主动元件基板的制作方法

本发明是有关于一种元件基板，且特别是有关于一种主动元件基板。

背景技术：

随着显示科技的发展，显示面板应用范围日益广泛。举例而言，在早期，显示面板多用做电子装置(例如：电视、电脑、手机等)的屏幕，而应用在电子装置上的显示面板多为硬质显示面板；在近期，则有人将显示面板应用在穿戴装置(例如：手表、衣服等)，而应用在穿戴装置上的显示面板多为可挠式显示面板。

可挠式显示面板需具备相当的可弯曲程度。换言之，当可挠式显示面板弯曲时，可挠基板上的构件(例如：薄膜晶体管、数据线、扫描线、周边走线等)需随之弯曲并维持正常功能。然而，在现有的可挠式显示面板中，可挠式像素阵列基板包括至少一层整面性的无机绝缘层。当可挠式显示面板弯曲时，脆弱的无机绝缘层往往易断裂，并牵连邻近膜层(例如：第一导电层、第二导电层等)出现裂痕，进而导致可挠式显示面板失效。

技术实现要素：

本发明提供一种主动元件基板，弯折耐受特性佳。

本发明的一种主动元件基板包括可挠基板、无机绝缘层、有机绝缘图案、导电元件及周边走线。可挠基板具有主动区以及主动区外的周边区以及连接于主动区与周边区之间的可弯折区。无机绝缘层设置于可挠基板上，且具有位于可弯折区的第一沟槽。有机绝缘图案设置于无机绝缘层的第一沟槽。导电元件设置于周边区。周边走线由主动区延伸至位于周边区的导电元件。位于可弯折区的周边走线设置于有机绝缘图案上，且有机绝缘图案位于周边走线与可挠基板之间。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板更包括薄膜晶体管，设置于主动区。薄膜晶体管包括半导体图案、栅极、源极以及漏极。半导体图案设置于可挠基板上。源极与漏极位于栅极上方，且与半导体图案电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的无机绝缘层包括第一绝缘层及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖半导体图案。第二绝缘层覆盖栅极以及第一绝缘层，其中第一沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的无机绝缘层更具有第一贯孔及第二贯孔。源极与漏极设置于无机绝缘层上且分别通过第一贯孔及第二贯孔与半导体图案电性连接。周边走线、源极与漏极属于同一膜层。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案具有背向可挠基板的上表面。第二绝缘层具有背向可挠基板的上表面。有机绝缘图案的上表面与可挠基板的距离大于或等于第二绝缘层的上表面与可挠基板的距离。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案的上表面具有多个凸起部，周边走线共形地设置于多个凸起部上。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板更包括平坦层、第一电极及像素定义层。平坦层覆盖薄膜晶体管。第一电极设置于平坦层上且与薄膜晶体管的漏极电性连接。像素定义层设置于平坦层与第一电极上，且具有与部分第一电极重叠的开口。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的平坦层覆盖周边走线，而像素定义层覆盖位于周边走线上的平坦层。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的平坦层的材料、像素定义层的材料以及有机绝缘图案的材料相同。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板更包括第三绝缘层。第三绝缘层覆盖周边走线与第二绝缘层。其中可挠基板具有厚度h1及杨氏模数e1，第一沟槽具有深度h2，有机绝缘图案具有杨氏模数e2，第三绝缘层具有厚度h3及杨氏模数e3，h1·e1+h2·e2≤h3·e3。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板更包括缓冲层。缓冲层具有覆盖可挠基板的可弯折区的薄部，其中有机绝缘图案设置于缓冲层的薄部上，缓冲层的薄部具有厚度h4及杨氏模数e4。h1·e1+h2·e2+h4·e4≤h3·e3。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案具有多个凸起部，每一凸起部朝远离可挠基板的第一方向凸起，而周边走线设置于多个凸起部上。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的周边走线具有多个弯曲段，每一弯曲段朝第二方向弯曲，而第一方向与第二方向交错。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案的多个凸起部排成多列，相邻两列的多个凸起部彼此错开。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的周边走线具有多个弯曲段，而周边走线的多个弯曲段分别设置于有机绝缘图案的多个凸起部上。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案还包括基部，基部设置于无机绝缘层的第一沟槽，多个凸起部设置于基部的表面上，每一凸起部的侧壁与基部的表面夹有角度θ，而100°≤θ≤160°。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案还包括基部，基部设置于无机绝缘层的第一沟槽，多个凸起部设置于基部的表面上，凸起部具有厚度h，厚度h与基部的厚度和为h，而0.5μm≤h≤2.5μm，且1μm≤h≤5μm。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件基板的可挠基板具有相对的内表面及外表面，薄膜晶体管设置于可挠基板的内表面上，而主动元件基板更包括保护膜，设置于可挠基板的外表面上，其中保护膜与主动区和周边区重叠而未与可弯折区重叠。

在本发明的一实施例中，在由主动区指向周边区的方向上，第一沟槽具宽度l0μm(微米)，可弯折区具宽度l1μm，而l1+20μm＜l0<3·l1。

基于上述，本发明的实施例的主动元件基板于可弯折区的第一沟槽内设置有机绝缘图案，周边走线设置于有机绝缘图案上，以跨越可弯折区而由主动区延伸至周边区。由于有机绝缘图案的材质较软、不易因弯曲而断裂(crack)，因此，当可弯折区弯曲时，周边走线不易受有机绝缘图案的牵连而断裂，主动元件基板的弯折耐受性佳。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的主动元件基板10的上视示意图。

图2为图1的主动元件基板10的可弯折区110c的局部i的上视放大示意图。

图3a至图3q为本发明一实施例的主动元件基板的制造流程剖面示意图。

图4为本发明的另一实施例的主动元件基板10a的剖面示意图。

图5为本发明的另一实施例的主动元件基板10b的可弯折区110c的局部区域i的上视放大示意图。

图6为本发明又一实施例的主动元件基板10c的可弯折区的局部区域i的上视放大示意图。

图7为本发明再一实施例的主动元件基板10d的可弯折区的局部区域i的上视放大示意图。

其中，附图标记：

10、10a、10b：主动元件基板142：第二绝缘层

100：硬质载板143：第一沟槽

110：可挠基板144：第一贯孔

110a：主动区145：第二贯孔

110b：周边区146：第三贯孔

110c：可弯折区147：第四贯孔

111：内表面150：第一导电层

112：外表面151：栅极

115、116：保护膜152：连接元件

120、120a：缓冲层153：导电元件

120e：凹陷160：有机绝缘图案

122：薄部161：基部

130：半导体图案161a：表面

140：无机绝缘层161b：底面

140s、162b：侧壁162：凸起部

140t：上表面162a：顶面

141：第一绝缘层170：第二导电层

141h、142h：贯孔171：源极

172：漏极d1：第一方向

173：周边走线d2：第二方向

173a、173b：弯曲段d3：第三方向

180：平坦层dl：数据线

181：第五贯孔h、h1、h3、h4、h：厚度

182：第一电极h2：深度

185：第三绝缘层l0、l1：宽度

190：像素定义层sl：扫描线

191：开口t：薄膜晶体管

192：发光层i：区域

a-a’、b-b’、c-c’：剖线θ：角度

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本发明一实施例的主动元件基板10的上视示意图。图2为图1的主动元件基板10的可弯折区110c的局部i的上视放大示意图。图3a至图3q为本发明一实施例的主动元件基板的制造流程剖面示意图。特别是，图3q分别对应图1的剖线a-a’、b-b’及c-c’，且图1省略图3q的像素定义层190、发光层192及导电元件153的绘示。以下利用图1、图2及图3a至图3q说明本发明一实施例的主动元件基板10的制造流程及其结构。

请参照图1及图3a，首先，提供可挠基板110。在本实施例中，可挠基板110可暂时设置于硬质载板100上。举例而言，在本实施例中，硬质载板100的材质可以是玻璃或其他不易形变且制程耐受性高的材料。可挠基板110具有主动区110a、主动区110a外的周边区110b以及连接于主动区110a与周边区110b之间的可弯折区110c。在本实施例中，弯折区110c例如是可挠基板110的宽度缩减部。举例而言，可挠基板110可选择性地具有圆形的主动区110a、连接于主动区110a下方的直条状的可弯折区110c以及连接于可弯折区110c下方的横条状的周边区110b。整体而言，可挠基板110大致上可呈一头颈状，而弯折区110c可以是可挠基板110的颈部。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，可挠基板110的各区也可依实际需求设计为其他适当形状。

在本实施例中，可挠基板110的材质可选自有机聚合物，例如：聚酰亚胺(polyimide；pi)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylenenaphthalate；pen)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚碳酸酯(polycarbonates；pc)、聚醚砜(polyethersulfone；pes)、聚芳基酸酯(polyarylate)、或其它合适的材料，但本发明不以此为限。

请参照图3a，接着，可选择地于可挠基板110上形成缓冲层120。在本实施例中，缓冲层120可覆盖可挠基板110的主动区110a、可弯折区110c及周边区110b，但本发明不以此为限。举例而言，在本实施例中，缓冲层120的材质可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层，但本发明不以此为限。

请参照图3b，接着，在缓冲层120上形成半导体图案130。在本实施例中，半导体图案130可为单层或多层结构，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合，但本发明不以此为限。

请参照图3c，接着，形成第一绝缘层141，以覆盖半导体图案130及缓冲层120。请参照图3d，接着，在第一绝缘层141上形成第一导电层150。在本实施例中，第一导电层150可包括位于主动区110a的栅极151、位于主动区110a的连接元件152以及位于周边区110b的导电元件153。请参照图1及图3d，举例而言，在本实施例中，第一导电层150还可包括多条扫描线sl。扫描线sl与栅极151电性连接。在本实施例中，基于导电性的考量，第一导电层150(或者说，栅极151、连接元件152、导电元件153及扫描线sl)一般是使用金属材料制作，但本发明不限于此，根据其他实施例，第一导电层150也可以使用其他适当导电材料制作，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。

请参照图3e，接着，形成第二绝缘层142，以覆盖栅极151、连接元件152、导电元件153及扫描线sl(绘示于图1)。在本实施例中，第一绝缘层141的材质与第二绝缘层142的材质可皆为无机材料，而第一绝缘层141与第二绝缘层142可组成无机绝缘层140。举例而言，在本实施例中，第一绝缘层141的材质及第二绝缘层142的材质例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的无机材料、或上述至少二种材料的堆叠层，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一绝缘层141的材质及第二绝缘层142的材质可相同，但本发明不以此为限。

请参照图3f，接着，在可挠基板110的可弯折区110c的上方形成第一沟槽143。在本实施例中，第一沟槽143贯穿第一绝缘层141及第二绝缘层142，而可不贯穿缓冲层120。举例而言，在本实施例中，可利用同一遮罩(未绘示)图案化第一绝缘层141、第二绝缘层142及缓冲层120，以形成第二绝缘层142的贯孔142h、第一绝缘层141的贯孔141h以及缓冲层120的凹陷120e。贯孔142h、贯孔141h与凹陷120e相连通且可实质上切齐，以形成本实施例的第一沟槽143。在第一方向d1上，第一沟槽143具有深度h2，其中第一方向d1与基板110的内表面111的法线方向平行。在第二方向d2上，第一沟槽143具有宽度l0，其中第二方向d2由主动区110a的上方指向周边区110b的上方且与第一方向d1垂直。

请参照图1及图3f，在本实施例中，无机绝缘层140具有定义出第一沟槽143的侧壁140s以及背向基板110的上表面140t，侧壁140s与上表面140t的交界构成第一沟槽143的轮廓，而宽度l0可指所述轮廓于第二方向d2上的宽度。举例而言，在本实施例中，可弯折区110c在第二方向d2上的宽度为l1微米(μm)，第一沟槽143在第二方向d2上的宽度为l0微米，而l1与l0可满足下式：l1+5μm<l0<5·l1，较佳地是，l1+20μm<l0<3·l1，但本发明不以此为限。

请参照图3g，接着，在第一沟槽143内填充有机绝缘材料(未绘示)，并图案化所述有机绝缘材料，以形成有机绝缘图案160。在本实施例中，有机绝缘图案160包括设置于第一沟槽143内的基部161及多个凸起部162，其中每一凸起部162设置于基部161的表面161a上且朝远离可挠基板110的第一方向d1凸起。每一凸起部162具有远离基部161的顶面162a及侧壁162b。每一凸起部162的侧壁162b与基部161的表面161a形成角度θ。举例而言，在本实施例中，角度θ可满足下式：100°≤θ≤160°，但本发明不以此为限。

请参照图3g，在第一方向d1上，凸起部162具有厚度h。在一较佳的实施例中，凸起部162的厚度h可满足下式：0.5μm(微米)≤h≤2.5μm(微米)，但本发明不以此为限。此外，凸起部162的顶面162a与基部161的底面161b在第一方向d1上相隔一段距离，所述距离实质上等于凸起部162的厚度h与基部161的厚度(即深度h2)的总和(即厚度h)。在一较佳的实施例中，厚度h可满足下式：1μm(微米)≤h≤5μm(微米)，但本发明不以此为限。举例而言，在本实施例中，有机绝缘图案160的材质例如是聚亚酰胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，pvp)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，pva)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，ptfe)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)、或其它适合的有机绝缘材料，但本发明不以此为限。

在本实施例中，基部161的表面161a与无机绝缘层140的上表面140t大致上平整。换言之，在本实施例中，有机绝缘图案160的基部161可填平第一沟槽143。然而，本发明不以此为限，在另一实施例中，基部161的表面161a也可略高于或略低于无机绝缘层140的上表面140t。

请参照图1、图2及图3g，在本实施例中，每一凸起部162可选择性地呈块状，且相邻两列的凸起部162可选择性地彼此错开。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，凸起部162也可选择性地呈其它形状及/或以其它方式排列。

请参照图3h，接着，在无机绝缘层140中形成第一贯孔144、第二贯孔145、第三贯孔146及第四贯孔147。在本实施例中，第一贯孔144及第二贯孔145贯穿第一绝缘层141及第二绝缘层142，以分别暴露出半导体图案130的不同两区域；第三贯孔146贯穿第二绝缘层142，以暴露出连接元件152的部分表面；第四贯孔147贯穿第二绝缘层142，以暴露出导电元件153的部分表面。

请参照图3i，接着，在无机绝缘层140及有机绝缘图案160上形成第二导电层170。在本实施例中，第二导电层170包括源极171、漏极172与周边走线173。请参照图1及图3i，在本实施例中，第二导电层170还包括多条数据线dl。数据线dl与源极171电性连接。在本实施例中，周边走线173跨越可弯折区110c，且与扫描线sl或数据线dl电性连接。举例而言，在本实施例中，周边走线173可通过连接元件152与扫描线sl电性连接。连接元件152例如是扫描线sl的端部。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，周边走线173也可通过连接元件152或不通过连接元件152而与数据线dl电性连接。

请参照图3i，在本实施例中，源极171与漏极172设置于第二绝缘层142上并分别填入第一贯孔144及第二贯孔145，以与半导体图案130的不同两区域电性连接。半导体图案130、源极171、漏极172及栅极151组成薄膜晶体管t。在本实施例中，薄膜晶体管t以顶部栅极型薄膜晶体管示例。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，薄膜晶体管t也可以是底部栅极型或其它适当型式的薄膜晶体管。

请参照图1及图3i，周边走线173的一部份设置在有机绝缘图案160上，以跨越可弯折区110c而由主动区110a延伸至周边区110b。在本实施例中，周边走线173的相对两端分别填入第三贯孔146及第四贯孔147，以使位于主动区110a的连接元件152通过周边走线173与位于周边区110b的导电元件153电性连接。

请参照图3i，在本实施例中，于可弯折区110c中，周边走线173可共形地设置于有机绝缘图案160的多个凸起部162上，以形成朝向第一方向d1凸起的多个弯曲段173a。弯曲段173a的构造有助于提升周边走线173的弯折耐受性。在本实施例中，基于导电性的考量，第二导电层170(或者说，数据线dl、源极171、漏极172及周边走线173)一般是使用金属材料制作。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第二导电层170也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。

请参照图1及图3i，值得注意的是，位于可弯折区110c的第一沟槽143内设有有机绝缘图案160，且周边走线173设置于有机绝缘图案160上。由于有机绝缘图案160的材质较软、不易因弯曲而断裂(crack)，因此，当可弯折区110c弯曲，以使周边区110b设置于主动区110a的外表面112时，周边走线173不易受有机绝缘图案160的牵连而断裂。

请参照图3j，接着，形成平坦层180，平坦层180覆盖薄膜晶体管t的源极171、漏极172、周边走线173及第二绝缘层142。平坦层180具有第五贯孔181，第五贯孔181贯穿平坦层180，以暴露出漏极172的部分表面。在本实施例中，平坦层180的材质例如是有机绝缘材料。有机绝缘材料例如是聚亚酰胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，pvp)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，pva)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，ptfe)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)、或其它适合的有机绝缘材料。平坦层180的材质与有机绝缘图案160的材质可以选择性地相同，但本发明不以此为限。

请参照图3k，接着，在平坦层180上形成第一电极182，第一电极182填入平坦层180的第五贯孔181以和薄膜晶体管t的漏极172电性连接。举例而言，在本实施例中，第一电极182可为反射电极，反射电极的材料例如是金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，第一电极182也可为透光电极。透光电极的材料例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。

请参照图3l，接着，形成像素定义层190。像素定义层190覆盖平坦层180及部分的第一电极182。像素定义层190具有开口191，开口191暴露部第一电极182的部分表面。在本实施例中，像素定义层190的材质例如是有机绝缘材料。有机绝缘材料例如是聚亚酰胺、聚酯、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯苯酚(poly(4-vinylphenol)，pvp)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol，pva)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethene，ptfe)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)、或其它适合的有机绝缘材料。在本实施例中，像素定义层190的材质与有机绝缘图案160的材质可以选择性地相同，但本发明不以此为限。

请参照图3m，接着，在像素定义层190的开口191填充电激发光材料，以形成发光层192。在本实施例中，电激发光材料例如是磷光有机电激发光材料、萤光有机电激发光材料、无机电激发光材料或上述至少二种材料的组成，但本发明不以此为限。

请参照图3m，在本实施例中，主动元件基板10的可挠基板110于第一方向d1上具有厚度h1，有机绝缘图案160的基部161于第一方向d1上具有厚度(即第一沟槽143的深度h2)，平坦层180及像素定义层190可组成第三绝缘层185，第三绝缘层185于有机绝缘图案160的凸起部162上方的厚度为h3，缓冲层120的薄部122位于有机绝缘图案160的正下方，而缓冲层120的薄部122在第一方向d1上的厚度为h4，可挠基板110、有机绝缘图案160、第三绝缘层185及缓冲层120分别具有杨氏模数e1、e2、e3及e4。在本实施例中，h1·e1+h2·e2+h4·e4≤h3·e3，藉此，主动元件基板10的可弯折区110c弯曲时，夹设于可挠基板110、缓冲层120的薄部122及有机绝缘图案160的组合与第三绝缘层185之间的周边走线173更不易受损，周边走线173的弯曲耐受性进一步提升。

请参照图3n，接着，于像素定义层190上形成保护膜116，以覆盖像素定义层190及发光层192。需说明的是，在设置保护层116前，可视需求再设置其他膜层，例如：设置电极层以做为发光层192的电极层、设置薄膜封装层以保护下方元件等。请参照图3n及图3o，接着，去除(liftoff)硬质载板100，以露出可挠基板110的外表面112。请参照图3p，接着，在可挠基板110的外表面112上形成保护膜115。保护膜115设置于可挠基板110的外表面112上，其中保护膜115与主动区110a和周边区110b重叠而未与可弯折区110c重叠。请参照图3p及图3q，接着，移除覆盖像素定义层190及发光层192的保护膜116。于此，便完成本实施例的主动元件基板10。

请参照图1及图3q，主动元件基板10是能弯折的，以组装于终端产品(例如：智慧型手表)的壳体内，并符合终端产品的外观设计(例如：圆形表面的设计)。举例而言，主动元件基板10的可弯折区110c可沿顺时针方向(以图3q来看)弯折，以使周边区110b设置于主动区110a的下方。此时，重叠于周边区110b的部份保护膜115可与重叠于主动区110a的部份保护膜115相接触，周边区110b及至少部分的可弯折区110c隐藏在主动区110a下方，而弯折的主动元件基板10大致上具有符合终端产品的外观设计的形状(例如：圆形)。

值得一提的是，主动元件基板10的可弯折区110c上设有机绝缘图案160，相较于无机绝缘层140，有机绝缘图案160具有较佳的弯折耐受性而不易断裂。藉此，设置在有机绝缘图案160上的周边走线173不易受牵连而断裂，进而能在可弯折区110c弯折的状态下维持主动元件基板10的正常运作。

图4为本发明的另一实施例的主动元件基板10a的剖面示意图。请参照图4，图4的主动元件基板10a与图3m的主动元件基板10类似，两者的差异在于：在图4的实施例中，有机绝缘图案160的基部161贯穿缓冲层120a而有机绝缘图案160与可挠基板110直接接触。另外，在本实施例中，h1·e1+h2·e2≤h3·e3。

图5为本发明的另一实施例的主动元件基板10b的可弯折区110c的局部区域i的上视放大示意图。请参照图5，在本实施例中，有机绝缘图案160的凸起部162可以是垂直第二方向d2延伸的长条状结构。

图6为本发明又一实施例的主动元件基板10c的可弯折区的局部区域i的上视放大示意图。图6的主动元件基板10c与图5的主动元件基板10b类似，两者的差异在于，周边走线173的多个弯曲段173b不仅在第一方向d1上弯曲更在第三方向d3上弯曲，其中第三方向d3平行于可挠基板110的内表面111且垂直于第二方向d2。藉此，周边走线173从有机绝缘图案160的基部161的表面161a延伸至相邻凸起部162的顶面162a时，周边走线173在相邻两凸起部162的侧壁162b上的长度可增加，进而能加强周边走线173的弯折耐受性。

图7为本发明再一实施例的主动元件基板10d的可弯折区的局部区域i的上视放大示意图。图7的主动元件基板10d与图6主动元件基板10c类似，两者的差异在于，在图7的实施例中，每一凸起部162可选择性地呈块状，且相邻两列的凸起部162可选择性地彼此错开。

综上所述，本发明的实施例的主动元件基板于可弯折区的第一沟槽内设置有机绝缘图案，周边走线设置于有机绝缘图案上，以跨越可弯折区而由主动区延伸至周边区。由于有机绝缘图案的材质较软、不易因弯曲而断裂(crack)，因此，当可弯折区弯曲时，周边走线不易受有机绝缘图案的牵连而断裂，主动元件基板的弯折耐受性佳。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。