半导体瓷介电容器的制作方法

文档序号:14881213发布日期:2018-07-07 09:47阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型公开一种半导体瓷介电容器,包括有半导体陶瓷芯片、上氧化铝散热片、下氧化铝散热片、阻燃环氧树脂封装体、上引脚以及下引脚;该半导体陶瓷芯片的上下表面均凹设有嵌置槽,每一嵌置槽中均嵌设有电极板;该上氧化铝散热片和下氧化铝散热片分别设置于半导体陶瓷芯片的上下表面并覆盖住对应的电极板;该阻燃环氧树脂封装体包裹住半导体陶瓷芯片的周侧面、上氧化铝散热片的周侧面和下氧化铝散热片的周侧面。通过采用半导体陶瓷芯片,使得本产品的电容量最高可达22万pF,并且体积小,同时,通过设置有氧化铝散热片,提升了产品的散热性能,以满足使用的需要,产品使用性能更佳。

技术研发人员:谢玉云
受保护的技术使用者:东莞市勤宏电子科技有限公司
技术研发日:2017.11.22
技术公布日:2018.07.06

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