技术特征：
技术总结
本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51)；供气口(35)，其向处理室内导入气体；排气口(34)，其从处理室内排出气体；多个流速传感器(71)，其在热处理部所支承的晶圆的周向排列，用于检测气流的流速；以及控制部(100)，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。
技术研发人员：福留生将;森泰夫
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2019.02.05