氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明具有由n型半导体形成的基板、以及设置在基板上且由包含供体和碳的氮化镓形成的漂移层，漂移层中的供体的浓度为5.0×1016个/cm3以下，在漂移层的整个区域中，该浓度大于等于在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度，从漂移层中的供体的浓度减去在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度而得到的差值从基板侧朝向漂移层的表面侧缓缓增加。

技术研发人员：成田好伸
受保护的技术使用者：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
技术研发日：2017.02.10
技术公布日：2018.11.23