技术特征：
技术总结
本发明提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。
技术研发人员：小泉克之;高桥雅典
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2018.08.09
技术公布日：2019.02.26