本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)是目前液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，lcd)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(activematrixorganiclight-emittingdiode，amoled)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)与彩色滤光片(colorfilter，cf)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。
通常液晶显示面板的成型工艺一般包括：前段阵列(array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(cell)制程(tft基板与cf基板贴合)及后段模组组装制程(驱动ic与印刷电路板压合)。其中，前段array制程主要是形成tft阵列基板，以便于控制液晶分子的运动；中段cell制程主要是在tft阵列基板与cf基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动ic压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
现有技术中一般通过4道光罩(mask)工艺形成tft阵列基板，即1道光罩形成栅极、1道光罩形成有源层、源极和漏极、1道光罩形成暴露出漏极的过孔以及1道光罩形成与漏极接触的像素电极图案。但是4mask工艺中产生的寄生电容会显著影响液晶显示面板的显示品质，因此需要减少不必要的寄生电容来改善液晶显示面板的显示品质。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种tft阵列基板的制作方法，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。
本发明的目的还在于提供一种tft阵列基板，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。
为实现上述目的，本发明提供了一种tft阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
提供衬底基板，在所述衬底基板上依次形成第一金属层、绝缘层、氧化物半导体层以及第二金属层；
在所述第二金属层上形成光阻层，以所述光阻层为遮挡，对所述第二金属层进行湿蚀刻，得到暴露出部分氧化物半导体层的源漏极金属层，远离源漏极金属层的光阻层边缘形成光阻凸出部；减薄所述光阻凸出部的厚度；
以所述光阻层为遮挡，对所述氧化物半导体层进行干蚀刻，同时蚀刻掉所述光阻凸出部及位于所述光阻凸出部下方的氧化物半导体层，得到有源层，所述有源层边缘与源漏极金属层的边缘平齐。
所述第一金属层包括栅极及与所述栅极间隔设置的信号走线。
所述有源层与信号走线在水平方向上相间隔。
所述tft阵列基板的制作方法还包括：对所述光阻层进行灰化处理，减薄所述光阻层的厚度，暴露出部分源漏极金属层，以所述光阻层为遮挡，对源漏极金属层进行湿蚀刻，得到位于有源层两端的源极和漏极，所述源极和漏极的边缘均与有源层的边缘平齐，再以所述光阻层为遮挡，对有源层进行干蚀刻，得到背沟道区；
剥离所述光阻层，形成覆盖绝缘层、有源层、源极以及漏极的保护层，并在所述保护层中形成一暴露所述漏极的过孔；
在所述保护层上形成像素电极，该像素电极通过所述过孔与漏极接触。
所述减薄光阻凸出部的厚度的方法为：对所述光阻凸出部进行灰化处理。
所述灰化处理的气体为氧气。
所述减薄光阻凸出部的厚度的方法为：在对所述第二金属层进行湿蚀刻之前，提供一光罩，所述光罩包括遮光区、半透光区及透光区；所述遮光区位于所述源极和漏极的上方，所述半透光区位于背沟道区以及源漏极金属层的边缘的上方，其余位置则为透光区，通过光罩在所述第二金属层上形成光阻层，所述光阻凸出部对应位于半透光区的下方。
本发明还提供一种tft阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述衬底基板及栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及设于所述有源层上并分别与有源层两端接触的源极和漏极；
所述源极和漏极的边缘均与有源层的边缘平齐。
所述tft阵列基板还包括设于所述衬底基板上并与栅极间隔设置的信号走线；所述有源层与信号走线在水平方向上相间隔。
所述tft阵列基板还包括覆盖绝缘层、有源层、源极以及漏极的保护层，以及设于所述保护层上的像素电极；所述像素电极通过一贯穿保护层的过孔与漏极接触。
本发明的有益效果：本发明的tft阵列基板的制作方法，通过减薄光阻凸出部的厚度，以减薄光阻凸出部的厚度后的光阻层为遮挡，对所述氧化物半导体层进行干蚀刻时，能将厚度被减薄的光阻凸出部蚀刻掉，同时将位于厚度被减薄的光阻凸出部下方的氧化物半导体层蚀刻掉，使形成的有源层边缘与源漏极金属层的边缘平齐，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。本发明的tft阵列基板，源极和漏极的边缘均与有源层的边缘平齐，使有源层不会在在远离源漏极金属层的边缘具有一凸出部，进而减小有源层与信号走线形成的寄生电容，提高开口率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的tft阵列基板的制作方法的流程图；
图2为本发明的tft阵列基板的制作方法的步骤s1的示意图；
图3和4为本发明的tft阵列基板的制作方法一优选实施例的步骤s2的示意图；
图5为本发明的tft阵列基板的制作方法一优选实施例的步骤s3的示意图；
图6和7为本发明的tft阵列基板的制作方法另一优选实施例的步骤s2的示意图；
图8为本发明的tft阵列基板的制作方法另一优选实施例的步骤s3的示意图；
图9和图10为本发明的tft阵列基板的制作方法的步骤s4的示意图；
图11为本发明的tft阵列基板的制作方法的步骤s5的示意图暨本发明的tft阵列基板的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种tft阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤s1、请参阅图2，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上依次形成第一金属层20、绝缘层30、氧化物半导体层40以及第二金属层50；
步骤s2、请参阅图3和图4或者图6和图7，在所述第二金属层50上形成光阻层100，以所述光阻层100为遮挡，对所述第二金属层50进行湿蚀刻，得到暴露出部分氧化物半导体层40的源漏极金属层51，远离源漏极金属层51的光阻层100边缘形成光阻凸出部101；减薄所述光阻凸出部101的厚度；
步骤s3、请参阅图5及图8，以所述光阻层100为遮挡，对所述氧化物半导体层40进行干蚀刻，同时蚀刻掉所述光阻凸出部101及位于所述光阻凸出部101下方的氧化物半导体层40，得到有源层41，所述有源层41边缘与源漏极金属层51的边缘平齐。
需要说明的是，由于所述第二金属层50进行湿蚀刻时，第二金属层50位于光阻层100边缘的部分会朝向光阻层100中心方向被蚀刻，因此源漏极金属层51的边缘相对于光阻层100的边缘内凹，远离源漏极金属层51的光阻层100边缘形成光阻凸出部101，现有技术中由于该光阻凸出部101的存在，导致对所述氧化物半导体层40进行干蚀刻时，位于该光阻凸出部101下方的氧化物半导体层40无法被蚀刻掉，使形成的有源层41会同样在远离源漏极金属层51的边缘具有一凸出部，进而导致有源层41与第一金属层20中的信号走线形成的寄生电容增加，开口率减小，而本发明通过减薄所述光阻凸出部101的厚度，以减薄光阻凸出部101的厚度后的光阻层100为遮挡，此时，对所述氧化物半导体层40进行干蚀刻时，能将厚度被减薄的光阻凸出部101蚀刻掉，同时将位于厚度被减薄的光阻凸出部101下方的氧化物半导体层40蚀刻掉，使形成的有源层41边缘同样与源漏极金属层51的边缘平齐，减小寄生电容，并且提高开口率。
具体的，所述第一金属层20包括栅极21及与所述栅极21间隔设置的信号走线22。
具体的，由于有源层41边缘与源漏极金属层51的边缘平齐，所述有源层41在远离源漏极金属层51的边缘不具有一凸出部，因此所述有源层41与信号走线22在水平方向上相间隔，减小有源层41与信号走线22形成的寄生电容。
具体的，所述tft阵列基板的制作方法还包括：步骤s4、请参阅图9及图10，对所述光阻层100进行灰化处理，减薄所述光阻层100的厚度，暴露出部分源漏极金属层51，以所述光阻层100为遮挡，对源漏极金属层51进行湿蚀刻，得到位于有源层41两端的源极52和漏极53，所述源极52和漏极53的边缘均与有源层41的边缘平齐，再以所述光阻层100为遮挡，对有源层41进行干蚀刻，得到背沟道区54；
步骤s5、请参阅图11，剥离所述光阻层100，形成覆盖绝缘层30、有源层41、源极52以及漏极53的保护层60，并在所述保护层60中形成一暴露所述漏极53的过孔61；
步骤s6、请参阅图11，在所述保护层60上形成像素电极70，该像素电极70通过所述过孔61与漏极53接触。
具体的，所述背沟道区54位于栅极21的上方。
可选的，请参阅图3和图4，所述步骤s2中减薄光阻凸出部101的厚度的方法为：对所述光阻凸出部101进行灰化处理，减薄所述光阻凸出部101的厚度，同时也减薄了光阻层100的厚度。
优选的，所述灰化处理的气体为氧气。
可选的，请参阅图6和图7，所述步骤s2中减薄光阻凸出部101的厚度的方法为：在对所述第二金属层50进行湿蚀刻之前，提供一光罩200，所述光罩200包括遮光区201、半透光区202及透光区203；所述遮光区201位于所述源极52和漏极53的上方，所述半透光区202位于背沟道区54以及源漏极金属层51的边缘的上方，其余位置则为透光区203，通过光罩200在所述第二金属层50上形成光阻层100，所述光阻凸出部101对应位于半透光区202的下方，使光阻层100的边缘形成具有阶梯状的结构，所述光阻凸出部101的厚度较薄，因此对所述氧化物半导体层40进行干蚀刻，能够同时蚀刻掉所述光阻凸出部101及位于所述光阻凸出部101下方的氧化物半导体层40。
具体的，所述光阻层100的材料为正向光阻。
请参阅图11，基于上述的tft阵列基板的制作方法，本发明还提供一种tft阵列基板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的栅极21、覆盖所述衬底基板10及栅极21的绝缘层30、设于所述绝缘层30上的有源层41以及设于所述有源层41上并分别与有源层41两端接触的源极52和漏极53；
所述源极52和漏极53的边缘均与有源层41的边缘平齐。
需要说明的是，本发明的tft阵列基板中的源极52和漏极53的边缘均与有源层41的边缘平齐，使有源层41不会在在远离源漏极金属层51的边缘具有一凸出部，进而减小有源层41与信号走线形成的寄生电容，并且还可以提高开口率。
具体的，所述tft阵列基板还包括设于所述衬底基板10上并与栅极21间隔设置的信号走线22。
具体的，由于所述源极52和漏极53的边缘均与有源层41的边缘平齐，所述有源层41在远离源极52和漏极53的边缘不具有一凸出部，因此所述有源层41与信号走线22在水平方向上相间隔，减小有源层41与信号走线22形成的寄生电容。
具体的，所述有源层41包括位于栅极21上方的背沟道区54。
具体的，所述tft阵列基板还包括覆盖绝缘层30、有源层41、源极52以及漏极53的保护层60，以及设于所述保护层60上的像素电极70；所述像素电极70通过一贯穿保护层60的过孔61与漏极53接触。
综上所述，本发明的tft阵列基板的制作方法，通过减薄光阻凸出部的厚度，以减薄光阻凸出部的厚度后的光阻层为遮挡，对所述氧化物半导体层进行干蚀刻时，能将厚度被减薄的光阻凸出部蚀刻掉，同时将位于厚度被减薄的光阻凸出部下方的氧化物半导体层蚀刻掉，使形成的有源层边缘与源漏极金属层的边缘平齐，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。本发明的tft阵列基板，源极和漏极的边缘均与有源层的边缘平齐，使有源层不会在在远离源漏极金属层的边缘具有一凸出部，进而减小有源层与信号走线形成的寄生电容，提高开口率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。