技术总结
一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
技术研发人员：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩
受保护的技术使用者：南昌大学
技术研发日：2018.03.12
技术公布日：2019.01.01