一种LED封装结构及其制造方法与流程

本发明涉及一种发光感测领域，特别涉及一种led封装装置及其制造方法。

背景技术：

芯片级封装(chipscalepackage，简称：csp)是先进的一种集成电路封装形式，其中，在制作csp发光装置时，一led芯片通常会被一封装结构所包覆，构成该封装结构的胶材可包含荧光材料和反光材料，由于csp在封装过程中可减小封装尺寸并降低成本，提升客户设计的多样性，因此，csp的应用越来越多。

目前，csp发光装置制作时，led芯片会放置在一模具中，然后将封装胶注入模具中，进而包覆led芯片的上表面和侧面，其中，由于led芯片的底面会设置电极组，为了保证led芯片的电极组与应用端的电路板良好连接，所以封装时，封装胶往往不覆盖led芯片的底面，这样经过压膜、切割和剥离制得单个csp发光装置，而csp发光装置中led芯片的侧面和上表面包覆有封装胶，led芯片的底面以及电极组上未包覆封装胶。

然而，采用上述方法制作csp发光装置时，制得的csp发光装置中led芯片的底面为裸露的，这样csp发光装置使用时，led芯片的底面会有漏蓝光的问题，而漏出的蓝光对csp发光装置的发光颜色造成干扰，同时降低了发光装置的发光效率。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种led封装结构及其制造方法，解决了现有csp发光装置中由于led芯片的底面漏蓝光而对发光装置的发光颜色造成干扰以及降低发光效率的问题。

为达上述目的，本发明提供一种led封装结构，包括：

一芯片级封装(csp)发光元件，所述csp发光元件包括一发光芯片，所述发光芯片包括位于所述发光芯片的底面的电极组；

一遮蔽层，所述遮蔽层设置在所述csp发光元件的底面或侧面，或所述遮蔽层设置在所述csp发光元件的底面及侧面。

较佳地，所述csp发光元件还包括：

一围绕结构，所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上；

一波长转换层，所述波长转换层设置在所述发光芯片的上表面以及所述围绕结构上，

且所述波长转换层与所述围绕结构之间的交界面形成一弧形结构。

较佳地，所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐，另一端延伸到所述发光芯片的上表面的外沿处。

较佳地，所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐，另一端延伸到所述发光芯片的侧面上。

较佳地，所述弧形结构为向上弯曲的凸面，或者，

所述弧形结构为向下弯曲的凹面。

较佳地，还包括：

透明封装层，所述透明封装层设置在所述波长转换层上，且所述波长转换层与所述透明封装层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。

较佳地，所述透明封装层中分散有扩散粉。

较佳地，所述遮蔽层设置在所述发光芯片的底面。

较佳地，所述遮蔽层设置在所述电极组上。

较佳地，所述csp发光元件包括一围绕结构，所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上；且所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面或至少部分侧面上，或所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面及至少部分侧面上。

较佳地，所述csp发光元件包括一波长转换层，且所述遮蔽层的侧面与所述波长转换层的侧面实质上共平面。

较佳地，所述csp发光元件包括一波长转换层，且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面上。

较佳地，所述csp发光元件包括一围绕结构，所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上；所述csp发光元件包括一波长转换层；且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面以及所述围绕结构的侧面和底面上。

较佳地，所述波长转换层为荧光胶层、荧光贴片或荧光薄膜与透明胶的组合。

较佳地，所述围绕结构的材料为以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合。

较佳地，所述遮蔽层的材质为金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料。

本发明还提供一种led封装结构，包括：

一发光芯片，所述发光芯片具有一侧面、一上表面以及一底面，所述底面具有电极组；

一围绕结构，所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面；

一波长转换层，所述波长转换层设置在所述发光芯片的上表面和所述围绕结构上；

且所述围绕结构与所述波长转换层之间的交界面形成一弧形结构。

本发明还提供一种led封装结构，包括：

一发光芯片，所述发光芯片具有一侧面、一上表面以及一底面，所述底面具有电极组；

一波长转换层，所述波长转换层设置在所述发光芯片的侧面和上表面；

一透明封装层，所述透明封装层设置在所述荧光胶层的顶面上，且所述透明封装层与所述荧光胶层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将芯片级封装csp发光元件放置在所述可移除层上，且所述csp发光元件中发光面朝向所述可移除层，所述csp发光元件中的电极组远离所述可移除层；

在所述电极组之间的间隔处形成光阻图案；

在所述csp发光元件设置所述电极组的一面以及所述电极组上设置遮蔽层；

移除所述光阻图案、所述可移除层以及所述所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将芯片级封装csp发光元件放置在所述可移除层上，且所述csp发光元件中发光面朝向所述可移除层，所述csp发光元件中的电极组远离所述可移除层；

在所述电极组之间的间隔以及所述电极组的底面上设置光阻图案；

在所述csp发光元件设置所述电极组的一面上设置遮蔽层；

移除所述光阻图案、所述可移除层以及所述所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板，并在所述可移除层上形成绝缘材质的第一遮蔽层；

将发光芯片配置在所述第一遮蔽层上，且所述发光芯片上的电极组置入所述第一遮蔽层中并延伸到所述可移除层上；

在所述第一遮蔽层上设置围绕结构，且所述围绕结构设置在所述发光芯片的侧面；

在所述围绕结构的顶面以及所述发光芯片的上表面上设置波长转换层；

移除所述可移除层和所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将发光芯片配置在所述可移除层上；

在所述可移除层上设置第一遮蔽层；

在所述第一遮蔽层上设置围绕结构，且所述围绕结构设置在所述发光芯片的侧面；

在所述围绕结构的顶面以及所述发光芯片的上表面上设置波长转换层；

移除所述可移除层和所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将发光芯片配置在所述可移除层上；

在所述可移除层上设置围绕结构，且所述围绕结构设置在所述发光芯片的侧面；

在所述围绕结构的顶面以及所述发光芯片的上表面上设置波长转换层；

将所述围绕结构的侧面以及所述波长转换层的侧面进行切割；

在切割后的所述围绕结构的侧面和所述波长转换层的侧面上设置遮蔽层；

移除所述可移除层和所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将发光芯片配置在所述可移除层上；

在所述可移除层上设置围绕结构，且所述围绕结构设置在所述发光芯片的侧面；

将所述围绕结构的侧面进行切割；

在切割后的所述围绕结构的侧面上设置所述遮蔽层；

在所述遮蔽层的顶面、所述围绕结构的顶面以及所述发光芯片的上表面上设置波长转换层；

移除所述可移除层和所述承载板，制得led封装结构。

本发明还提供一种led封装结构的制造方法，所述方法包括：

提供一具有可移除层的承载板；

将发光芯片配置在所述可移除层上；

在所述可移除层上设置围绕结构，且所述围绕结构设置在所述发光芯片的侧面；

在所述围绕结构的顶面以及所述发光芯片的上表面上设置波长转换层；

加热所述承载板，将所述发光芯片、所述围绕结构和所述波长转换层翻转后重新设置在所述可移除层上，且所述波长转换层与所述可移除层接触，所述发光芯片的电极组远离所述可移除层；

将所述围绕结构的侧面进行切割，并在所述围绕结构的侧面上形成台阶；

在切割后的所述围绕结构的台阶上设置所述遮蔽层，且所述遮蔽层与所述围绕结构的底面实质上平齐；

移除所述可移除层和所述承载板，制得led封装结构。

本发明提供的led封装结构，通过包括一遮蔽层，且所述遮蔽层设置在所述csp发光元件的底面和/或侧面上，这样遮蔽层设置在csp发光元件的底面时，csp发光元件发出的光线在遮蔽层的遮挡下不会从csp发光元件的底面漏出，即避免了csp发光元件的底面漏光的问题，从而提升led芯片的发光效率，当遮蔽层设置在csp发光元件的侧面上时，防止了csp发光元件的侧面漏光的问题，同时即使csp发光元件的底面漏光，但是遮蔽层可以对漏出的光线进行遮挡，使得csp发光元件的底面漏出的光线不易对发光元件的发光颜色造成干扰，因此，本实施例提供的led封装结构解决了现有csp发光装置中由于led芯片的底面漏蓝光而对发光装置的发光颜色造成干扰以及降低发光效率的问题。

为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文是以较佳的实施例配合所附图式进行详细说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-图13是本发明实施例一提供的led封装结构的不同结构示意图；

图14a-图14d是本发明实施例一提供的led封装结构的另一结构示意图；

图15a-图15b是本发明实施例一提供的led封装结构的再一结构示意图；

图16a-图16h是本发明实施例二提供的led封装结构的结构示意图；

图17a-图17d是本发明实施例三提供的led封装结构的结构示意图；

图18a-图18d是本发明实施例四提供的led封装结构的制造方法的示意图；

图19a-图19d是本发明实施例五提供的led封装结构的制造方法的示意图；

图20a-图20d是本发明实施例六提供的led封装结构的制造方法的示意图；

图21a-图21c是本发明实施例六提供的led封装结构的制造方法的又一示意图。

附图标记说明：

100～1300—led封装结构；110—发光芯片；112—第一电极；114—第二电极；120—围绕结构；120a—围绕结构；130—波长转换层；130a—波长转换层；140～1540—遮蔽层；150—透明封装层；1420—可移除层；1410—承载板；1430、1530—光阻图案；1640—第一遮蔽层；1642—第二遮蔽层；131—弧形面；121—弧形结构。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图1-图13是本发明实施例一提供的led封装结构的不同结构示意图。

请参见图1所示，本实施例中，led封装机构100包括：一芯片级封装(csp)发光元件，csp发光元件包括一发光芯片110(具体为led芯片)，发光芯片110包括位于发光芯片110的底面的电极组，以及一遮蔽层140，遮蔽层140设置在csp发光元件的底面或侧面上，即本实施例中，遮蔽层140可以设置在csp发光元件的底面，或者遮蔽层140设置在csp发光元件的侧面，或者本实施例中，遮蔽层140同时在csp发光元件的底面以及侧面上进行设置，其中，当遮蔽层140设置在csp发光元件的底面上时，这样csp发光元件发出的光线在遮蔽层140的遮挡下不会从csp发光元件的底面漏出，即避免了csp发光元件的底面漏光的问题，从而提升led芯片的发光效率，当遮蔽层140设置在csp发光元件的侧面上时，即使csp发光元件的底面漏光，但是遮蔽层140可以对漏出的光线进行遮挡，使得csp发光元件的底面漏出的光线不易对发光元件的发光颜色造成干扰，同时，当遮蔽层140设置在csp发光元件的侧面上时，也可以起到避免csp发光元件发出的光线从csp发光元件的侧面漏出的问题。

参见图1所示，csp发光元件还包含：围绕结构120和波长转换层130，其中，发光芯片110具有一上表面、一侧面和一底面s1，其中，发光芯片110的底面s1设置电极组，电极组包括第一电极112与第二电极114，发光芯片110例如是覆晶式led芯片，围绕结构120环绕于发光芯片110的侧面上，波长转换层130设置在发光芯片110的上表面以及围绕结构120的顶面上，本实施例中，遮蔽层140配置于发光芯片110的底面s1上，且具体的，遮蔽层140位于第一电极112与第二电极114的两侧的底面s1上，第一电极112与第二电极114之间的底面s1上未设置遮蔽层140。

其中，本实施例中，遮蔽层140例如是低透光材料或不透光材料，如金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料，本发明不以此为限。且如图1所示，遮蔽层140还配置于围绕结构120的远离波长转换层130的一面上，即遮蔽层140在发光芯片110的底面和围绕结构12的底面上均进行设置，其中，遮蔽层140的厚度例如等于或小于第一电极112及第二电极114的厚度。

其中，本实施例中，围绕结构120的材料例如是以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合，本发明不限于此。波长转换层130内含波长转换材料，波长转换层130例如是荧光粉与透明胶的混合层(即透明胶中掺杂有荧光粉)，其中荧光粉的材料例如是铝酸盐的石榴石系列材料，硅酸盐系列材料，氮化物系列材料、磷酸盐系列材料、硫化物系列材料、钪酸盐等，本发明不限于此。上述透明胶的材料例如是硅胶或环氧树脂。此外，在其他实施例中，上述波长转换层130例如可以是荧光粉层与透明胶层的叠加组合，也可以是荧光贴片或是荧光薄膜与透明胶的叠合或混和层。此外，在其他实施例中，上述波长转换层的材料亦可以包含荧光粉、透明胶、扩散剂至少其中之一或其组合。

进一步的，参见图2所示，本发明的led封装结构200包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层240，其中遮蔽层240例如是金属材质。与led封装结构100不同的是，相较于led封装结构100的遮蔽层140，则led封装结构200的遮蔽层240除了配置于发光芯片110的底表面s1之外，还包括配置于第一电极112与第二电极114的表面s2。值得注意的是，第一电极112与第二电极114间的底表面s1并未配置遮蔽层240，以避免短路问题。led封装结构200与led封装结构100相同组件之相关描述，于此不再赘述。

进一步的，请参见图3，本发明的led封装结构300包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层340，其中遮蔽层340例如是不透光的绝缘材质。与led封装结构100不同的是，相较于led封装结构100的遮蔽层140，则led封装结构300的遮蔽层340除了配置于发光芯片110的两电极外侧，还配置于两电极之间。上述遮蔽层340的材质例如是低透光树脂、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料等低透光绝缘材料或不透光绝缘材料，不以此为限。

进一步的，请参见图4，本发明的led封装结构400包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层440，其中遮蔽层440例如是不透光的绝缘材质。相较于led封装结构300的遮蔽层340，则led封装结构400的遮蔽层440除了配置于图3中遮蔽层340的位置的外，还包含环绕在波长转换层130与围绕结构120的侧表面，即遮蔽层440设置在波长转换层130与围绕结构120的侧面以及发光芯片110和围绕结构的底面。上述遮蔽层440为低透光绝缘材质或不透光绝缘材质，例如是低透光树脂、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料等。led封装结构400与led封装结构300相同组件的描述，于此不再赘述。

进一步的，请参见图5，本发明的led封装结构500包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层540，其中遮蔽层540例如是低透光树脂、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料等低透光绝缘材质或不透光的绝缘材质。相较于led封装结构300的遮蔽层340，则led封装结构500的遮蔽层540除了配置在如图3中遮壁层340的位置之外，还环绕在围绕结构120的侧表面。并且，环绕在围绕结构120侧表面的遮蔽层540与波长转换层130可设计成实质上共平面的。led封装结构500与led封装结构300相同组件的描述，于此不再赘述。

进一步的，请参见图6，本发明的led封装结构600包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层640，其中遮蔽层640例如是低透光树脂、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料等低透光绝缘材质或不透光的绝缘材质。相较于led封装结构300的遮蔽层340，则led封装结构600的遮蔽层640除了配置如图3中的遮壁层340的位置之外，还环绕在部分围绕结构120的外侧表面，即遮蔽层640并未将围绕结构120的侧面完全设置，并且，环绕在部分围绕结构120外侧表面的遮蔽层640与围绕结构120及波长转换层130三者的侧面可设计成实质上共平面的，led封装结构600与led封装结构300相同组件的描述，于此不再赘述。

进一步的，请参见图7，本发明的led封装结构700包括发光芯片110、围绕结构120、波长转换层130与遮蔽层740，其中遮蔽层740例如是低透光树脂、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料等低透光绝缘材质或不透光绝缘材质或金属材质。上述遮蔽层740例如配置在发光芯片110的侧面与围绕结构120底部，且与围绕结构120一起环绕发光芯片110侧面。

进一步的，请参见图8～图10，本发明的遮蔽层840除了可以如同遮蔽层740配置于围绕结构120底部的外，还包括配置于围绕结构120的部分侧面s3，但是在发光芯片110的底面s1未设置遮蔽层840，图9中，遮蔽层940除了配置于围绕结构120的底部外，还包括配置在围绕结构120的整个外侧面s3，且配置在围绕结构120底部与侧面s3的遮蔽层相互连接。在图10中，遮蔽层1040例如除了配置在围绕结构120的底部的外，还包括环绕于围绕结构120与波长转换层130的侧面，如图10的遮蔽层1040所示。

进一步的，请参见图11～13，在其他实施例中，本发明的遮蔽层1140如图11所示，例如可以仅环绕于波长转换层130与围绕结构120的侧表面，。或是，在其他实施例中，如图12所示，遮蔽层1240可以仅环绕于围绕结构120的侧表面，且遮例层1240例如可以与波长转换层130实质上共平面或不共平面。或是，在其他实施例中，如图13所示，遮蔽层1340可以仅环绕在围绕结构120的部分外侧表面，且遮蔽层1340例如可以与波长转换层130及围绕结构120的侧面实质上共平面或不共平面。

本发明中，如图1-图13所示，遮蔽层配置在发光芯片110的底面、围绕结构120的底面、围绕结构120侧面以及波长转换层侧130侧面等各个位置，这样都可用于避免led芯片所发出的光线从发光芯片110底部、围绕结构120或波长转换层130等处而泄漏，进而提升led芯片的发光效率。

进一步的，如图14a-14d所示，本实施例中，波长转换层130与围绕结构120之间的交界面形成一弧形结构121，这样使得led封装结构形成具有反射杯型的芯片级封装结构，这样在弧形结构121的反射作用下可以改变光线的方向。

其中，本实施例中，如图14a所示，弧形结构121为向上弯曲的凸面，同时，弧形结构121的一端与波长转换层130的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片的上表面的外沿处。如图14b所示，弧形结构121的一端与波长转换层130的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的侧面上，即本实施例中，波长转换层130同时设置在发光芯片110的上表面和侧面上。如图14c所示，弧形结构121为向下弯曲的凹面，同时，弧形结构121的一端与波长转换层130的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的上表面的外沿处。如图14d所示，弧形结构121为向下弯曲的凹面，弧形结构121的一端与波长转换层130的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的侧面上，即波长转换层130同时设置在发光芯片110的上表面和侧面上，

进一步的，请参见图15a-15b所示，本实施例中，还包括：透明封装层150，透明封装层150设置在波长转换层130上，且波长转换层130与透明封装层150之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，这样波长转换层130上设置一层相当于凸透镜或凹透镜结构的透明封装层150，其中，透明封装层150中分散有扩散粉，这样可以改变波长转换层130的发光角度，让光源透过扩散层时能够折射得更为均匀，经测试发现，当波长转换层130与透明封装层150接触的一面设置为凸面，但未设置透明封装层150时，可改善大角度csp亮度衰减的问题，但是ciex与cieyshift则因切割面不平整造成向下偏移，当波长转换层130与透明封装层150接触之间的弧形面131为如图15a所示向上的凸面，且将内部具有扩散粉的透明封装层150设置在波长转换层130上时，并同时将五面切齐进行测试发现，能够改善大角度csp亮度衰减问题与cieshift向下偏移的问题。

因此，本实施例中，通过将波长转换层130与透明封装层150之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，且透明封装层150中分散有扩散粉时，解决了现有csp发光装置使用时会产生亮度不均且cie色域随角度增大而偏移的问题。

实施例二

图16a-图16h是本发明实施例二提供的led封装结构的结构示意图。

本实施例中，参见图16a-图16h所示，led封装结构包括：一发光芯片110、一围绕结构120a和一波长转换层130a，其中，发光芯片110具有一侧面、一上表面以及一底面，底面具有电极组，电极组包括第一电极112和第二电极114，围绕结构120a围设在发光芯片110的侧面，波长转换层130a设置在发光芯片110的上表面和部分的围绕结构120a上，且围绕结构120a与波长转换层130a之间的交界面形成一弧形结构121，这样使得led封装结构形成具有反射杯型的芯片级封装结构，这样在弧形结构121的反射作用下可以改变光线的方向。

其中，本实施例中，如图16a所示，弧形结构121为向上弯曲的凸面，同时，弧形结构121的一端与波长转换层130a的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的上表面的外沿处。如图16b所示，弧形结构121的一端与波长转换层130a的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的侧面上，即本实施例中，波长转换层130a同时设置在发光芯片110的上表面和侧面上。如图16c所示，弧形结构121为向下弯曲的凹面，同时，弧形结构121的一端与波长转换层130a的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的上表面的外沿处。如图16d所示，弧形结构121为向下凹面，弧形结构121的一端与波长转换层130a的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的侧面上，即波长转换层130a同时设置在发光芯片110的上表面和侧面上。

进一步的，参见图16e所示，还包括一遮蔽层140，遮蔽层140设置在本实施例提供的led封装结构的底面或侧面，或者所述遮蔽层在所述led封装结构的底面及侧面均进行设置。

进一步的，本实施例中，遮蔽层140具体可以设置在所述发光芯片110的底面，进一步的，遮蔽层140设置在所述电极组上，进一步的，遮蔽层140设置在所述围绕结构120a的底面或至少部分侧面上，或所述遮蔽层140设置在所述围绕结构120a的底面及至少部分侧面上，进一步的，遮蔽层140的侧面与所述波长转换层的侧面实质上共平面，进一步的，一遮蔽层140设置在所述波长转换层130a的侧面上，进一步的，遮蔽层140设置在所述波长转换层130a的侧面以及所述围绕结构120a的侧面和底面上。

其中，本实施例中，需要说明的是，遮蔽层140的设置位置包括但不限于图16e和图16f所示的，遮蔽层140的设置位置具体可以参考附图1-图13所示。

其中，遮蔽层140的材质为金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料。

进一步的，参见图16g-16h所示，还包括：一透明封装层150，透明封装层150设置在波长转换层130a的顶面上，且透明封装层150与波长转换层130a之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，较佳的，透明封装层150中分散有扩散粉，这样波长转换层130a上设置一层相当于凸透镜或凹透镜结构的透明封装层150，且透明封装层150中分散有扩散粉，这样可以改变波长转换层130a的发光角度，让光源透过扩散层时能够折射得更为均匀。经测试发现，当波长转换层130a与透明封装层150接触的一面设置为凸面，但未设置透明封装层150时，可改善大角度csp亮度衰减的问题，但是ciex与cieyshift则因切割面不平整造成向下偏移；当波长转换层130a与透明封装层150接触之间的弧形面131为如图16g所示为向上的凸面，且将内部具有扩散粉的透明封装层150设置在波长转换层130a上时，并同时将五面切齐进行测试发现，不仅能够改善大角度csp亮度衰减问题还可以改善cieshift向下偏移的问题。

因此，本实施例中，通过将波长转换层130a与透明封装层150之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，且透明封装层150中分散有扩散粉时，解决了现有csp发光装置使用时会产生亮度不均且cie色域随角度增大而偏移的问题。

其中，本实施例中，波长转换层130a具体可以为荧光胶层或者荧光薄膜与透明胶的组合，所述围绕结构120a的材料为以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合。

实施例三

图17a-图17d是本发明实施例三提供的led封装结构的结构示意图。

参见图17a-17d所示，led封装结构包括：一发光芯片110、一波长转换层130a，以及一透明封装层150，其中，发光芯片110具有一侧面、一上表面以及一底面，底面具有电极组，电极组包括第一电极112和第二电极114，波长转换层130a设置在发光芯片110的侧面和上表面；透明封装层150设置在荧光胶层的顶面上，且透明封装层150与荧光胶层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，即本实施例中，透明封装层150与荧光胶层之间的接触面可以为向上凸面(如图17b所示)也可以为向下凹面(如图17a所示)，这样这样波长转换层130a上设置一层相当于凸透镜或凹透镜结构的透明封装层150，这样可以改变波长转换层130a的发光角度，较佳的，透明封装层150中分散有扩散粉，这样让光源透过扩散层时能够折射得更为均匀。经测试发现，当波长转换层130a与透明封装层150接触的一面设置为向上凸面，但未设置透明封装层150时，可改善大角度csp亮度衰减的问题，但是ciex与cieyshift则因切割面不平整造成向下偏移，当波长转换层130a与透明封装层150接触之间的弧形面131为如图17b所示向上的凸面，且将内部具有扩散粉的透明封装层150设置在波长转换层130a上时，并同时将五面切齐进行测试发现，不仅能够改善大角度csp亮度衰减问题还可以改善cieshift向下偏移的问题。

因此，本实施例中，通过将波长转换层130a与透明封装层150之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，且透明封装层150中分散有扩散粉时，解决了现有csp发光装置使用时会产生亮度不均且cie色域随角度增大而偏移的问题。

进一步的，如图17c所示，还包括：一围绕结构120a，围绕结构120a围设在发光芯片110的至少部分侧面上，即围绕结构120a可以将发光芯片110的全部侧面进行设置，或者围绕结构120a设置发光芯片110的部分侧面，这样波长转换层130a设置在围绕结构120a以及发光芯片110的上表面上。

其中，本实施例中，如图17c-17d所示，围绕结构120a与波长转换层130a之间的交接面形成一弧形结构121，其中，弧形结构121可以为向下凹面，也可以为向上凸面，具体的，可以参考16a16d，其中，本实施例中，弧形结构121的一端延伸到波长转换层130a的顶面实质上平齐，另一端延伸到发光芯片110的上表面的外沿处，即围绕结构120a将发光芯片110的全部侧面设置，或者如图17c所示，弧形结构121的一端延伸到波长转换层130a的顶面，另一端延伸到发光芯片110的侧面上。

进一步的，参见图17d所示，还包括：一遮蔽层140，遮蔽层140设置在发光芯片110的底面和围绕结构120a的底面，或者本实施例中，遮蔽层140还可以设置在围绕结构120a的底面和/或围绕结构120a的侧面，遮蔽层140的设置位置具体可以参考附图1-图13，本实施例中，不再赘述。

实施例四

图18a-图18d是本发明实施例四提供的led封装结构的制造方法的示意图。

参见图18a-图18d所示，本实施例提供的led封装结构的制造方法包括如下步骤：

步骤401：提供一具有可移除层1420的承载板；

其中，可移除层1420位于承载板1410上，可移除层1420具体可以为热解胶，即加热后可以移出的胶材。

步骤402：将csp发光元件放置在可移除层1420上，且csp发光元件中发光面朝向可移除层1420，csp发光元件中的电极组远离可移除层1420；

具体的，如图18a所示，csp发光元件包括发光芯片110、围绕结构120以及波长转换层130，发光芯片110的底面上设有电极组，电极组包括第一电极112和第二电极114，第一电极112和第二电极114之间具有间隔，其中，csp发光元件在可移除层1420上设置时，第一电极112和第二电极114朝上，波长转换层130与可移除层1420接触。

步骤403：在电极组之间的间隔处形成光阻图案1430；

如图18b所示，光阻图案1430设置发光芯片110的底面上且位于第一电极112和第二电极114之间.

步骤404：在csp发光元件设置电极组的一面以及电极组上设置遮蔽层1440；

如图18c所示，遮蔽层1440设置在发光芯片110的底面s1上以及第一电极112和第二电极114上。

步骤405：移除光阻图案1430、可移除层1420以及承载板1410，制得led封装结构。

如图18d所示，移除光阻图案1430，同时进行加热制程，以便于移除可移除层1420以及承载板1410，最终制得的led封装结构如图18d所示，即本实施例中通过上述方法制得图2所示的led封装结构。

实施例五

图19a-图19d是本发明实施例五提供的led封装结构的制造方法的示意图。

参见图19a-19d所示，本实施例提供的led封装结构的制造方法包括如下步骤：

步骤501：提供一具有可移除层1420的承载板1410；

其中，可移除层1420位于承载板1410上，可移除层1420具体可以为热解胶，即加热后可以移出的胶材。

步骤502：将csp发光元件放置在可移除层1420上，且csp发光元件中发光面朝向可移除层1420，csp发光元件中的电极组远离可移除层1420；

具体的，如图19a所示，csp发光元件包括发光芯片110、围绕结构120以及波长转换层130，发光芯片110的底面上设有电极组，电极组包括第一电极112和第二电极114，第一电极112和第二电极114之间具有间隔，其中，csp发光元件在可移除层1420上设置时，第一电极112和第二电极114朝上，波长转换层130与可移除层1420接触，即发光芯片110的发光面sl朝下，电极组朝上。

步骤503：在电极组之间的间隔以及电极组的底面上设置光阻图案1530；

如图19b所示，光阻图案1530设置在第一电极112和第二电极114之间的间隔以及第一电极112和第二电极114的底面上，即光阻图案1530将第一电极112和第二电极114的底面设置。

步骤504：在csp发光元件设置电极组的一面上设置遮蔽层1540；

如图19c所示，遮蔽层1540设置在发光芯片110的底面上以及围绕结构120的底面上。

步骤505：移除光阻图案1530、可移除层1420以及承载板1410，制得led封装结构。

如图19d所示，移除光阻图案1530，同时进行加热制程，以便于移除可移除层1420以及承载板1410，最终获得图19d所示的led封装结构。

其中，本实施例中，遮蔽层1540设置在发光芯片110的底面和围绕结构120的底面上，在第一电极112和第二电极114之间的间隔处未设置遮蔽层1540，最终制得如图1所示的led封装结构。

实施例六

图20a-图20d是本发明实施例六提供的led封装结构的制造方法的示意图。

参见图20a-20d所示，本实施例中与上述实施例的区别为：本实施例中不设置光阻图案1430，具体的，包括如下步骤：

步骤601：提供一具有可移除层1420的承载板1410，并在可移除层1420上形成绝缘材质的第一遮蔽层1640；

如图20a所示，承载板1410上设置可移除层1420，可移除层1420上设置第一遮蔽层1640。

步骤602：将发光芯片110配置在第一遮蔽层1640上，且发光芯片110上的电极组置入第一遮蔽层1640中并延伸到可移除层1420上；

如图20b所示，具体的，通过施压以便于将发光芯片110的第一电极112与第二电极114置入绝缘材质的第一遮蔽层1640中，且第一电极112与第二电极114的一段抵接在可移除层1420上。

步骤603：在第一遮蔽层1640上设置围绕结构120，且围绕结构120设置在发光芯片110的侧面；

步骤604：在围绕结构120的顶面以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130；

如图20c所示，利用切割方法，切除多余的绝缘材质的第一遮蔽层1640，使绝缘材质的遮蔽层1640与围绕结构120的侧壁以及波长转换层130的侧面实质上共平面。

步骤605：移除可移除层1420和承载板1410，制得led封装结构。

如图20d所示，移除热解胶带1420与承载板1410，获得如图3的led封装结构300，以上述方法所形成的结构可以通过遮蔽层1642阻隔由发光芯片110的底表面s1及围绕结构120底部所泄漏的光线。其中，在移除承载板1410与热解胶带之前，进行加热步骤，以便于移除热解胶带。

其中，本实施例中，步骤604之后还包括：在波长转换层130上设置透明封装层150，且波长转换层130与透明封装层150之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面131，然后执行步骤605，这样制得如图15a-图15b所示的led封装结构。

进一步的，本实施例中，在步骤603之后，还包括：将围绕结构120的侧面进行切割，在切割后的围绕结构120的侧面上设置第二遮蔽层，在第二遮蔽层、围绕结构以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130，然后执行步骤605，这样制得如图5所示的led封装结构。

进一步的，本实施例中，步骤604之后，还包括：将围绕结构120的侧面以及波长转换层130的侧面进行切割，在切割后的围绕结构120的侧面以及波长转换层130的侧面上设置第二遮蔽层，且第二遮蔽层与波长转换层130的顶面实质上平齐，然后执行步骤605，制得如图4所示的led封装结构。

进一步的，本实施例中，如图21a-21c所示，步骤605之后，还包括：将制得的led封装结构翻转后重新放置在可移除层1420上，且波长转换层130与可移除层1420接触，对围绕结构120的侧面进行切割并在围绕结构的侧面上形成台阶，在围绕结构120的台阶上设置第二遮蔽层1642，且第二遮蔽层1642设置在围绕结构的台阶之上的侧面上；重新移出可移除层1420和承载板1410，制得如图6所示的led封装结构。

实施例七

本实施例中与上述实施例的区别为：本实施例中制得的led封装结构中发光芯片110的底面不设置遮蔽层，制造方法包括如下步骤：

步骤701：提供一具有可移除层1420的承载板1410，

步骤702：将发光芯片110配置在可移除层1420上，具体的，发光芯片110的第一电极112和第二电极114置入可移除层1420中，较佳的，发光芯片110的底面与可移除层1420实质上平齐。

步骤703：在可移除层1420上设置第一遮蔽层；

步骤704：在第一遮蔽层上设置围绕结构120，且围绕结构120设置在发光芯片110的侧面；

步骤705：在围绕结构120的顶面以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130；

步骤706：移除可移除层1420和承载板1410，制得led封装结构。

其中，通过上述步骤最终制得如图7所示的led封装结构，即遮蔽层设置在围绕结构120的底面。

进一步的，在步骤704之后，还包括：将围绕结构120的侧面进行切割，在切割后的围绕结构120的侧面上设置第二遮蔽层，接着，在第二遮蔽层、围绕结构以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130，最后执行步骤706，最终制得如图9所示的led封装结构。

进一步的，在步骤705之后，还包括：将围绕结构120的侧面和波长转换层130的侧面进行切割，在切割后的围绕结构120的侧面以及波长转换层130的侧面上设置第二遮蔽层，且第二遮蔽层的顶端与波长转换层130的顶面实质上平齐，然后执行步骤706，制得如图10所示的led封装结构。

进一步的，在步骤706之后，还包括：参考如图21a-21c所示，将led封装结构翻转后重新配置在可移除层1420上，且波长转换层130与可移除层1420接触，将围绕结构120的侧面以及第一遮蔽层进行切割并在围绕结构120的侧面上形成台阶，在围绕结构120的台阶上设置第二遮蔽层，且第二遮蔽层设置在围绕结构120的台阶之上的侧面上，重新移出可移除层1420和承载板1410，最终制得如图8所示的led封装结构。

实施例八

本实施例中与上述实施例的区别为：本实施例中制得的led封装结构中发光芯片110的底面以及围绕结构120的底面均不设置遮蔽层，制造方法包括如下步骤：

步骤801：提供一具有可移除层1420的承载板1410；

步骤802：将发光芯片110配置在可移除层1420上；

步骤803：在可移除层1420上设置围绕结构，且围绕结构设置在发光芯片110的侧面；

步骤804：在围绕结构120的顶面以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130；

步骤805：将围绕结构120的侧面以及波长转换层130的侧面进行切割；

步骤806：在切割后的围绕结构120的侧面和波长转换层130的侧面上设置遮蔽层；

步骤807：移除可移除层1420和承载板1410，制得led封装结构。

通过上述步骤，制得如图11所示的led封装结构，即遮蔽层设置在围绕结构120的侧面和波长转换层130的侧面上，从而可以防止led封装结构的围绕结构的侧面和波长转换层130的侧面漏光。

进一步的，步骤803之后，具体还可以为：将围绕结构12的侧面进行切割，在切割后的围绕结构12的侧面上设置遮蔽层，接着，在遮蔽层的顶面、围绕结构120的顶面以及发光芯片110的上表面上设置波长转换层130，然后执行步骤807，制得如图12所示的led封装结构。

进一步的，步骤804之后，具体还可以为：加热承载板1410，将发光芯片110、围绕结构120和波长转换层130翻转后重新设置在可移除层1420上，且波长转换层130与可移除层1420接触，发光芯片110的电极组远离可移除层1420(参考如图21a所示)，将围绕结构120的侧面进行切割，并在围绕结构120的侧面上形成台阶；在切割后的围绕结构120的台阶上设置遮蔽层，且遮蔽层与围绕结构120的底面实质上平齐，然后执行步骤807，制得如图13所示的led封装结构。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。