技术总结
本实用新型提供的晶圆处理装置，包括反应腔室，还包括：基座，位于所述反应腔室内，用于承载晶圆；至少一组凹槽，位于所述基座表面，每组凹槽包括关于所述基座的中心对称分布的两个凹槽；多条第一管道，与多个所述凹槽一一连通，且延伸至所述反应腔室外部；第二管道，与所述反应腔室连通，用于向所述反应腔室通入气体；多个压力计，位于所述反应腔室外部，且与多条所述第一管道一一连通，所述压力计用于检测与其连通的所述凹槽内的气体压力。本实用新型能够及时了解晶圆在反应腔室内的位置是否发生了偏移，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。
技术研发人员：王昕昀;曹紫然;贾中宇;吴龙江;林宗贤
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.02.20
技术公布日：2019.10.15