧姆层与反射层。作为欧姆层可以使用如镍(Ni)等金属层，作为反射层可以使用如银(Ag)或者铝(Al)等反射率较高的金属层。另外，欧姆反射层31可以包括势垒层(barrier layer)，例如，可以包含镍(Ni)、钛(Ti)和金(Au)。例如，欧姆反射层可以具有Ni/Ag/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的层叠结构。

另一方面，欧姆氧化物层29可以覆盖所述欧姆反射层31周围的台面M。欧姆氧化物层29，可以利用例如铟锡氧化物(Iindium Tin Oxide，ITO)或者氧化锌(ZnO)等透明氧化物层形成。欧姆氧化物层29的侧面大致可以与台面M的侧面对齐。在欧姆反射层31的周围配置欧姆氧化物层29，从而能够扩宽欧姆接触区域，因此，能够降低发光二极管的正向电压。

下部绝缘层33覆盖台面M、欧姆氧化物层29和欧姆反射层31。另外，下部绝缘层33能够沿着台面M的周边覆盖台面M的侧面，且能够覆盖暴露于台面M周边的第一导电型半导体层23的一部分。下部绝缘层33在通孔30a内覆盖通孔30a的侧壁，且覆盖凹陷部30b的侧壁。

另一方面，下部绝缘层33具有使第一导电型半导体层暴露的第一开口部33a以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。第一开口部33a可配置于通孔30a和凹陷部30b。另外，下部绝缘部33可以沿着台面M的周边而使第一导电型半导体层23暴露。

下部绝缘层33的第二开口部33b使欧姆反射层31暴露。第二开口部33b可以形成有多个，这些第二开口部33b可配置于台面M的一侧边缘附近。

下部绝缘层33可以利用二氧化硅(SiO2)或者氮化硅(Si3N4)的单层形成，但并不限定于此。例如，下部绝缘层33还可以具有包括氮化硅膜与氧化硅膜的多层结构，也可以包括如同氧化硅膜以及氧化钛膜那样将折射率彼此不同的介电层交替层叠的分布布拉格反射器。

另一方面，第一焊盘金属层35a配置于所述下部绝缘层33上，且通过下部绝缘层33而与台面M和欧姆反射层31绝缘。第一焊盘金属层35a通过下部绝缘层33的第一开口部33a接触于第一导电型半导体层23。第一焊盘金属层35a可以包括：外部接触部，在台面M的周边接触于第一导电型半导体层23；内部接触部，在通孔30a内接触于第一导电型半导体层23。外部接触部可形成于在台面M的周边形成的凹陷部30a附近，另外，可形成于台面M的四个边角附近。可以使用内部接触部和外部接触部中的至少一个接触部，通过使用所有这些接触部可以提高发光二极管的电流分散性能。

另一方面，第二焊盘金属层35b在下部绝缘层33上配置于台面M的上部区域，且通过下部绝缘层33的第二开口部33b电连接于欧姆反射层31。第二焊盘金属层35b可以被第一焊盘金属层35a包围，且在它们之间可以形成边界区域35ab。在边界区域35ab暴露有下部绝缘层33，该边界区域35ab被下述的上部绝缘层37覆盖。

第一焊盘金属层35a与第二焊盘金属层35b可以在同一工序中利用相同的材料一起形成。第一和第二焊盘金属层35a、35b可以包括如Al层等欧姆反射层，欧姆反射层可形成于Ti、Cr或者Ni等粘合层上。另外，在所述欧姆反射层上可形成有Ni、Cr、Au等单层或者复合层结构的保护层。第一和第二焊盘金属层35a、35b可以具有例如Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。

上部绝缘层37覆盖第一和第二焊盘金属层35a、35b。另外，上部绝缘层37沿着台面M的周边能够覆盖第一导电型半导体层23。只不过，上部绝缘层37沿着基板21的边缘可以使第一导电型半导体层23暴露。

另一方面，上部绝缘层37具有使第一焊盘金属层35a暴露的第一开口部37a以及使第二焊盘金属层35b暴露的第二开口部37b。第一开口部37a和第二开口部37b可配置于台面M的上部区域，且可以彼此对置地配置。尤其是，第二开口部37b可限定于第二焊盘金属层35b的上部区域内而配置。

在本实施例中，图示以及说明为第二开口部37b使下部绝缘层33的第二开口部33b的上部区域全部暴露，但上部绝缘层的第二开口部37b与下部绝艳层33的第二开口部33b也可以沿水平方向彼此隔开。即，第二开口部33b可配置于第二开口部37b的外部，多个第二开口部37b还可以从第二开口部33b沿水平方向隔开而配置。

上部绝缘层37可以利用SiO2或者Si3N4的单层形成，但并不限定于此。例如，上部绝缘层37也可以具有包括氮化硅膜与氧化硅膜的多层结构，也可以包括如氧化硅膜以及氧化钛膜一样将折射率彼此不同的介电层交替层叠的分布布拉格反射器。

另一方面，第一凸块焊盘39a电接触于通过所述绝缘层37的第一开口部37a暴露的第一焊盘金属层35a，第二凸块焊盘39b电接触于通过第二开口部37b暴露的第二焊盘金属层35b。如图1以及图2所示，第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b可分别限定于第一开口部37a和第二开口部37b内而配置，但并不限定于此，也可以将第一开口部37a和第二开口部37b全部覆盖而密封。

第一凸块焊盘39a通过第一焊盘金属层35a电连接于第一导电型半导体层23，第二凸块焊盘39b通过第二焊盘金属层35b和欧姆反射层31电连接于第二导电型半导体层27。第二焊盘金属层35b也可以省略，而第二凸块焊盘39b也可以直接连接于欧姆反射层31。

如图1所示，第二凸块焊盘39b可限定于第二焊盘金属层35a的上部区域内而配置。但是，本实用新型并不限定于此，第二凸块焊盘39b的一部分也可以与第一焊盘金属层35a重叠。只不过，上部绝缘层37配置于第一焊盘金属层35a与第二凸块焊盘39b之间而使它们绝缘。

另一方面，侧面反射层41配置于基板21的侧面上。侧面反射层41不仅覆盖基板21的垂直的侧面，还覆盖倾斜的侧面。另外，侧面反射层41可以覆盖第一导电型半导体层23的侧面。

侧面反射层41可以将基板21的四个侧面全部覆盖，但本实用新型并不限定于此，也可以覆盖一至三个侧面。

另一方面，侧面反射层41沿横向与台面M相隔。此外，如图2的放大部分所示，侧面反射层41沿横向与第一焊盘金属层35a相隔。尤其是，侧面反射层41可位于台面M的上部表面的上方，因此，位于台面M周围的第一导电型半导体层23的暴露面的上方。例如，侧面反射层41的下部端部可以与第一导电型半导体层23的暴露面对齐，如用虚线所示，可位于第一导电型半导体层23的暴露面的上方。据此，台面M周围的第一导电型半导体层23的暴露面的一部分在侧面反射层41与上部绝缘层37之间可暴露于外部。

侧面反射层41可以包括Ag或者Al的金属反射层，而如Ni和/或Ti等势垒层可配置于金属反射层上。另外，为了防止氧化，如Au等抗氧化膜可配置于势垒层上。此外，为了改善金属反射层的接合特性，如Ni或者Ti等粘合层可配置于金属反射层与基板21之间。侧面反射层41也可以欧姆接触于基板21和第一导电型半导体层23，但也可以肖特基接触(Schottky contact)。

另一方面，除了金属反射层以外，侧面反射层41也可以包括分布布拉格反射器，也可以是在金属反射层与基板21之间包括透明氧化物层的全方位反射层(Omni directional reflector：ODR)。

侧面反射层41限定于基板21和第一导电型半导体层23的侧面而配置，从而能够防止侧面反射层41与第一焊盘金属层35a直接连接(短路)，因此，能够减少侧面反射层41所致的电干涉。

侧面反射层41包括金属反射层，当该金属反射层与第一焊盘金属层35a重叠时，因发生于上部绝缘层37内的销孔(pin hole)或者裂纹(crack)等缺陷，侧面反射层41可能会意外地直接电连接于第一焊盘金属层35a。在这种情况下，如正向电压之类的发光二极管的电特性可能会根据侧面反射层41与第一焊盘金属层35a的接触与否而发生严重变化，据此，在所制造的发光二极管之间可能会发生严重的电特性偏差。与此相反，根据本实用新型的实施例，通过使侧面反射层41与第一焊盘金属层35a相隔而能够大量地制造出电特性偏差较少的发光二极管。

图3是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管200的示意性的剖面图。

参照图3，根据本实施例的发光二极管200与参照图1以及图2说明的发光二极管100大致类似，但在上部绝缘层34覆盖基板21的倾斜的侧面的这一点上存在差异。

即，上部绝缘层37覆盖暴露于台面M周边的整个第一导电型半导体层23，此外，覆盖第一导电型半导体层23的侧面和基板21的倾斜的侧面。只不过，上部绝缘层37不覆盖基板21的垂直的侧面。

另一方面，侧面反射层41覆盖基板21的垂直的侧面，且覆盖倾斜的侧面上的上部绝缘层37。在这种情况下，侧面反射层41的下部端部也可以与第一导电型半导体层23的暴露面对齐，但如用虚线所示，也可位于所述第一导电型半导体层23的下方。只不过，侧面反射层41的下部端部与上部绝缘层37的水平面对齐或者位于其上方。

当倾斜的侧面通过划线工序形成时，侧面可能会粗糙地形成。在这种情况下，侧面反射层41不沉积于倾斜的侧面或者即使沉积也容易剥落。因此，用绝缘层37覆盖倾斜的侧面，从而能够稳定地形成侧面反射层41。

图4是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管300的示意性的剖面图。

参照图4，根据本实施例的发光二极管300与参照图1以及图2说明的发光二极管100大致类似，但在倾斜的侧面比垂直的侧面更接近基板21的上表面侧的这一点上存在差异。倾斜的侧面与基板21的上表面邻接，而垂直的侧面可以与第一导电型半导体层23邻接。垂直的侧面和倾斜的侧面可以被侧面反射层41覆盖。

倾斜的侧面配置于基板21的上表面侧，因此根据本实施例的发光二极管300相比于图1以及图2的发光二极管100，可以具有更窄的指向角。

图5是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管400的示意性的剖面图。

参照图5，根据本实施例的发光二极管400与参照图4说明的发光二极管300大致类似，但在侧面反射层41不覆盖倾斜的侧面的这一点上存在差异。即，侧面反射层41覆盖基板21的所述垂直的侧面，但不覆盖基板21的倾斜的侧面。

据此，发光二极管400相比于发光二极管300可以具有更宽的指向角，进而，可以具有比发光二极管100更宽的指向角。

如本实施例，通过调整形成侧面反射层41的高度，可以调整发光二极管的指向角。

图6是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管500的示意性的剖面图。

参照图6，根据本实施例的发光二极管500与参照图5说明的发光二极管400大致类似，但显示倾斜的侧面形成得更平缓。

如图5所示，倾斜的侧面相对于垂直的侧面，可以以大约10度至20度范围，尤其是，10度至15度范围内的倾斜角形成。与此不同地，如本实施例，倾斜的侧面相对于垂直的侧面，可以以20度至60度形成，进而，以30度至50度的角度形成。

通过调整倾斜的侧面的倾斜角，可以调整指向角，且能够改善光提取效率。

图7是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管600的示意性的剖面图。

参照图7，根据本实施例的发光二极管600与参照图1以及图2说明的发光二极管100大致类似，但在基板21无倾斜的侧面而仅具有垂直的侧面的这一点上存在差异。

即，根据本实施例的发光二极管600的基板21具有垂直的侧面。另外，第一导电型半导体层23的侧面可以与基板21的垂直的侧面对齐。

侧面反射层41覆盖基板21的垂直的侧面。

图8是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管700的示意性的剖面图。

参照图8，根据本实施例的发光二极管700与参照图7说明的发光二极管600大致类似，但在侧面反射层41以多个带(band)的形状覆盖基板21的侧面的这一点上存在差异。在多个带之间暴露有基板21的侧面。

如图1所示，基板21可以是长方体形状，且在基板21的各个侧面可以形成有带形状的侧面反射层41。形成于各侧面的带可以彼此连接而形成环(loop)。但是，形成于各侧面的带也可以彼此不连续。

光能够通过暴露的基板21的侧面而射出，据此，相对于图7的发光二极管600能够增加指向角。

图9至图17是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管的制造方法的平面图以及剖面图。图9A、10A、11A、12A、13A、14A、15A和16A是平面图，图9B、10B、11B、12B、13B、14B、15B和16B是沿着各平面图的截取线A-A截取的剖面图。

首先，参照图9A以及图9B，在基板21上生长有包括第一导电型半导体层23、活性层25和第二导电型半导体层27的半导体堆叠层30，在其上方形成有欧姆氧化物层29。

基板21可以是蓝宝石基板或者氮化镓系基板。在基板21为氮化镓系基板的情况下，例如，n型杂质的掺杂浓度可以是7E17～9E17/cm³。另一方面，第一导电型半导体层23的n型杂质的掺杂浓度例如可以是9E18～2E19/cm³。

第一导电型半导体层23、活性层25和第二导电型半导体层27可以通过利用金属有机化学气象沉积法(MOCVD)或者分子束外延(MBE)等众所周知的方法而在腔室内生长于基板21上而形成。

另一方面，欧姆氧化物层29可以利用例如铟锡氧化物(ITO)或者氧化锌(ZnO)等形成。欧姆氧化物层29可以通过电子束蒸发法或者溅镀(sputter)法形成，且可以覆盖第二导电型半导体层27并欧姆接触于第二导电型半导体层27。

参照图10A以及图10B，通过使欧姆氧化物层29和半导体堆叠层30图案化而形成台面M。随着台面M的形成，第一导电型半导体层23暴露于台面M周围。另外，台面M具有通孔30a和凹陷部30b，且可以形成为具有边角被切断的形状。欧姆氧化物层29覆盖台面M的上部区域的大部分，且具有与台面M相同的平面形状。

在本实施例中，欧姆氧化物层29可以通过使用光刻胶图案的湿法蚀刻工序图案化，而半导体堆叠层30可以通过干法蚀刻工序图案化。但是，本实用新型并不限定于此，欧姆氧化物层29与半导体堆叠层30也可以全部通过干法蚀刻工序图案化。另一方面，在欧姆氧化物层29与半导体堆叠层30的图案化工序中，可以继续使用相同的光刻胶图案。

参照图11A以及图11B，通过对欧姆氧化物层29进行图案化而暴露第二导电型半导体层27，且在暴露的区域形成欧姆反射层31。欧姆反射层31包括如Ag或者Al等金属反射层，且可以包括如Ni等欧姆金属层。对于欧姆反射层31的材料，在前面已参照图1以及图2进行了说明，因此为了避免重复而省略详细说明。欧姆反射层31可以利用电子束蒸发法或者溅镀法形成。

参照图12A以及图12B，形成覆盖欧姆氧化物层29和欧姆反射层31的下部绝缘层33。另外，下部绝缘层33覆盖台面M的侧面，且覆盖通孔30a的侧壁。另一方面，下部绝缘层31具有使第一导电型半导体层23暴露的第一开口部33a以及使欧姆反射层31暴露的第二开口部33b。

第一开口部33a可形成于例如通孔30a内，还可形成于凹陷部30b附近。此外，下部绝缘部33可以沿着台面M的周边而覆盖第一导电型半导体层23的一部分。据此，第一导电型半导体层23的一部分可以沿着台面M的周围而暴露。

第二开口部33b在台面M上位于欧姆反射层31上。多个第二开口部33b可偏向台面M的一侧而分布。欧姆反射层31通过第二开口部33b暴露。在本实施例中，图示有五个第二开口部33b，但并不限定于此，也可以形成有一个第二开口部33b，也可以形成有两个以上的第二开口部33b。

参照图13A以及图13B，在下部绝缘层33上形成有第一焊盘金属层35a和第二焊盘金属层35b。第一焊盘金属层35a电连接于通过第一开口部33a暴露的第一导电型半导体层23，第二焊盘金属层35b与暴露于第二开口部33b的欧姆反射层31电连接。

第一焊盘金属层35a可通过通孔30a和凹陷部30b附近的第一开口部30a连接于第一导电型半导体层23，进而，可以在台面M的边角附近连接于第一导电型半导体层23。第一焊盘金属层35a可以具有通过通孔30a接触于第一导电型半导体层23的内部接触部以及在台面M的周围接触于第一导电型半导体层23的外部接触部。第一焊盘金属层35a具有内部接触部和外部接触部，从而能够使电流均匀地分布在台面M的全部区域。

另一方面，第二焊盘金属层35b可以被第一焊盘金属层35a包围，且在第一焊盘金属层35a与第二焊盘金属层35b之间可以形成边界区域35ab。第二焊盘金属层35b覆盖第二开口部33b，且可限定于台面M的区域上而配置。

第一焊盘金属层35a和第二焊盘金属层35b，例如可以通过剥离(Lift-off)工序而利用相同的材料形成，因此，可配置于相同的水平面(level)上。

参照图14A以及图14B，在第一焊盘金属层35a和第二焊盘金属层35b上形成有上部绝缘层37。上部绝缘层37具有使第一焊盘金属层35a和第二焊盘金属层35b暴露的第一开口部37a和第二开口部37b。上部绝缘层37能够覆盖台面M周围的下部绝缘层33，且能够使第一导电型半导体层23沿着台面M的周边暴露。形成于台面M的凹陷部30b和边角附近的第一焊盘金属层35a的外部接触部同样被上部绝缘层37覆盖。

另一方面，第二开口部37b可限定于第二焊盘金属层35b的上部区域内而配置。第一开口部37a限定于第一焊盘金属层35a的上部区域内而配置，但并不一定限定于此，也可以限定于台面M的上部区域内而配置。第一开口部37a与第二开口部37b彼此相隔。

在本实施例中，对第一开口部37a与第二开口部37b分别形成有一个的情况进行了说明，但可以形成多个第一开口部37a和多个第二开口部37b。

另外，图示为第二开口部37b形成于下部绝缘层33的第二开口部33b的上部而彼此重叠，但第二开口部33b也可以沿水平方向与第二开口部37b相隔而彼此不重叠。

参照图15A以及图15B，在上部绝缘层37的第一和第二开口部37a、37b内形成第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b。第一和第二凸块焊盘39a、39b，例如，可以利用AuSn形成。第一和第二凸块焊盘39a、39b是，在将发光二极管贴装于子安装部(submount)或者引线框架(lead frame)时，键合于子安装部(submount)或者引线框架的焊盘。第一和第二凸块焊盘39a、39b可以利用剥离(Lift-off)等众所周知的技术形成。

在本实施例中，说明为第一和第二凸块焊盘39a、39b分别形成于第一开口部37a和第二开口部37b内，但并不限定于此，也可以完全覆盖第一开口部37a和第二开口部37b而密封。

参照图16A以及图16B，在形成第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b后，对基板21的下表面进行研磨而减小基板21的厚度，且在经研磨的下表面形成粗糙面R。基板21的下表面可以利用磨光(lapping)和/或抛光(polishing)技术进行研磨，且可以利用干法以及湿法蚀刻技术形成粗糙面R。

接着，参照图17，对在基板21的侧面形成侧面反射层41的技术进行说明。图17显示用于说明根据本实用新型的一实施例的发光二极管100的侧面反射层的形成方法的示意性的剖面图。在图17中，显示在前面参照图9至图16制造的两个发光二极管区域，但在基板21上可以形成更多的发光二极管区域，且在各发光二极管区域形成台面M和凸块焊盘39a、39b。

参照图17A，在形成第一和第二凸块焊盘39a、39b后，在从第一导电型半导体层23侧至基板21的内部形成划线(LS)。划线(LS)形成于发光二极管的分割区域，因此，多个划线(LSs)可以以网格形状形成于基板21上。

另外，在形成有粗糙面R的基板21上，涂布有例如光刻胶膜51。光刻胶膜51可以通过旋涂等技术而形成于基板21上。

参照图17B，在蓝膜(blue tape)等可伸长胶带上进行断裂(breaking)而按各个发光二极管区域分离，且使其伸长而可以使各个发光二极管区域彼此相隔。然后，可以将分离的各个发光二极管区域转印(transfer)到支撑体61上而使其附着。例如，支撑体61可以使用聚合物或者聚酰亚胺薄膜或者其他支撑基板。各个发光二极管区域可以被转印到聚合物或者聚酰亚胺薄膜，或者可以各自地被附着或者转印到支撑基板等。此时，台面M可埋入支撑体61内，因此，暴露于台面M周围的第一导电型半导体层23能够接触于支撑体6的上表面。但是，本实用新型并不限定于此，能够调整在发光二极管区域与支撑体61接触的部分，且第一导电型半导体层23的一部分厚度也可以埋入支撑体61内。

另一方面，在各个发光二极管区域的基板21侧面可以形成有通过激光划线形成的倾斜面与通过断裂形成的垂直面。

参照图17C，在各个发光二极管区域上沉积侧面反射层41。侧面反射层41例如可以利用溅镀技术沉积。侧面反射层41包括如Ag或者Al等金属反射层。对于侧面反射层41的具体结构以及材料，与参照图1以及图2说明的相同，因此为了避免重复而省略详细说明。

侧面反射层41在倾斜的侧面和垂直的侧面以大致均匀的厚度形成于基板21的侧面。支撑体61遮挡第一导电型半导体层23的暴露面，从而防止侧面反射层41形成于第一导电型半导体层23的暴露面。因此，可以防止侧面反射层41与第一焊盘金属层35a重叠。

参照图17D，通过去除光刻胶膜51可以去除形成于基板21上部的侧面反射层41并从支撑体61分离，从而完成发光二极管100。

另一方面，在本实施例中，对利用激光形成划线(LS)进行了说明，但划线(LS)也可以利用刀片形成。在这种情况下，能够使基板21侧面的倾斜的面的坡度更加平缓。

另外，在本实施例中，说明为划线(LS)在形成第一凸块焊盘39a、和第二凸块焊盘39b后形成，但划线(LS)也可以在形成上部绝缘层37之前形成。在这种情况下，在划线(LS)内部可以形成上部绝缘层37，因此，能够制造如图3的实施例一样的发光二极管200。

根据本实用新型的一实施例制造发光二极管并以彼此垂直的方向测量指向角的结果，确认在没有侧面反射层41时，X方向以及Y方向的指向角分别为130度以及150度，在形成侧面反射层41时，X方向以及Y方向的指向角为103.5度以及115度。此时，基板21的厚度大约为250μm。因此，通过采用侧面反射层41，可以较容易地提供一种具有115度以下的指向角的发光二极管。

图18是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管300的制造方法的剖面图。如在前面参照图9至图16进行说明，在基板21上形成有发光二极管区域，在各发光二极管区域形成有台面M和凸块焊盘39a、39b。

参照图18A，在形成第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b后，在形成有粗糙面R的基板21上，涂布例如遮蔽材料(masking material)51。遮蔽材料51可利用旋涂等技术而形成于基板21上。

然后，在基板21的上表面侧，即，从遮蔽材料51侧至基板21内部形成划线(LS)。划线(LS)形成于发光二极管的分割区域，因此，多个划线(LSs)可以以网格形状形成于基板21上。划线可以利用激光形成，为了去除形成于基板21侧面的碎屑(debris)并使通过激光产生的基板21表面的粗糙度缓解，可以实施如磷酸处理等化学处理。

参照图18B，如参照图17B进行说明，在蓝膜(blue tape)等可伸长胶带上按照个别发光二极管区域进行分离并使其伸长，从而可以使各个发光二极管区域彼此相隔。然后，将分离的各个发光二极管区域转印到支撑体61上而使其附着。

另一方面，在个别发光二极管区域的基板21侧面，可形成有通过激光划线形成的倾斜面与通过断裂形成的垂直面。

参照图18C，在各个发光二极管区域上沉积侧面反射层41。侧面反射层41例如可以利用溅镀技术沉积。侧面反射层41包括如Ag或者Al等金属反射层。针对侧面反射层41的具体结构以及材料进行的说明与参照图1以及图2说明的内容相同，因此为了避免重复而省略详细说明。

侧面反射层41可以以在倾斜的侧面和垂直的侧面大致均匀的厚度形成于基板21的侧面。支撑体61遮挡第一导电型半导体层23的暴露面，从而防止侧面反射层41形成于第一导电型半导体层23的暴露面。因此，可以防止侧面反射层41与第一焊盘金属层35a重叠。

参照图18D，通过去除遮蔽材料51，可以去除形成于基板21上部的侧面反射层41，并将其从支撑体61分离，从而完成发光二极管300。

另一方面，在本实施例中，对利用激光形成划线(LS)的情形进行了说明，但划线(LS)也可以利用刀片形成。在这种情况下，能够使基板21侧面的倾斜的面的坡度更加平缓。

图19是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管400的制造方法的剖面图。

根据本实施例的发光二极管400的制造方法与参照图18说明的发光二极管300的制造方法大致类似，但在侧面反射层41不覆盖基板21的倾斜的侧面的这一点上存在差异。

为此，在利用激光形成划线后，通过如磷酸处理等化学处理进行调节而调整通过激光划线形成的基板21表面的粗糙度。通过激光划线，可以在倾斜的侧面形成粗糙的表面，并减少磷酸处理时间，以使在除粗糙的表面以外的侧面可以形成侧面反射层41。

因此，通过激光实施的划线的深度越增加越能够减少形成侧面反射层41的高度，因此，能够增加指向角。

图20是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光二极管500的示意性的剖面图。

如在前面参照图9至图16进行说明，在基板21上形成有发光二极管区域，在各发光二极管区域形成有台面M和凸块焊盘39a、39b。

参照图20A，在形成第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b后，在形成有粗糙面R的基板21上表面，利用刀片形成划线(BS)。划线(BS)形成于发光二极管的分割区域，因此，多个划线(BSs)可以以网格(mesh)形状形成于基板21上。

接着，在基板21上，涂布例如遮蔽材料51。遮蔽材料51可以利用旋涂等技术而形成于基板21上。利用刀片的划线BS利用相对较宽的V字形凹槽形成。因此，遮蔽材料51填埋划线。

参照图20B，如参照图17B进行说明，在蓝膜(blue tape)等可伸长胶带上按照各个发光二极管区域进行分离并将其伸长，从而能够使各个发光二极管区域彼此相隔。然后，将分离的各个发光二极管区域转印到支撑体上而使其附着。

另一方面，在各个发光二极管区域的基板21侧面可形成有通过刀片形成的倾斜面与通过断裂形成的垂直面。

参照图20C，在各个发光二极管区域上沉积侧面反射层41。侧面反射层41可以利用例如溅镀技术沉积。侧面反射层41包括如Ag或者Al等金属反射层。对于侧面反射层41的具体结构以及材料，与参照图1以及图2进行的说明相同，因此为了避免重复而省略详细说明。

侧面反射层41可以以大致均匀的厚度形成于垂直的侧面。但是，倾斜的侧面被遮蔽材料51覆盖，从而防止在倾斜的侧面沉积侧面反射层41。另外，支撑体61遮挡第一导电型半导体层23的暴露面，从而防止侧面反射层41形成于第一导电型半导体层23的暴露面。因此，能够防止侧面反射层41与第一焊盘金属层35a重叠。

参照图20D，通过去除遮蔽材料51可以去除形成于基板21上部的侧面反射层41，并将其从支撑体61分离，从而完成发光二极管500。

另一方面，在本实施例中，对利用激光形成划线(LS)进行了说明，但划线(LS)也可以利用刀片形成。在这种情况下，能够使基板21侧面的倾斜的面的坡度更加平缓。

如前所述，对通过利用激光的划线或者利用刀片的划线而形成侧面反射层41的各种技术进行了说明。

另一方面，可以利用在基板21内部形成焦点的隐形激光(Stealth laser)分割基板21，在这种情况下，基板21的侧面形成为具有垂直的侧面。因此，可以通过使用隐形激光的切割(dicing)技术制造出图7的发光二极管600。另外，通过隐形激光的照射可以沿着基板21的侧面形成带形状的粗糙表面，且可以利用侧面反射层41不易沉积于粗糙表面这一点而制造出图8的发光二极管700。

图21是用于说明根据本实用新型的一实施例的光源模块的示意性的剖面图。

参照图21，所述光源模块包括支撑基板71、发光二极管100和波长转换器81。另外，所述光源模块可以包括白色势垒层75。

发光二极管100是在前面参照图1以及图2说明的发光二极管，该发光二极管100利用第一和第二凸块焊盘39a、39b倒装键合(filp bonding)于配置有第一和第二焊盘73a、73b的支撑基板71上。支撑基板71可以是例如子安装部(submount)、印刷电路板或者引线框等。

另一方面，白色势垒层(white barrier layer)75能够覆盖发光二极管100的侧面。白色势垒层75例如可以在硅树脂或者环氧树脂混合二氧化钛(TiO2)等而形成。白色势垒层75随着时间的流逝在内部可能会生成裂纹等缺陷。因此，在无侧面反射层41的情况下直接将白色势垒层75形成于发光二极管的侧面时，可能会发生从发光二极管射出的光通过白色势垒层75向外部射出的漏光现象。但是，本实用新型在发光二极管的侧面形成侧面反射层41，因此能够提供一种长时间不漏光的发光模块。

另一方面，在发光二极管100的上部可配置有荧光体片或者波长转换板(wavelength converting plate)等波长转换器81。波长转换器81可以包括陶瓷板荧光体(ceramic plate phosphor)，尤其是，可以包括荧光体玻璃(phosphor in glass；PIG)或者碳化硅(SiC)荧光体。据此，可以提供一种能够防止在高温环境中变色，从而能够长时间使用的波长转换器。

波长转换器81也可以利用粘合剂附着于发光二极管100上，但也可以附着于白色势垒层75上或者配置于其他构成要素上。因此，波长转换器81也可以与发光二极管100相隔而配置于发光二极管100上部。

在本实施例中，举例说明了发光二极管100，但也可以使用其他发光二极管200、300、400、500、600或者700。

根据本实施例的光源模块可使用于汽车头灯、相机闪光灯或者照明等。

图22是用于说明根据本实用新型的一实施例的光源模块的示意性的剖面图。

参照图22，所述光源模块包括支撑基板71、发光二极管100、波长转换器81和透镜91。发光二极管100是在前面参照图1以及图2说明的发光二极管100，该发光二极管100利用第一凸块焊盘39a和第二凸块焊盘39b可倒装键合于配置有第一第二焊盘73a和第二焊盘73b的支撑基板71上。支撑基板71例如可以是印刷电路板。

另一方面，透镜91配置于发光二极管100的上部。透镜91具有下部面与上部面，下部面包括使从发光二极管100射出的光射入的凹陷部，上部面具有使光射出的射出面。下部面的凹陷部可被平坦的面包围。

另外，如图所示，上部面可以包括位于中央的凹陷部与位于其周围的凸出部。凸出部可以包围凹陷部。

所述透镜91是使光分散的扩散透镜(diffusion lens)，但本实用新型并不限定于此，各种形状的透镜91可与发光二极管100结合而实现各种光图案。

在本实施例中，对发光二极管100倒装键合于支撑基板71的光源模块进行了说明，但也可以将发光二极管200、300、400、500、600或者700也可贴装在支撑基板91上而使用。

所述光源模块可适当地使用于例如大型电视(TV)或者相机闪光灯等。

图23是显示安装有应用根据本实用新型的实施例的发光二极管的头灯1100的车辆1000的示意性的立体图。

参照图23，根据本实用新型的一实施例的发光二极管100、200、300、400、500、600或者700安装于车辆1000的前方而配置于头灯1100内。在实施例中，车辆用头灯部1100包括确保驾驶员的前方夜间视野的头灯、雾灯等。

车辆用头灯1100可分别安装于车辆1000前方的左右侧，也可以考虑驾驶员的喜好而具有各种形状。另外，在分别安装于前方左右侧的头灯1100可以具有彼此对称的结构，但并不一定限定于此，也可以具有彼此不同的结构。

所述发光二极管可以以如参照图21说明的光源模块的形态安装于头灯1100内，但并不限定于此，可以安装成各种形态的光源模块。

图24是显示安装有应用根据本实用新型的实施例的发光二极管的相机闪光灯2300的移动设备2000的示意性的立体图。

参照图24，所述移动设备2000包括相机模块2100和闪光灯模块2300。根据本实用新型的一实施例的发光二极管100、200、300、400、500、600或者700安装于闪光灯模块2300。在相机模块2100进行工作而拍摄被射体时，闪光灯模块2300向被射体照射光。

所述发光二极管可以以如参照图22说明的光源模块的形态安装于相机模块2100内，但并不限定于此，可使用各种形态的光源模块。

以上，对本实用新型的各种实施例进行了说明，但本实用新型并不限定于这些实施例。另外，对一个实施例进行说明的事项或者构成要素，在不脱离本实用新型的技术思想的情况下，也可应用于其他实施例。