1.一种设备，其包括：
封装衬底；
多个半导体装置，其附接到所述封装衬底，所述多个半导体装置沿着所述封装衬底在所述多个半导体装置中的第一对半导体装置之间界定路径；及
加固件结构，其耦合到所述封装衬底且被定位成使得所述加固件结构的纵向轴线垂直于所述路径。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述加固件结构被定位成靠近所述封装衬底的边缘。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述加固件结构是沿着所述封装衬底的边界伸展的框架。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述封装衬底是重布层。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述重布层包含定位在模塑化合物中的扇出型铜结构。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述加固件结构包括铜、铝、银或其组合。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述加固件结构的热膨胀系数基本上等于所述封装衬底的热膨胀系数。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个半导体装置进一步沿着所述封装衬底在所述多个半导体装置中的第二对半导体装置之间界定第二路径，所述设备进一步包括第二加固件结构，所述第二加固件结构耦合到所述封装衬底且被定位成使得所述第二加固件结构的纵向轴线垂直于所述第二路径。
9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
至少一个电极，其位于所述封装衬底内，耦合到所述加固件结构。
10.一种方法，其包括：
将第一半导体装置附接到封装衬底；
将第二半导体装置附接到所述封装衬底，所述第一半导体装置与所述第二半导体装置在其之间沿着所述封装衬底界定路径；
将加固件结构附接到所述封装衬底，以使得所述加固件结构的纵向轴线垂直于所述路径。
11.根据权利要求10所述的方法，其中靠近所述封装衬底的边缘附接所述加固件结构。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述加固件结构是沿着所述封装衬底的边界附接的框架。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述封装衬底是重布层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述重布层包含定位在模塑化合物中的扇出型铜结构。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述加固件结构包括铜、铝、银或其组合。
16.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括将所述加固件结构的材料选择成与所述封装衬底的热膨胀系数相匹配。
17.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
将至少一个额外半导体装置附接到所述封装衬底，所述至少一个额外半导体装置与所述第一半导体装置在其之间沿着所述封装衬底界定额外路径；及
将至少一个额外加固件结构附接到所述封装衬底，以使得所述至少一个额外加固件结构的纵向轴线垂直于所述额外路径。
18.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
将加固件结构电耦合到所述封装衬底内的至少一个电极。
19.一种设备，其包括：
重布层衬底，其具有定位在模塑化合物中的扇出型铜结构；
多个半导体装置，其附接到所述重布层衬底，所述多个半导体装置沿着所述重布层衬底在所述多个半导体装置中的一对半导体装置之间界定路径；及
铜加固件结构，其耦合到所述重布层衬底且被定位成使得所述铜加固件结构的纵向轴线垂直于所述路径。
20.根据权利要求19所述的设备，其进一步包括：
至少一个电极，其位于所述重布层衬底内且耦合到所述铜加固件结构。